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公开(公告)号：CN112885964B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202110120943.8
申请日：2021-01-28
摘要： 本发明的一种多场调控忆阻器及其制备方法，多场调控忆阻器，为三层结构的RRAM，包括顶部电极、介电材料、底部电极、基底；顶部电极与底部电极具有不对称性，以金属作顶部电极，以MXene‑ZnO异质结材料作为介电材料，以氧化铟锡作底部电极，以玻璃片或聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚二甲基硅氧烷作为基底。本发明用MXene‑ZnO为RRAM单元中的存储介质层材料，以旋涂的方式制备MXene‑ZnO层。通过用ZnO纳米颗粒原位修饰MXene纳米片，合成的异质结材料具有良好的绝缘性能、亲水性能和光学性能。本发明可实现基于电场、光场和湿度场调控电导态，同时具有制作工艺简单、大开关比、高存储密度、高稳定性等性能优点，因此具有良好的应用前景，能广泛应用于生活中多个领域。
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公开(公告)号：CN113488588A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110608381.1
申请日：2021-06-01
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了一种由自组装异质结材料作为存储介质层构建的忆阻器及其制备方法，该忆阻器的存储介质层由自组装异质结材料制备而成；自组装异质结材料包括钙钛矿量子点和二维纳米材料，其制备方法为：分别配置二维纳米材料分散液和零维量子点材料分散液，将二维纳米材料分散液和零维量子点材料分散液混合后进行超声处理，通过超声诱导零维量子点材料在二维纳米材料上自组装，最后通过旋涂制得。本发明利用自组装异质结材料中非共价键的弱相互作用，对导电细丝的形成或断裂行为进行物理约束，从而实现电压控制的忆阻器，同时异质结结构材料中较长的电流衰减时间，进一步降低了器件的工作能耗，提高了忆阻器的功能性和实用性。
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公开(公告)号：CN112993157A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110155752.5
申请日：2021-02-04
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明的一种水平结构的忆阻器及均一性优化方法，包括双端水平电极、介电材料、基底；其中，双端水平电极具有对称性，采用金属作电极，以钙钛矿微米棒材料作为介电材料，以表面有SiO2的硅片、玻璃片、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯这些作为基底。本发明的忆阻器均一性优化方法通过清洗、烘干、UVO亲水化处理、钙钛矿微米棒制备、EBL预制水平结构电极、蒸镀及干法转移钙钛矿微米棒得到最终器件；本发明的优化方法利用晶体表面的金属离子迁移活化能较低，为离子迁移提供了最优选的路径，从而在维度上限域CF的形成，提高了器件的稳定性和均一性。
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公开(公告)号：CN114045468B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202111283138.3
申请日：2021-11-01
摘要： 本发明公开了一种薄膜沉积设备、物理气相沉积装置以及薄膜沉积方法，薄膜沉积设备包括用于提供薄膜沉积环境的薄膜沉积腔体，用于固定基片且可实现X、Y、Z三维移动，360度连续旋转并调整角度的样品架，用于在所述基片上沉积薄膜且可伸缩并调整角度的若干沉积模块，用于监测薄膜的生长过程和状态的反馈模块，以及用于接收所述反馈模块的反馈信息并根据所述反馈信息对所述沉积模块和/或样品架进行控制的控制模块。该薄膜沉积设备可实现薄膜沉积和反应参数的自动调整，对沉积条件进行优化，可以自动调节薄膜的生长调节和反应条件从而制备高质量的薄膜，并针对特点的材料选择最优的沉积条件，实现薄膜沉积过程的闭环控制，获得高性能沉积薄膜。
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公开(公告)号：CN114045468A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111283138.3
申请日：2021-11-01
摘要： 本发明公开了一种薄膜沉积设备、物理气相沉积装置以及薄膜沉积方法，薄膜沉积设备包括用于提供薄膜沉积环境的薄膜沉积腔体，用于固定基片且可实现X、Y、Z三维移动，360度连续旋转并调整角度的样品架，用于在所述基片上沉积薄膜且可伸缩并调整角度的若干沉积模块，用于监测薄膜的生长过程和状态的反馈模块，以及用于接收所述反馈模块的反馈信息并根据所述反馈信息对所述沉积模块和/或样品架进行控制的控制模块。该薄膜沉积设备可实现薄膜沉积和反应参数的自动调整，对沉积条件进行优化，可以自动调节薄膜的生长调节和反应条件从而制备高质量的薄膜，并针对特点的材料选择最优的沉积条件，实现薄膜沉积过程的闭环控制，获得高性能沉积薄膜。
