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公开(公告)号:CN104109901A
公开(公告)日:2014-10-22
申请号:CN201310131908.1
申请日:2013-04-17
Applicant: 北京滨松光子技术股份有限公司
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明涉及晶体生长设备领域,具体涉及利用坩埚下降法生长大尺寸晶体的水冷杆及使用该水冷杆的晶体生长炉。本发明提供的水冷杆包括上水冷段和下水冷段,所述上水冷段和所述下水冷段均设有进水口利出水口;本发明提供了一种包括上述水冷杆的晶体生长炉。本发明采用分段式水冷杆米调节温场,可有效地传导结晶潜热,保证温场的平衡。此外,本发明还提供了一种包括上述水冷杆的封闭式晶体生长炉,该晶体生长炉不但消除了挥发物对环境的污染,使得坩埚不需要密封,从而能够多次使用,而且在抽真空或充气的条件下能够有效地防止加热炉丝因氧化而损坏。