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公开(公告)号：CN107065429A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710376126.2
申请日：2017-05-25
申请人： 北京理工大学
IPC分类号： G03F1/26
CPC分类号： G03F1/26
摘要： 本发明公开了一种基于量子点的掩模，包括基板、图形层以及防尘膜：图形层中的图形区域为量子点膜或者不透光材料膜；图形层中的透光区域为空或者为与图形区域不同波长的量子点膜；防尘膜为单纯防尘膜或者量子点膜形成的防尘膜；本发明主要使用量子点技术制作光刻掩膜，在消除杂散光线的同时，降低由于掩膜版厚度造成的光线散射，降低非曝光区域的光刻胶影响，实现更加精确的曝光；该掩模主要应用在TFT LCD光刻工艺中，能够实现更加精密的布线，在不改动设备的前提下，最大化的利用设备，实现高精度曝光，制作出更加精密的TFT LCD面板；在同样的工艺流程下，通过不追加千万级的设备改造投资，也可以实现同样的曝光精度，使得产品边际效益大幅度提升。
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公开(公告)号：CN102981200B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210488739.2
申请日：2012-11-26
申请人： 北京理工大学
摘要： 本发明提供了阿基米德螺旋线形滤光盘和滤光装置及其设计方法，属于多波段成像领域。本发明提供了一种阿基米德螺旋线形滤光盘，滤光盘上根据由盘面圆心处划出阿基米德螺旋线，划分出滤光区域；本发明使用该滤光盘设计了一种阿基米德螺旋线形滤光装置，搭配逐行读出方式的探测器。进一步地本发明提出了阿基米德螺旋线形滤光盘设计方法，首先根据探测器尺寸和分光波段数确定阿基米德螺旋线的形状，其次依据最小极径原则和安全系数原则确定了滤光盘的半径；本发明同样提出了一种阿基米德螺旋线形滤光装置设计方法，提出滤光盘同步曝光误差的概念，使用同步曝光误差最小原则确定探测器放置的相对位置。本发明能够提高滤光效率，适用于光学分光设备。
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公开(公告)号：CN102968768A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210488788.6
申请日：2012-11-26
申请人： 北京理工大学
IPC分类号： G06T5/00
摘要： 本发明公开了一种气体红外图像的热调制方法，属于气体检测领域；该方法包括如下步骤：一、将气体红外图像的亮度均值乘以一定的比例系数作为分割阈值，使用分割阈值对气体红外图像进行分割，得到低亮度区间(0,T)和高亮度区间为(T，255)；二、选择亮度节点node，node大于气体红外图像的亮度均值，将低亮度区间(0,T)进行灰度拉伸，低亮度区间变为（0,node），将高亮度区间为(T，255)进行灰度拉伸，高亮度区间变为(node,255+node)；则图像的灰度区间为（0,255+node），将图像的灰度区间转换到（0,255）区间，得到处理后的图像；三、处理后的图像的图像数据的灰度进行归一化，对归一化后的图像I′进行伽马变换，得到最终图像。本发明适用于气体红外图像的增强处理。
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公开(公告)号：CN107154405A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710322780.5
申请日：2017-05-09
申请人： 北京理工大学
摘要： 本发明公开了金属自容触控基板的过孔刻蚀方法，在不增加额外工艺过程的前提下，通过变更掩膜结构或者变更TFT(薄膜场效应晶体管)结构，改善金属自容触控基板触控过孔搭接不良的问题。方案一是通过改变掩膜板的结构，即在掩膜版上用于加工触控过孔的图形与触控绑定金属之间设置设定厚度的光刻胶，使栅线过孔和触控过孔同时被刻蚀成型，从而避免两种类型过孔过大的厚度差异会造成过孔成型不良。另一种方案是通过在触控绑定金属底层放置数据线金属缓冲层，改善现有触控过孔过刻导致搭接不良的现象。
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公开(公告)号：CN104614889A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510018677.2
申请日：2015-01-14
申请人： 北京理工大学
IPC分类号： G02F1/1333
CPC分类号： G02F1/133723 , G02F1/1303 , G02F1/133784
摘要： 本发明公开了一种利用疏水、亲水表面进行PI高厚度自组装涂覆的方法，通过在面板的非显示区域制造粗糙结构或利用高表面能物质进行表面修饰提高非显示区域的疏水性，并采用将面板沉浸在溶液槽或利用喷嘴刮涂的方式涂覆PI液，本发明的有益效果在于，通过在非显示区域制造疏水结构，而显示区域保持亲水结构从而实现PI液的自组装涂覆，并且本发明采用沉浸式或刮涂式的方法进行PI液涂覆，与传统的使用转印版涂覆PI液的方法相比，不会受到转印版的限制，节省了成本，而且可以实现高厚度PI的涂覆，可有效的提升产线良率。
