公开(公告)号：CN106887386A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201611226821.2

申请日：2016-12-27

申请人： 北京理工大学

发明人： 喻志农 ,  闫伟 ,  郭建 ,  蒋玉蓉 ,  薛唯

IPC分类号： H01L21/268

CPC分类号： H01L21/268

摘要： 本发明主要属于半导体基板加工工艺领域，具体涉及准分子激光退火制备桥式沟道多晶硅薄膜的方法。利用图案化使薄膜形成桥式结构，利用准分子激光退火使非晶硅薄膜形成多晶硅薄膜。此方法形成的多晶硅薄膜用做多晶硅薄膜晶体管的有源层，可有效降低晶体管关态漏电流，提高器件性能。

公开(公告)号：CN106601755A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201710017219.6

申请日：2017-01-10

申请人： 北京理工大学

发明人： 喻志农 ,  闫伟 ,  郭建 ,  蒋玉蓉 ,  薛唯

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L27/1244 ,  H01L27/1259

摘要： 本发明提供了一种避免像素电极open的结构设计，所述结构设计中采用特殊LS遮光层，在LS层图案边界位置形成漏极刻蚀孔，形成漏极处凸起结构，在凸起处PLN层厚度明显小于周围其他位置。进一步在漏极凸起位置正上方完成PLN打孔，此时打孔深度将明显小于原有结构时孔洞深度，为像素电极线P‑ITO的淀积提供了更小的坡度角，能够避免因P‑ITO线断裂而产生的不良。