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公开(公告)号：CN101824646B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910078944.X
申请日：2009-03-02
Applicant: 北京滨松光子技术股份有限公司
Abstract: 本发明为真空封闭式坩埚下降法生长掺铊碘化钠(NaI(Tl))单晶体的新工艺技术，属于碘化钠晶体的单晶生长领域。在内部衬有与掺铊碘化钠熔体不发生化学反应的物质、且底部为锥形的石英坩埚内加入碘化钠原料，在真空度优于5×10-3Pa的状态下进行热处理，逐步升温到300℃后恒温至少8个小时，在真空度保持不变的情况下降至室温；之后向所述石英坩埚内部加入掺杂原料碘化铊，进行二次抽真空和热处理，直至达到真空度优于3×10-3Pa并且温度为200℃的状态，在此状态下恒温至少8个小时，并对石英坩埚口进行熔封处理，之后按照本技术领域公知的下降法生长掺铊碘化钠单晶体。
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公开(公告)号：CN104109901A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201310131908.1
申请日：2013-04-17
Applicant: 北京滨松光子技术股份有限公司
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明涉及晶体生长设备领域，具体涉及利用坩埚下降法生长大尺寸晶体的水冷杆及使用该水冷杆的晶体生长炉。本发明提供的水冷杆包括上水冷段和下水冷段，所述上水冷段和所述下水冷段均设有进水口利出水口；本发明提供了一种包括上述水冷杆的晶体生长炉。本发明采用分段式水冷杆米调节温场，可有效地传导结晶潜热，保证温场的平衡。此外，本发明还提供了一种包括上述水冷杆的封闭式晶体生长炉，该晶体生长炉不但消除了挥发物对环境的污染，使得坩埚不需要密封，从而能够多次使用，而且在抽真空或充气的条件下能够有效地防止加热炉丝因氧化而损坏。
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公开(公告)号：CN101824646A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200910078944.X
申请日：2009-03-02
Applicant: 北京滨松光子技术股份有限公司
Abstract: 本发明为真空封闭式坩埚下降法生长掺铊碘化钠(NaI(Tl))单晶体的新工艺技术，属于碘化钠晶体的单晶生长领域。在内部衬有与掺铊碘化钠熔体不发生化学反应的物质、且底部为锥形的石英坩埚内加入碘化钠原料，在真空度优于5×10-3Pa的状态下进行热处理，逐步升温到300℃后恒温至少8个小时，在真空度保持不变的情况下降至室温；之后向所述石英坩埚内部加入掺杂原料碘化铊，进行二次抽真空和热处理，直至达到真空度优于3×10-3Pa并且温度为200℃的状态，在此状态下恒温至少8个小时，并对石英坩埚口进行封口处理，之后按照本技术领域公知的下降法生长掺铊碘化钠单晶体。
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公开(公告)号：CN201428006Y
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200920106747.X
申请日：2009-04-08
Applicant: 北京滨松光子技术股份有限公司
IPC: C30B11/00
Abstract: 本实用新型涉及一种下降法生长单晶体用的真空石英坩埚，在所述真空石英坩埚内部衬有一个石墨坩埚，所述石墨坩埚的底部与所述真空石英坩埚的底部完全接触，所述石墨坩埚的外侧壁与所述真空石英坩埚的内侧壁之间的空隙在0.4mm～0.6mm之间。本加衬真空石英坩埚不需要较复杂的工艺控制即可制造完成，在使用过程中石墨坩埚与晶体不粘连，晶体不碎裂，坩埚可多次重复使用，适用于生长大尺寸的单晶体。
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