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公开(公告)号：CN112885964B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202110120943.8
申请日：2021-01-28
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
Abstract: 本发明的一种多场调控忆阻器及其制备方法，多场调控忆阻器，为三层结构的RRAM，包括顶部电极、介电材料、底部电极、基底；顶部电极与底部电极具有不对称性，以金属作顶部电极，以MXene‑ZnO异质结材料作为介电材料，以氧化铟锡作底部电极，以玻璃片或聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚二甲基硅氧烷作为基底。本发明用MXene‑ZnO为RRAM单元中的存储介质层材料，以旋涂的方式制备MXene‑ZnO层。通过用ZnO纳米颗粒原位修饰MXene纳米片，合成的异质结材料具有良好的绝缘性能、亲水性能和光学性能。本发明可实现基于电场、光场和湿度场调控电导态，同时具有制作工艺简单、大开关比、高存储密度、高稳定性等性能优点，因此具有良好的应用前景，能广泛应用于生活中多个领域。
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公开(公告)号：CN113278930A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110449959.3
申请日：2021-04-25
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
Abstract: 本发明公开了一种纳米团簇的束流密度控制装置及其使用方法，包括冷凝腔、差分真空腔和沉积腔，所述冷凝腔内设置有气管、溅射枪和液氮喷管，所述冷凝腔内设置有罗茨泵，所述差分真空腔和沉积腔内均设置有分子泵，所述冷凝腔和差分真空腔之间设置有气动力喷头。本发明通过设置束流密度控制装置，即束流分流通道和用于调节束流分流通道的控制装置，便于对团簇束流的沉积密度进行调节，使得部分团簇束流分离或走额外的通道进行沉积，从而增大沉积间隙，达到控制密度的目的。
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公开(公告)号：CN112993157A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110155752.5
申请日：2021-02-04
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明的一种水平结构的忆阻器及均一性优化方法，包括双端水平电极、介电材料、基底；其中，双端水平电极具有对称性，采用金属作电极，以钙钛矿微米棒材料作为介电材料，以表面有SiO2的硅片、玻璃片、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯这些作为基底。本发明的忆阻器均一性优化方法通过清洗、烘干、UVO亲水化处理、钙钛矿微米棒制备、EBL预制水平结构电极、蒸镀及干法转移钙钛矿微米棒得到最终器件；本发明的优化方法利用晶体表面的金属离子迁移活化能较低，为离子迁移提供了最优选的路径，从而在维度上限域CF的形成，提高了器件的稳定性和均一性。
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公开(公告)号：CN114324083B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210011693.9
申请日：2022-01-06
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
Abstract: 本发明涉及在线测试装置，具体涉及一种纳米团簇束流综合沉积在线测试系统，包括测试腔和第一取样腔，第一取样腔上设有沉积腔接口，第一取样腔内部转动连接有衬底座，第一取样腔上连通有纵向取样座、横向取样座，纵向取样座上设有第二取样腔，测试腔内部设有测试机构，纵向取样座、横向取样座内部均设有传样机构，测试机构包括固定于测试腔内部的第一安装座、第二安装座、第三安装座和反射镜，固定于第一安装座上的激光发射器、第一透镜组，固定于第二安装座上的第二透镜组，以及固定于第三安装座上的CCD传感器；本发明提供的技术方案能够有效克服无法有效将样品送入处于真空状态测试腔中的缺陷。
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公开(公告)号：CN114324083A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210011693.9
申请日：2022-01-06
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
Abstract: 本发明涉及在线测试装置，具体涉及一种纳米团簇束流综合沉积在线测试系统，包括测试腔和取样腔，取样腔上设有沉积腔接口，取样腔内部转动连接有衬底座，取样腔上连通有纵向取样座、横向取样座，纵向取样座上设有取样腔，测试腔内部设有测试机构，纵向取样座、横向取样座内部均设有传样机构，测试机构包括固定于测试腔内部的第一安装座、第二安装座、第三安装座和反射镜，固定于第一安装座上的激光发射器、第一透镜组，固定于第二安装座上的第二透镜组，以及固定于第三安装座上的CCD传感器，第一透镜组、第二透镜组、反射镜形成光路并入射至CCD传感器；本发明提供的技术方案能够有效克服无法有效将样品送入处于真空状态测试腔中的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113373418A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110664482.0
