-
公开(公告)号：CN113234194A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110725188.6
申请日：2021-06-29
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC分类号： C08F222/40 , C08F220/14 , C08F220/20 , C08F8/12 , C09J135/00 , G03F7/42
摘要： 本申请提供一种共聚物、底层胶组合物、双层体系及其在双层剥离工艺中的应用。属于半导体技术领域。共聚物由N取代马来酰亚胺单体、溶解速率控制单体、丙烯酸酯疏水性单体和丙烯酸羟乙酯亲水性单体聚合得到。本申请的共聚物不溶解于传统光刻胶的溶剂，可以溶解于碱性溶液中，不溶于水，且具有较高的玻璃化转变温度，并具有较好的化学稳定性和抗刻蚀能力，能够作为双层剥离工艺的底层树脂材料。双层体系包括顶层光刻胶和共聚物形成的底层胶。双层体系能够用于双层剥离工艺，且只需要单次显影和单次显影就可以得到目标光刻图案，大大提高光刻效率。
-
公开(公告)号：CN115725216B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202211319214.6
申请日：2022-10-26
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC分类号： G03F7/09 , C09D133/14
摘要： 本申请提供了一种底部抗反射涂层组合物及其用途，其中，底部抗反射涂层组合物不含小分子的交联剂、产酸剂，该底部抗反射涂层组合物含有丙烯酸树脂共聚物A和丙烯酸树脂共聚物B，能够引入含有可热交联的环氧基团和芳香胺基团，可以在热交联的过程中减少由于小分子气化‑重结晶导致的污染情况的发生。
-
公开(公告)号：CN113234194B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202110725188.6
申请日：2021-06-29
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC分类号： C08F222/40 , C08F220/14 , C08F220/20 , C08F8/12 , C09J135/00 , G03F7/42
摘要： 本申请提供一种共聚物、底层胶组合物、双层体系及其在双层剥离工艺中的应用。属于半导体技术领域。共聚物由N取代马来酰亚胺单体、溶解速率控制单体、丙烯酸酯疏水性单体和丙烯酸羟乙酯亲水性单体聚合得到。本申请的共聚物不溶解于传统光刻胶的溶剂，可以溶解于碱性溶液中，不溶于水，且具有较高的玻璃化转变温度，并具有较好的化学稳定性和抗刻蚀能力，能够作为双层剥离工艺的底层树脂材料。双层体系包括顶层光刻胶和共聚物形成的底层胶。双层体系能够用于双层剥离工艺，且只需要单次显影和单次显影就可以得到目标光刻图案，大大提高光刻效率。
-
公开(公告)号：CN117092886A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311052314.1
申请日：2023-08-21
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司
摘要： 深紫外化学放大型负胶的顶部涂层组合物及其制备方法，属于半导体技术领域；顶部涂层组合物包括含有碱性基团的聚合物；该顶部涂层组合物通过采用含有碱性基团的聚合物作为顶部涂层组合物的有效成分，其能够有效的中和光刻胶在曝光区顶部邻近区域所产生的过量光酸，降低曝光区顶部邻近区域过度交联的发生，进而能够降低微桥结构的发生概率，同时还能提高光刻胶曝光能量窗口。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.069 秒)
