公开(公告)号：CN115403000A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210926159.0

申请日：2022-08-03

申请人： 北京遥测技术研究所 ,  航天长征火箭技术有限公司

发明人： 许姣 ,  杨健 ,  陈昱璠 ,  郝文昌 ,  张洪涛 ,  张晓永 ,  刘红 ,  尹玉刚 ,  彭泳卿

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  G01L1/14 ,  G01L9/12

摘要： 本发明提供一种高温绝缘真空腔体及其制备方法，包括第一晶片、腔体、第二晶片、绝缘层和高温金属吸气剂薄膜。本发明采用绝缘好、耐温高且与晶片热膨胀系数一致的绝缘层作为键合中间层，提高了键合片的高温绝缘性能，避免了绝缘层与晶片材质在高温下由于热膨失配引起键合失效的问题；高温金属吸气剂薄膜附着在腔体内的绝缘层上，不影响两片晶片的键合、绝缘性能，解决了常规块状吸气剂占空间且易产生微小颗粒污染的问题；高温退火工艺一方面增强晶片键合强度，另一方面激活吸气剂，吸收腔体内的残气并维持真空度，使得键合腔体的真空度得到进一步提升。本发明腔体高温绝缘性好且真空度高，满足量程低于100kPa的电容式高温压力传感器的制备需求。