-
公开(公告)号：CN119061462A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411096508.6
申请日：2024-08-09
Applicant: 北京滨松光子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种钙钛矿单晶及其制备方法和制备系统、高能射线探测器。制备方法包括：将按照钙钛矿化学式包含的基本元素和各基本元素之间的计量比预备的原料作为第一原料；根据各基本元素在钙钛矿中形成空位的概率，从基本元素中确定目标元素；目标元素在钙钛矿中形成空位的概率不小于其他元素在钙钛矿中形成空位的概率；将由目标元素组成的原料作为第二原料；以及基于第一原料和第二原料，制备钙钛矿单晶。本申请添加了由在钙钛矿中形成空位的概率较大的目标元素组成的第二原料，因此能够在钙钛矿单晶的生长过程中对对形成的空位进行补偿，能够有效降低或消除空位缺陷，因此能够获得高电阻率、低缺陷密度、大尺寸的钙钛矿单晶。
-
公开(公告)号：CN118727154A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410876359.9
申请日：2024-07-01
Applicant: 北京滨松光子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种碲化镉系列半导体晶体及其退火方法、及退火装置。该退火方法包括：基于含镉的氯化物和/或含铟的氯化物，制备熔融状态的退火剂；以及利用熔融状态的退火剂，对碲化镉系列半导体晶体进行退火。本申请采用含镉的氯化物和/或含铟的氯化物制备熔融状态的退火剂进行退火，能够在退火的同时，实现对碲化镉系列半导体晶体的Cd空位补偿和In元素掺杂，从而能够显著提升晶体质量均匀性、电阻率和载流子传输特性，且能够减少退火耗时，避免对晶体表面损伤、提高效率、降低耗能。
-
公开(公告)号：CN222771008U
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202421537644.X
申请日：2024-07-01
Applicant: 北京滨松光子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种碲化镉系列半导体晶体的退火装置及碲化镉系列半导体晶体。退火装置包括：坩埚，具有第一区和第二区，第一区用于容纳含镉的氯化物和/或含铟的氯化物，第二区用于容纳碲化镉系列半导体晶体；加热炉，包括用于容纳坩埚的炉体和加热装置，其中，加热装置用于对坩埚进行加热，从而使得含镉的氯化物和/或含铟的氯化物熔融为熔融状态的退火剂；位置调节装置，与加热炉连接，用于调节容纳于炉体内的坩埚的位置，以将碲化镉系列半导体晶体浸泡在熔融状态的退火剂中，从而利用熔融状态的退火剂对碲化镉系列半导体晶体进行退火。该退火装置可制得性能非常好的晶体。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.025 seconds)