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公开(公告)号：CN113506850A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110609349.5
申请日：2021-06-01
摘要： 本发明公开了一种具有非单调变化电阻态的忆阻器在碰撞预测中的应用，该忆阻器的介电层材质为可光调控的介电材料；在光信号刺激下，忆阻器的电阻态呈现非单调变化。本发明利用忆阻器对光强大小具有电学响应性，通过光照产生的瞬态焦耳热对CF的几何形状的改变实现忆阻器电阻态的动态调控，从而识别出运动光源的远近，并对即将发生的碰撞行为进行预测，有效的将光学信号的感知和处理整合在单一忆阻器中，解决由于现有移动机器人的计算体系复杂引起的一系列问题。此外，本发明基于忆阻器焦耳热效应构建的碰撞预测方法同时具有成本低、稳定性高、操作简单等优点，因此具有良好的应用前景，能广泛应用于移动机器人系统的智能碰撞预测。
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公开(公告)号：CN113488588B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202110608381.1
申请日：2021-06-01
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了一种由自组装异质结材料作为存储介质层构建的忆阻器及其制备方法，该忆阻器的存储介质层由自组装异质结材料制备而成；自组装异质结材料包括钙钛矿量子点和二维纳米材料，其制备方法为：分别配置二维纳米材料分散液和零维量子点材料分散液，将二维纳米材料分散液和零维量子点材料分散液混合后进行超声处理，通过超声诱导零维量子点材料在二维纳米材料上自组装，最后通过旋涂制得。本发明利用自组装异质结材料中非共价键的弱相互作用，对导电细丝的形成或断裂行为进行物理约束，从而实现电压控制的忆阻器，同时异质结结构材料中较长的电流衰减时间，进一步降低了器件的工作能耗，提高了忆阻器的功能性和实用性。
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公开(公告)号：CN113506850B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202110609349.5
申请日：2021-06-01
摘要： 本发明公开了一种具有非单调变化电阻态的忆阻器在碰撞预测中的应用，该忆阻器的介电层材质为可光调控的介电材料；在光信号刺激下，忆阻器的电阻态呈现非单调变化。本发明利用忆阻器对光强大小具有电学响应性，通过光照产生的瞬态焦耳热对CF的几何形状的改变实现忆阻器电阻态的动态调控，从而识别出运动光源的远近，并对即将发生的碰撞行为进行预测，有效的将光学信号的感知和处理整合在单一忆阻器中，解决由于现有移动机器人的计算体系复杂引起的一系列问题。此外，本发明基于忆阻器焦耳热效应构建的碰撞预测方法同时具有成本低、稳定性高、操作简单等优点，因此具有良好的应用前景，能广泛应用于移动机器人系统的智能碰(56)对比文件文常保;姚世朋;朱玮;洪吉童;巨永锋.一种基于忆阻器的大测量范围新型曝光量传感器.传感技术学报.2017,(第07期),全文.
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公开(公告)号：CN113488538A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110600728.8
申请日：2021-05-31
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/24 , H01L21/34
摘要： 本发明公开了一种场效应管及其制造方法以及场效应管的工作方法，该场效应管包括场效应管本体，其中，所述场效应管本体采用二氧化钒材料形成且其中掺杂有氢离子；栅极，所述栅极设于所述场效应管本体的上端面；源极以及漏极，所述源极设于所述场效应管本体的第一侧面，所述漏极设于所述场效应管本体的第二侧面，其中，所述第二侧面与所述第一侧面相对。本发明中的场效应管具有开关比更高、开关速度更快、功耗更低的优势，利于推动半导体器件的发展。
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公开(公告)号：CN112885964A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110120943.8
申请日：2021-01-28
摘要： 本发明的一种多场调控忆阻器及其制备方法，多场调控忆阻器，为三层结构的RRAM，包括顶部电极、介电材料、底部电极、基底；顶部电极与底部电极具有不对称性，以金属作顶部电极，以MXene‑ZnO异质结材料作为介电材料，以氧化铟锡作底部电极，以玻璃片或聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚二甲基硅氧烷作为基底。本发明用MXene‑ZnO为RRAM单元中的存储介质层材料，以旋涂的方式制备MXene‑ZnO层。通过用ZnO纳米颗粒原位修饰MXene纳米片，合成的异质结材料具有良好的绝缘性能、亲水性能和光学性能。本发明可实现基于电场、光场和湿度场调控电导态，同时具有制作工艺简单、大开关比、高存储密度、高稳定性等性能优点，因此具有良好的应用前景，能广泛应用于生活中多个领域。
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