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公开(公告)号：CN113234194B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202110725188.6
申请日：2021-06-29
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC分类号： C08F222/40 , C08F220/14 , C08F220/20 , C08F8/12 , C09J135/00 , G03F7/42
摘要： 本申请提供一种共聚物、底层胶组合物、双层体系及其在双层剥离工艺中的应用。属于半导体技术领域。共聚物由N取代马来酰亚胺单体、溶解速率控制单体、丙烯酸酯疏水性单体和丙烯酸羟乙酯亲水性单体聚合得到。本申请的共聚物不溶解于传统光刻胶的溶剂，可以溶解于碱性溶液中，不溶于水，且具有较高的玻璃化转变温度，并具有较好的化学稳定性和抗刻蚀能力，能够作为双层剥离工艺的底层树脂材料。双层体系包括顶层光刻胶和共聚物形成的底层胶。双层体系能够用于双层剥离工艺，且只需要单次显影和单次显影就可以得到目标光刻图案，大大提高光刻效率。
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公开(公告)号：CN112778437B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202011642781.6
申请日：2020-12-31
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
摘要： 本申请提供一种天然多糖改性树脂及其制备方法和应用、光刻胶，属于半导体材料技术领域。天然多糖改性树脂以天然多糖为主链结构，以带有酯类保护基团的氨基甲酸酯极性基团部分或全部取代天然多糖结构中的羟基中的氢原子，能够提高以天然多糖改性树脂作为基体树脂在光刻胶常用酯类溶剂中的溶解度，酯类保护基团能够在光酸的催化下脱保护，形成羧酸，使得天然多糖改性树脂溶于碱性显影液中。同时，天然多糖结构中的羟基中的氢原子部分或全部被带有酯类保护基团的氨基甲酸酯极性基团取代后，使得天然多糖改性树脂的侧链具有氨基甲酸酯极性基团，从而改善以天然多糖改性树脂作为基体树脂制成的光刻胶与基片的粘附性。
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公开(公告)号：CN112778437A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011642781.6
申请日：2020-12-31
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
摘要： 本申请提供一种天然多糖改性树脂及其制备方法和应用、光刻胶，属于半导体材料技术领域。天然多糖改性树脂以天然多糖为主链结构，以带有酯类保护基团的氨基甲酸酯极性基团部分或全部取代天然多糖结构中的羟基中的氢原子，能够提高以天然多糖改性树脂作为基体树脂在光刻胶常用酯类溶剂中的溶解度，酯类保护基团能够在光酸的催化下脱保护，形成羧酸，使得天然多糖改性树脂溶于碱性显影液中。同时，天然多糖结构中的羟基中的氢原子部分或全部被带有酯类保护基团的氨基甲酸酯极性基团取代后，使得天然多糖改性树脂的侧链具有氨基甲酸酯极性基团，从而改善以天然多糖改性树脂作为基体树脂制成的光刻胶与基片的粘附性。
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公开(公告)号：CN113234194A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110725188.6
申请日：2021-06-29
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC分类号： C08F222/40 , C08F220/14 , C08F220/20 , C08F8/12 , C09J135/00 , G03F7/42
摘要： 本申请提供一种共聚物、底层胶组合物、双层体系及其在双层剥离工艺中的应用。属于半导体技术领域。共聚物由N取代马来酰亚胺单体、溶解速率控制单体、丙烯酸酯疏水性单体和丙烯酸羟乙酯亲水性单体聚合得到。本申请的共聚物不溶解于传统光刻胶的溶剂，可以溶解于碱性溶液中，不溶于水，且具有较高的玻璃化转变温度，并具有较好的化学稳定性和抗刻蚀能力，能够作为双层剥离工艺的底层树脂材料。双层体系包括顶层光刻胶和共聚物形成的底层胶。双层体系能够用于双层剥离工艺，且只需要单次显影和单次显影就可以得到目标光刻图案，大大提高光刻效率。
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公开(公告)号：CN115725216B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202211319214.6
申请日：2022-10-26
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC分类号： G03F7/09 , C09D133/14
摘要： 本申请提供了一种底部抗反射涂层组合物及其用途，其中，底部抗反射涂层组合物不含小分子的交联剂、产酸剂，该底部抗反射涂层组合物含有丙烯酸树脂共聚物A和丙烯酸树脂共聚物B，能够引入含有可热交联的环氧基团和芳香胺基团，可以在热交联的过程中减少由于小分子气化‑重结晶导致的污染情况的发生。
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公开(公告)号：CN107586370B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201710737408.0
申请日：2017-08-24
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司