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公开(公告)号：CN102981200A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210488739.2
申请日：2012-11-26
申请人： 北京理工大学
摘要： 本发明提供了阿基米德螺旋线形滤光盘和滤光装置及其设计方法，属于多波段成像领域。本发明提供了一种阿基米德螺旋线形滤光盘，滤光盘上根据由盘面圆心处划出阿基米德螺旋线，划分出滤光区域；本发明使用该滤光盘设计了一种阿基米德螺旋线形滤光装置，搭配逐行读出方式的探测器。进一步地本发明提出了阿基米德螺旋线形滤光盘设计方法，首先根据探测器尺寸和分光波段数确定阿基米德螺旋线的形状，其次依据最小极径原则和安全系数原则确定了滤光盘的半径；本发明同样提出了一种阿基米德螺旋线形滤光装置设计方法，提出滤光盘同步曝光误差的概念，使用同步曝光误差最小原则确定探测器放置的相对位置。本发明能够提高滤光效率，适用于光学分光设备。
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公开(公告)号：CN106601755A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201710017219.6
申请日：2017-01-10
申请人： 北京理工大学
CPC分类号： H01L27/1244 , H01L27/1259
摘要： 本发明提供了一种避免像素电极open的结构设计，所述结构设计中采用特殊LS遮光层，在LS层图案边界位置形成漏极刻蚀孔，形成漏极处凸起结构，在凸起处PLN层厚度明显小于周围其他位置。进一步在漏极凸起位置正上方完成PLN打孔，此时打孔深度将明显小于原有结构时孔洞深度，为像素电极线P‑ITO的淀积提供了更小的坡度角，能够避免因P‑ITO线断裂而产生的不良。
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公开(公告)号：CN103698018B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310712947.0
申请日：2013-12-20
申请人： 北京理工大学
IPC分类号： G01J5/00
摘要： 本发明公开了一种带电子倍增的铂硅红外焦平面探测器，属于红外成像领域。本发明包括铂硅红外焦平面列阵和电子倍增结构；其中铂硅红外焦平面列阵用于将探测红外信号并将红外信号转换为电信号，电子倍增结构用于将电信号进行倍增放大；所使用的铂硅红外焦平面列阵具有铂硅肖特基势垒型光敏元、垂直移位寄存器以及水平移位寄存器；电子倍增结构是在所述铂硅红外焦平面列阵的硅衬底上扩展一块长条形区域，该长条形区域上具有n个倍增区；电子倍增结构的一端通过在硅衬底上布线与水平移位寄存器的信号输出端连接或者与垂直移位寄存器的信号输出端连接。本发明适用于提高铂硅红外焦平面探测器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN103353380B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310309389.3
申请日：2013-07-22
申请人： 北京理工大学
IPC分类号： G01M3/04 , G01N21/3504 , G02B5/20
摘要： 本发明公开了一种阿基米德螺旋线推扫滤光差分气体泄漏红外成像方法，适用于红外焦平面探测器，包括如下具体步骤：1,设计包括背景滤光片、泄漏气体滤光片以及两片挡光片的阿基米德螺旋线滤光盘；滤光片和挡光片交替布设；2,利用该滤光盘推扫探测器，获得泄漏气体图像、背景图像和挡光图像A、B；3,将泄漏气体图像分别与A和B差分，差分结果取平均为去除盲元的泄漏气体图像；将背景图像分别与A和B差分，差分结果取平均为去除盲元的背景图像；4,使用A和B计算非均匀校正模型，对3中结果进行非均匀性校正；5,将校正后的泄漏气体图像和背景图像进行差分运算，获得最终图像。本发明适用于泄漏气体的差分红外成像。
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公开(公告)号：CN104699337A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510024672.0
申请日：2015-01-19
申请人： 北京理工大学
IPC分类号： G06F3/044
CPC分类号： G06F3/041 , G06F2203/04103
摘要： 本发明公开了一种On-cell消隐结构，通过在CF上表面制备一层倒梯形或者类似的顶部宽底部窄的有机树脂结构与ITO膜层搭接，利用有机树脂的折射率为1.5，与底层玻璃的原理，达到ITO膜层不可见的目的，通过在本发明的消隐结构中，玻璃所有位置均有高折射率的ITO膜层存在，使得整理透过率均一化，可以达到ITO膜层不可见的效果，本发明中，并未额外增加曝光、沉积等工艺次数，可以实现产能影响的最小化。
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