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公开(公告)号：CN118905246A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411037075.7
申请日：2024-07-31
申请人： 北京科技大学
摘要： 本发明公开了一种高导电石墨烯铜复合材料的增材制造方法，涉及复合材料制造的技术领域，本发明旨在解决石墨烯铜复合材料制备过程中材料浪费和石墨烯层状均匀分散的问题，本发明包括有以下步骤：S1：配料，将石墨烯粉末与铜粉末进行混合，得到石墨烯铜混合粉末；S2：SLM式3D打印，将步骤S1中混合后的石墨烯铜混合粉末装入3D打印设备粉仓内，设定激光功率、扫描速度，进行SLM选区激光熔化，并按照计算机生成的预加工件三维模型进行加工，在基板上进行打印；S3：线切割，运用线切割的方式对打印好的石墨烯铜复合材料工件进行线切割，得到高导电石墨烯铜复合材料。
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公开(公告)号：CN118900539A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411037684.2
申请日：2024-07-31
申请人： 北京科技大学
IPC分类号： H05K7/20
摘要： 本发明公开了一种高导热导电氮化硼铜复合材料的制备方法，涉及复合材料制造的技术领域，本发明旨在解决制备出结合良好、高导热导电性能的六方氮化硼铜复合材料的问题，本发明包括有以下步骤：S1：在铜箔的两侧表面上沉积多层六方氮化硼以形成单元材料六方氮化硼包覆铜箔；S2：将步骤S1中生成的所述六方氮化硼包覆铜箔置于热压腔室内，并且所述六方氮化硼包覆铜箔不少于两块，将不少于两块的所述六方氮化硼包覆铜箔叠层后放入热压模具中，采用叠层热压工艺，将六方氮化硼包覆铜箔叠层热压成型，以得到高导热导电的氮化硼铜复合材料。
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公开(公告)号：CN118910548A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411037292.6
申请日：2024-07-31
申请人： 北京科技大学
摘要： 本发明公开了一种高导电石墨烯铜复合材料的制备方法，涉及复合材料制备的技术领域，本发明旨在解决对石墨烯铜的界面结构进行调控，改善石墨烯铜界面粘附力弱的问题，本发明包括有如下步骤：S1：将石墨烯包覆的铜箔放置进磁控溅射腔室内；S2：以纯铜靶材为铜源，对石墨烯包覆的铜箔进行磁控溅射处理，在石墨烯包覆的铜箔表面溅射一层铜，制成镀铜处理的石墨烯包覆铜箔；S3:将多层步骤S2中制成的所述镀铜处理的石墨烯包覆铜箔放置进热压腔室内，设定适当的热压温度和压强，利用叠层热压法对镀铜处理的石墨烯包覆铜箔进行热压成形，以得到高导电石墨烯铜复合材料。
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公开(公告)号：CN118756123A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410808303.X
申请日：2024-06-21
申请人： 北京科技大学
摘要： 本发明公开了一种化学镀制备高导电石墨烯铜复合材料的方法，涉及复合材料的技术领域，本发明旨在解决对石墨烯/铜的界面结构进行调控，以改善石墨烯界面粘附力弱的问题，本发明具有以下步骤：S1：将石墨烯包覆铜箔放入进化学镀槽内，再向化学镀槽内加入化学镀液；S2：采用化学镀工艺，通过步骤S1中所述化学镀液对所述石墨烯包覆铜箔进行化学镀处理，使所述石墨烯包覆铜箔的表面沉积一层铜，以生成镀铜处理石墨烯包覆铜箔；S3：将步骤S2中生成的所述镀铜处理石墨烯包覆铜箔置于热压腔室内，并将多块所述镀铜处理石墨烯包覆铜箔多层叠放，利用热压工艺将多层所述镀铜处理石墨烯包覆铜箔热压成型，以得到高导电石墨烯铜复合材料。
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