IPC分类号： C08F297/02 , C08F212/36 , C08F220/24 , C08F220/32 , C08F220/18 , G03F7/00
摘要： 本发明高分子化合物合成与应用，具体地，本发明涉及可用于定向自组装的嵌段聚合物及无规聚合物及其制备方法和自组装方法。嵌段聚合物通过阴离子聚合得到且嵌段之间不具有相容性；由所述嵌段聚合物的单体和环氧甲基丙烯酸酯类单体通过自由基聚合得到，该类无规聚合物对上述嵌段聚合物的嵌段呈中性。本发明的嵌段聚合物，涂布于交联后的无规聚合物中性层上后无需退火热处理就能形成垂直于基片的相分离结构，生产效率提高；且能形成20~100nm尺寸范围的图案，形成图案的尺寸范围扩大；同时，本发明提供的嵌段聚合物和无规聚合物应用于微电子领域图案的转以上，降低了其工艺要求及生产成本。
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公开(公告)号：CN108329443B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201711375700.9
申请日：2017-12-19
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司
IPC分类号： C08F293/00 , C08F212/14 , C08F230/08 , C08F220/32 , C08F220/20 , G03F7/00
摘要： 本发明高分子化合物合成与应用，具体地，本发明涉及可用于定向自组装的具有高弗洛里赫金斯参数χ的嵌段聚合物及无规聚合物及其制备方法和自组装方法。嵌段聚合物通过阴离子聚合得到，嵌段之间弗洛里赫金斯参数(Flory‑Huggins)极大，且相容性极低；无规聚合物由所述嵌段聚合物的单体和环氧甲基丙烯酸酯类单体通过自由基聚合得到，该类无规聚合物对上述嵌段聚合物的嵌段呈中性。本发明的嵌段聚合物，涂布于交联后的无规聚合物中性层上后经过退火热处理就能形成垂直于基片的相分离结构，生产效率提高；且能形成20nm以下尺寸范围的图案；同时，本发明提供的嵌段聚合物和无规聚合物应用于微电子领域图案的转以上，降低了其工艺要求及生产成本。
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公开(公告)号：CN108329443A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201711375700.9
申请日：2017-12-19
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司
IPC分类号： C08F293/00 , C08F212/14 , C08F230/08 , C08F220/32 , C08F220/20 , G03F7/00
摘要： 本发明高分子化合物合成与应用，具体地，本发明涉及可用于定向自组装的具有高弗洛里赫金斯参数χ的嵌段聚合物及无规聚合物及其制备方法和自组装方法。嵌段聚合物通过阴离子聚合得到，嵌段之间弗洛里赫金斯参数(Flory-Huggins)极大，且相容性极低；无规聚合物由所述嵌段聚合物的单体和环氧甲基丙烯酸酯类单体通过自由基聚合得到，该类无规聚合物对上述嵌段聚合物的嵌段呈中性。本发明的嵌段聚合物，涂布于交联后的无规聚合物中性层上后经过退火热处理就能形成垂直于基片的相分离结构，生产效率提高；且能形成20nm以下尺寸范围的图案；同时，本发明提供的嵌段聚合物和无规聚合物应用于微电子领域图案的转以上，降低了其工艺要求及生产成本。
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公开(公告)号：CN107586370A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710737408.0
申请日：2017-08-24
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司
IPC分类号： C08F297/02 , C08F212/36 , C08F220/24 , C08F220/32 , C08F220/18 , G03F7/00
摘要： 本发明高分子化合物合成与应用，具体地，本发明涉及可用于定向自组装的嵌段聚合物及无规聚合物及其制备方法和自组装方法。嵌段聚合物通过阴离子聚合得到且嵌段之间不具有相容性；由所述嵌段聚合物的单体和环氧甲基丙烯酸酯类单体通过自由基聚合得到，该类无规聚合物对上述嵌段聚合物的嵌段呈中性。本发明的嵌段聚合物，涂布于交联后的无规聚合物中性层上后无需退火热处理就能形成垂直于基片的相分离结构，生产效率提高；且能形成20~100nm尺寸范围的图案，形成图案的尺寸范围扩大；同时，本发明提供的嵌段聚合物和无规聚合物应用于微电子领域图案的转以上，降低了其工艺要求及生产成本。
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公开(公告)号：CN103309160B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201310277171.4
申请日：2013-07-03
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/30 , G03F7/322 , G03F7/38 , G03F7/40
摘要： 本发明提供一种新型负性化学放大光刻胶及其成像方法，该负性化学放大光刻胶含有苯酚类树脂、光致产酸剂、交联剂、碱性添加剂、敏化剂和光刻胶溶剂。其中苯酚类树脂是所述新型负性化学放大光刻胶的主体材料，光致产酸剂是在光照时能够产生一定强度的酸，交联剂能够与酚羟基或邻/对位羟甲基官能团发生缩和反应。在所述新型负性化学放大光刻胶成像方法中包括涂布、烘烤、曝光、烘烤和显影等步骤。本发明所述的化学放大负性光刻胶，可以有效提高光刻胶的分辨率及感光速度，同时与正性光刻胶所用的试剂相同，适用于高档集成电路、平板显示及半导体照明芯片制造等领域。
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