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公开(公告)号：CN119538703A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411417541.4
申请日：2024-10-11
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G06F30/27 , G16C60/00 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种基于物理信息神经网络的惯性微系统热力耦合分析方法，包括S1、设置惯性微系统的材料参数和边界条件，建立热力耦合分析模型；S2、电热耦合分析获得惯性微系统的温度分布；S3、热力耦合仿真分析获得微系统的热应力分布；S4、通过物理信息神经网络预测微系统的温度场；S5、温度场作为微系统力学仿真的边界条件，得到微系统的应力应变等力学性能；S6、力电耦合仿真分析，分析结构形变对电性能中各参数影响。本发明通过改进的自适应权值策略提高神经网络求解精度，将完备多项式基函数与神经网络相结合，引入展开基函数减少状态维度，减少了计算成本及时间，实现对微系统多时刻温度场的准确预测，计算电热力多物理场耦合下微系统性能。
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公开(公告)号：CN119714290A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411928274.7
申请日：2024-12-25
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明涉及一种智能多源自主导航系统，属于导航与制导领域。该系统包括：多源感知测量模块，集成多种导航传感器，输出用于导航定位的观测量；信息处理模块，接收多种导航传感器的观测量，采用对应的导航解算算法，得到载体的导航定位信息，单一导航传感器及其对应的导航解算算法的组合记为单一导航信息源；根据导航任务需求，对各单一导航信息源输出的导航定位信息进行评估，得到当前任务和当前场景下的最优导航信息源配置方案，从存储的导航算法库筛选出适用于最优导航信息源配置的最优信息融合算法，采用最优信息融合算法对最优导航信息源的输出进行多源融合，得到优化的导航定位结果。
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公开(公告)号：CN115497896A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211059112.5
申请日：2022-08-31
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: H01L23/473 , H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种带微流道封装基板及其制备方法，所述带微流道封装基板包括硅基板和位于硅基板上表面的布线层；硅基板包括键合连接的上层硅片、中间层玻璃片和下层硅片；上层硅片、下层硅片和中间层玻璃片具有相互连通的区域，形成密封的流道结构，下层硅片的下方加工有连通密封流道结构的入口和出口；上层硅片和下层硅片的TSV结构相对，中间层玻璃片上加工有纵向通孔结构，形成对应TSV结构的接触窗口，接触窗口内表面制备有图形化电极互联线；TSV结构和互联电极结构实现电信号的垂直互连，布线层实现X和Y方向电信号的平面互连。本发明制备的硅基封装基板可以在上、下表面布线，同时满足集成微系统三维电互联和芯片散热需求。
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公开(公告)号：CN115497896B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202211059112.5
申请日：2022-08-31
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: H01L23/473 , H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种带微流道封装基板及其制备方法，所述带微流道封装基板包括硅基板和位于硅基板上表面的布线层；硅基板包括键合连接的上层硅片、中间层玻璃片和下层硅片；上层硅片、下层硅片和中间层玻璃片具有相互连通的区域，形成密封的流道结构，下层硅片的下方加工有连通密封流道结构的入口和出口；上层硅片和下层硅片的TSV结构相对，中间层玻璃片上加工有纵向通孔结构，形成对应TSV结构的接触窗口，接触窗口内表面制备有图形化电极互联线；TSV结构和互联电极结构实现电信号的垂直互连，布线层实现X和Y方向电信号的平面互连。本发明制备的硅基封装基板可以在上、下表面布线，同时满足集成微系统三维电互联和芯片散热需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116588892A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310307234.X
申请日：2023-03-27
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明公开了一种MEMS气体传感器晶圆级封装微加热板，包括上层硅片和下层硅片；上层硅片和下层硅片相互键合，上层硅片和下层硅片之间形成气敏反应腔；上层硅片设有气体通路，气体通路连通外部环境和气敏反应腔；下层硅片的正面设有微加热板，微加热板位于气敏反应腔中，下层硅片的背面设有背面植球。本发明还公开上述微加热板的其制造方法，本发明方法简单，能够有效减小气体传感器晶圆级封装微加热板尺寸。
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公开(公告)号：CN114975318A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210472027.5
申请日：2022-04-29
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: H01L23/473 , H01L21/50 , B81C3/00 , B81C1/00
Abstract: 本申请涉及一种内嵌微流道的三维集成硅基惯性微系统及其制造方法，包括包括依次电连接的第一无源转接板、第二无源转接板、第三无源转接板、第四无源转接板，第二无源转接板朝向第三无源转接板的表面电连接有第一有源芯片，第三无源转接板开设有容置第一有源芯片的空腔，第四无源连接板设置有第二有源芯片，第一无源转接板、第二无源转接板、第三无源转接板、第四无源转接板依次设置第一散热系统、第二散热系统、第三散热系统、第四散热系统；第一散热系统包括开设于第一无源转接板表面的两个底部凹槽、连通两个底部凹槽的腔体，第二散热系统、第三散热系统与第四散热系统贯通，并分别与两个底部凹槽贯通，形成散热微流道。提高了散热效果。
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公开(公告)号：CN113916255B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202111015153.X
申请日：2021-08-31
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 用于辐照试验的MEMS惯性器件精确定位结构制作方法，先制作衬底，然后制作敏感结构，最后制作盖板，盖板上采用氢氧化钾湿法腐蚀硅片的方式形成辐照窗口，得到辐照屏蔽结构，该辐照屏蔽结构的位置需要正对着要进行辐照试验的敏感结构。本发明能够实现MEMS惯性器件微机械结构的精确定位，并通过硅片自身厚度差异实现不同剂量辐照实验。
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公开(公告)号：CN113916255A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111015153.X
申请日：2021-08-31
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 用于辐照试验的MEMS惯性器件精确定位结构制作方法，先制作衬底，然后制作敏感结构，最后制作盖板，盖板上采用氢氧化钾湿法腐蚀硅片的方式形成辐照窗口，得到辐照屏蔽结构，该辐照屏蔽结构的位置需要正对着要进行辐照试验的敏感结构。本发明能够实现MEMS惯性器件微机械结构的精确定位，并通过硅片自身厚度差异实现不同剂量辐照实验。
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公开(公告)号：CN112255526A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202010942379.3
申请日：2020-09-09
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01R31/28 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供了一种铜填充硅通孔电迁移测试结构制备方法及测试方法，该方法将具有TSV菊花链测试结构的测试芯片，通过贴片胶及键合金丝连接至印制电路板；对载有测试芯片的印制电路板进行冷镶嵌，并通过磨抛获得TSV菊花链结构横截面，完成测试结构的制备；将测试结构放入管式炉中，向管式炉内通入保护气体；通过导线连接印制电路板的焊盘与直流电源，使测试结构处于通电状态，通过控制两端导线与电源连接的正负极来控制电流方向，通过控制通电电流的大小及TSV直径来控制电流密度，获得具有特定电流方向及特定电流密度的电流；测试期望通过对电流作用下铜填充TSV的显微组织演变行为进行表征，最终达到深入评价电流作用下铜填充TSV电迁移可靠性的目的。
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