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发明公开
一种提高碳化硅单晶生长速率的方法审中-实审

公开(公告)号：CN117166057A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311067685.7

申请日：2023-08-23

申请人： 北京科技大学

发明人： 郭中楠 , 郭玲玲 , 袁文霞

IPC分类号： C30B29/36 , C30B15/00

摘要： 本发明公开了一种提高碳化硅单晶生长速率的方法，该方法是基于多元相图，通过稀土元素Ce的含量控制助溶液中碳的溶解度。在液相法生长碳化硅晶体过程中采用Si‑Cr‑Ce三元助溶熔体，将三元助溶熔体中Si的含量固定为60％，Ce含量为6％～12％，以此控制碳化硅单晶的生长速率。本发明设计的助溶液在保证单晶稳定生长的同时，能够显著提升单晶生长速率，利用高Ce含量助溶液生长碳化硅单晶的生长速率可达150μm/h。此外，该助溶液能够实现在相对较低的1700至1850℃温区生长碳化硅晶体。在液相法生长碳化硅单晶的过程中，以多元相图为指导，利用调节Ce的成分优化设计助溶液，在实现晶体稳态生长的同时，提升晶体生长速率，并降低生长温度，从而达到节约能耗的目的。