公开(公告)号：CN117783112A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311821899.9

申请日：2023-12-27

申请人： 北京理工大学 ,  哈尔滨工业大学

发明人： 姜澜 ,  朱彤 ,  王英杰 ,  娄帅锋 ,  尹鸽平 ,  齐鹏

IPC分类号： G01N21/84 ,  G02B21/18 ,  G02B21/06

摘要： 本发明公开的电池体系跨时空尺度载流子传输动态成像系统及测量方法，属光学成像技术领域。电池体系跨时空尺度载流子传输动态成像系统，包括电子传输成像部分、离子传输成像部分、物镜、样品台、控制和处理模块。控制和处理模块用于控制锁相放大器、声光调制器、高精度延迟线、光电探测器和CMOS相机。本发明基于瞬态反射和干涉散射成像原理，通过处理瞬态反射信号和干涉散射信号，采用光学测量方法能够同时对电池体系中的电子和离子进行跨时空尺度动态成像，能够对载流子的传输动态进行时间尺度飞秒至小时、空间尺度纳米至毫米的跨时空尺度成像。本发明具有无损伤、跨时空尺度、兼容性好、电子和离子动态传输同时成像等优势。

公开(公告)号：CN117430427A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311358221.1

申请日：2023-10-19

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 李达鑫 ,  林海龙 ,  齐鹏 ,  高晨光 ,  林坤鹏 ,  张祎 ,  杨治华 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC分类号： C04B35/584 ,  C04B35/5835 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

摘要： 一种耐高温低介电损耗SiBCN复相陶瓷的制备方法，它涉及SiBCN复相陶瓷的制备方法。本发明要解决现有SiBCN陶瓷难以制备得到致密的块体陶瓷，且其介电常数和介电损耗相对较高的问题。方法：一、浆料制备；二、先驱体浆料固化；三、陶瓷热解；四、热处理。本发明用于耐高温低介电损耗SiBCN复相陶瓷的制备。

公开(公告)号：CN117697919A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311838210.3

申请日：2023-12-28

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 李达鑫 ,  张祎 ,  齐鹏 ,  高晨光 ,  林坤鹏 ,  林海龙 ,  段文九 ,  杨治华 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC分类号： B28B1/00 ,  C04B35/01 ,  B33Y70/10

摘要： 一种利用直写式3D打印技术制备复相陶瓷的方法，它属于陶瓷材料增材制造领域。本发明要解决现有陶瓷前驱体直写打印后，坯体从聚合物至陶瓷的热解过程存在构件线性收缩率及孔隙率高，导致力学性能下降的问题。方法：一、称取；二、制备陶瓷浆料；三、3D打印；四、固化及热解。本发明通过改变针头直径大小即可实现形状复杂、不同分辨率且低收缩、高陶瓷产率、良好的力学及介电性能的立体陶瓷构件一体化成型。本发明用于利用直写式3D打印技术制备复相陶瓷。