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公开(公告)号:CN115793391A
公开(公告)日:2023-03-14
申请号:CN202211513745.9
申请日:2022-11-29
申请人: 北京科华微电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
摘要: 本申请提供一种光刻胶及其应用,属于半导体及集成电路技术领域。光刻胶包括10wt%~30wt%酚醛树脂、2wt%~10wt%重氮萘醌感光剂和0.1wt%~10wt%添加剂。本申请在重氮萘醌型光刻胶中加入含卤素的添加剂,添加剂能够和光刻胶中的其他成分相互作用,从而提高光刻胶的光敏感度,且能够使得光刻胶具有较好的光刻性能,具体表现为侧壁较垂直的形貌。
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公开(公告)号:CN115877662A
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN202211649375.1
申请日:2022-12-21
申请人: 北京科华微电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
摘要: 本申请提供一种倒梯形正性光刻胶,属于光刻技术领域。倒梯形正性光刻胶按质量百分比计包括:20%~40%的线性酚醛树脂、≤5%的重氮萘醌类感光剂、≥1.5%的溶解促进剂以及50%~80%的溶剂;其中,线性酚醛树脂为聚合单体包括间甲酚、对甲酚和3,5‑二甲酚的酚醛树脂,线性酚醛树脂的结构式如以下式I所示。该光刻胶采用特定结构的线性酚醛树脂,配合特定质量比例的溶解促进剂和具有强抑制性的重氮萘醌类感光剂,能够有效地形成易于剥离的、倒梯形的正性光刻胶,光刻胶在室温下通过丙酮、丙二醇甲醚醋酸酯等一般的有机溶剂即可有效实现去胶,使得去胶的工艺更简单、成本更低。
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公开(公告)号:CN115850623A
公开(公告)日:2023-03-28
申请号:CN202211664332.0
申请日:2022-12-23
申请人: 北京科华微电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
摘要: 本申请提供一种酚醛树脂及光刻胶,属于光刻技术领域。酚醛树脂包括指定酚同醛缩合而成的产物,指定酚包括第一类酚和第二类酚,第一类酚的结构式如式I所示,第二类酚包括甲酚、二甲酚和三甲酚中的至少一种。光刻胶包括上述酚醛树脂,该酚醛树脂在有效改善光刻胶的感光速度的同时,能使得光刻胶保持较好的耐热性能和形貌。
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公开(公告)号:CN117724293A
公开(公告)日:2024-03-19
申请号:CN202311785408.X
申请日:2023-12-22
申请人: 北京科华微电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司
摘要: 本发明涉及光刻胶技术领域,尤其是涉及一种KrF负性光刻胶及其制备方法和图案化方法。KrF负性光刻胶,包括按质量百分数计的如下组分:对羟基苯乙烯‑苯乙烯共聚物树脂10%~30%、产酸剂0.1%~5%、交联剂0.8%~5%和溶剂70%~90%;所述交联剂包括醚化的多苯基交联剂和/或醚化的三聚氰胺类交联剂;所述产酸剂包括二芳基碘鎓盐和/或三芳基硫鎓盐。本发明通过使用对羟基苯乙烯‑苯乙烯共聚物树脂、产酸剂、交联剂和溶剂组分的组合,并采用合适的比例,能够得到具有超高分辨率、倒梯形形貌的KrF负性光刻胶,可将应用于Lift Off工艺制程的KrF负性光刻胶的分辨率提高至140nm。
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