申请日：2021-06-16
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明公开了一种用于制备纳米团簇的磁控溅射阴极靶，包括连接杆、与连接杆一端设置磁钢的靶头、密封套设在靶头外的靶罩，所述靶头内设置有空腔，所述靶头端部固定有阴极溅射板，所述靶罩与靶头密封固定时所述阴极溅射板露出；所述靶罩上环设有与若干个与靶罩连通的喷口，所述靶头上设置有进气接口，所述靶头内部设置有与进气接口连通的均气机构。设置靶头内部的均气机构可以将通入的氦气均匀分散在靶头内部。环设在靶罩上的若干个喷口保证氦气可以从靶罩各个方向喷出，以保证溅射的氩离子可以尽可能多的向样品基片方向运动，保证覆膜速度。
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公开(公告)号：CN113699493B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202111003983.0
申请日：2021-08-30
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明公开了一种实现宽幅纳米颗粒束流的团簇束流沉积设备，包括中心溅射靶枪和侧溅射靶枪，所述中心溅射靶枪连接有驱动其旋转的驱动机构；所述中心溅射靶枪上固定套设有中心齿轮，所述中心齿轮啮合有行星齿轮，所述行星齿轮啮合有内齿圆；所述行星齿轮的中部套设有套筒，所述套筒采用圆管型结构。本发明通过设置中心齿轮，中心齿轮啮合有行星齿轮，行星齿轮啮合有内齿圆，中心齿轮转动后会带动行星齿轮沿着内齿圆圆周运动，从而实现侧溅射靶枪圆周溅射与中心溅射靶枪的溅射外圈重合。本发明通过设置溅射靶调节机构，通过带动齿条与齿轮的啮合实现套筒内侧溅射靶枪的偏转，但不宜偏转较大，否则容易造成溅射局部不均匀。
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公开(公告)号：CN113699493A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111003983.0
申请日：2021-08-30
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明公开了一种实现宽幅纳米颗粒束流的团簇束流沉积设备，包括中心溅射靶枪和侧溅射靶枪，所述中心溅射靶枪连接有驱动其旋转的驱动机构；所述中心溅射靶枪上固定套设有中心齿轮，所述中心齿轮啮合有行星齿轮，所述行星齿轮啮合有内齿圆；所述行星齿轮的中部套设有套筒，所述套筒采用圆管型结构。本发明通过设置中心齿轮，中心齿轮啮合有行星齿轮，行星齿轮啮合有内齿圆，中心齿轮转动后会带动行星齿轮沿着内齿圆圆周运动，从而实现侧溅射靶枪圆周溅射与中心溅射靶枪的溅射外圈重合。本发明通过设置溅射靶调节机构，通过带动齿条与齿轮的啮合实现套筒内侧溅射靶枪的偏转，但不宜偏转较大，否则容易造成溅射局部不均匀。
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公开(公告)号：CN112885964A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110120943.8
申请日：2021-01-28
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
Abstract: 本发明的一种多场调控忆阻器及其制备方法，多场调控忆阻器，为三层结构的RRAM，包括顶部电极、介电材料、底部电极、基底；顶部电极与底部电极具有不对称性，以金属作顶部电极，以MXene‑ZnO异质结材料作为介电材料，以氧化铟锡作底部电极，以玻璃片或聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚二甲基硅氧烷作为基底。本发明用MXene‑ZnO为RRAM单元中的存储介质层材料，以旋涂的方式制备MXene‑ZnO层。通过用ZnO纳米颗粒原位修饰MXene纳米片，合成的异质结材料具有良好的绝缘性能、亲水性能和光学性能。本发明可实现基于电场、光场和湿度场调控电导态，同时具有制作工艺简单、大开关比、高存储密度、高稳定性等性能优点，因此具有良好的应用前景，能广泛应用于生活中多个领域。
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公开(公告)号：CN113758990B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202111004489.6
申请日：2021-08-30
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
Abstract: 本发明公开了一种用于团簇束流综合沉积的反射式TOF装置，包括：团簇离子加速装置，所述团簇离子加速装置包括第一加速电极和第二加速电极，其中第一加速电极对团簇离子施加脉冲高压并作起始信号A，使团簇离子向第一反射装置偏转并被初加速，其中第二加速电极使团簇离子被加速2‑5keV；第一飞行通道，所述第一飞行通道与团簇离子加速装置的输出端连通，加速后的团簇离子在第一飞行通道内自由飞行。本发明通过设置团簇离子加速装置，其中第一加速电极对团簇离子施加脉冲高压并作起始信号，使团簇离子向第一反射装置偏转并被初加速，其中第二加速电极使团簇离子被加速2‑5keV，保证了团簇离子的速度差异较小。
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