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公开(公告)号:CN114481040A
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN202111587268.6
申请日:2021-12-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可真空原位监测激光工艺参数的激光脉冲沉积系统及方法,该系统包括脉冲激光光源、光路结构、真空原位激光能量监测模块和真空沉积模块;真空沉积模块包括真空腔室,其设置有入射筒,入射筒一端与真空腔室连通,另一端设置有入射窗;脉冲激光光源发出的激光经光路结构,通过入射窗和入射筒入射至真空腔室内;真空原位激光能量监测模块用于按照需求监测激光工艺参数。本发明通过真空线缆贯穿件和磁力传递杆控制真空腔室内能量监测探头原位监测真空内激光能量、频率、波长、平均功率等工艺参数,保证相同体系加工在不同时间和批次加工过程中激光保持相同的真空内能量,实现对外延薄膜的稳定可靠加工和工艺稳定性。
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公开(公告)号:CN118136901A
公开(公告)日:2024-06-04
申请号:CN202410271317.2
申请日:2024-03-11
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了钙钛矿基纳米复相离子导体薄膜材料及其制备方法;离子导体薄膜材料由钙钛矿基纳米复相结构组成,钙钛矿基纳米复相结构由钙钛矿纳米柱与岩盐结构纳米柱间隔、重复排列形成;所述钙钛矿纳米柱与所述岩盐结构纳米柱之间具有共格界面;钙钛矿纳米柱作为与离子导体薄膜材料表面垂直的面外离子传输通道;其中,钙钛矿纳米柱为钛酸铋钠钙钛矿基离子导体,或锆酸锶钙钛矿基离子导体;岩盐结构纳米柱为氧化镁或氧化镍;制备方法包括:S1、钙钛矿基纳米复相结构原料依照设定比例混合,制备陶瓷靶材;S2、以步骤S1获得的陶瓷靶材为原料,以Nb掺杂的钛酸锶为基底,利用脉冲激光法在基底上沉积钙钛矿基纳米复相离子导体薄膜材料。
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公开(公告)号:CN118125820A
公开(公告)日:2024-06-04
申请号:CN202410247370.9
申请日:2024-03-05
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/475 , C23C14/28 , C23C14/14 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种层状周期性可调的铋基氧离子导体薄膜材料及其制备方法。层状周期性可调的铋基氧离子导体薄膜材料具有由多个层状结构重复排列形成的层状周期性结构,其中,层状结构包括依次排列的一个铋氧层和多个钙钛矿层;层状周期性可调的铋基氧离子导体薄膜材料的制备方法包括以下步骤:S1、制备钙钛矿陶瓷靶材;S2、处理基底;S3、将钙钛矿陶瓷靶材与基底设置在高真空脉冲激光沉积系统中进行脉冲激光沉积,得到层状周期性可调的铋基氧离子导体薄膜材料。本发明实施例公开的层状周期性可调的铋基氧离子导体薄膜材料,具有原子级平整表面,物理性能好,具有优异的低温离子导电性能,应用范围广。
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