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公开(公告)号：CN110928142B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201911195081.4
申请日：2019-11-28
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于提高光刻厚胶与金属晶圆基底结合力的工艺方法，特别适用于需要通过厚胶光刻作为金属电铸母型的UV‑LIGA工艺过程。过程在于选取一紫外厚胶，采用光刻胶稀释剂稀释紫外厚胶至目标浓度，先在金属基底表面实现5μm以下的薄胶涂覆工艺，通过坚膜热处理增强与金属基底的结合力；再采用二次涂覆同种类型紫外厚胶，并实现单次涂覆厚度10～150μm的厚胶图形光刻；最终通过氧等离子体干法刻蚀工艺，去除金属基底表面首次涂覆及坚膜处理的薄光刻胶膜，获得带有厚胶图形的金属基底晶圆，可用于后续UV‑LGA工艺过程。
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公开(公告)号：CN111649839B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202010524356.0
申请日：2020-06-10
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
IPC分类号： G01K11/26
摘要： 一种非线性自校正的谐振型声表面波温度传感器，包括基片、叉指换能器、第一金属反射栅阵和第二金属反射栅阵。基片上声表面波在相速度传播方向上具有自然单向性，群速度传播方向和相速度传播方向存在能流角PFA，且|PFA|≤10°；叉指换能器、第一金属反射栅阵和第二金属反射栅阵的声孔径方向与相速度传播方向垂直，叉指换能器汇流条方向与能流角PFA方向平行；这样设计的谐振型声表面波温度传感器具有低频和高频两个谐振峰，本发明利用其低频和高频两个特征谐振峰，通过自差分方法，实现传感器的非线性自校正，且保持了单个器件的小体积，同时避免了现有单个谐振器单个谐振峰使用时，频率信号解调受无线通路影响的问题，实现了传感器使用过程中的免校准。
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公开(公告)号：CN112563132A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011267262.6
申请日：2020-11-13
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
IPC分类号： H01L21/321 , H01L21/3105 , H01L21/66
摘要： 本发明提供了一种表面异质结构的快速减薄抛光方法，减薄抛光过程中利用化学试剂改变金属材质的表面状态和性质，降低其分离时所需要的磨削力，控制金属和光刻胶的去除速率在同一水平。该工艺方法摒弃了铸铁盘的纯机械研磨，避免纯粹的物理磨削作用导致的金属结构拉伸变形，有效控制图形尺寸精度以及平面平整度，且其减薄抛光的速率可达2‑3μm/min。
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公开(公告)号：CN110928142A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911195081.4
申请日：2019-11-28
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于提高光刻厚胶与金属晶圆基底结合力的工艺方法，特别适用于需要通过厚胶光刻作为金属电铸母型的UV-LIGA工艺过程。过程在于选取一紫外厚胶，采用光刻胶稀释剂稀释紫外厚胶至目标浓度，先在金属基底表面实现5μm以下的薄胶涂覆工艺，通过坚膜热处理增强与金属基底的结合力；再采用二次涂覆同种类型紫外厚胶，并实现单次涂覆厚度10～150μm的厚胶图形光刻；最终通过氧等离子体干法刻蚀工艺，去除金属基底表面首次涂覆及坚膜处理的薄光刻胶膜，获得带有厚胶图形的金属基底晶圆，可用于后续UV-LGA工艺过程。
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公开(公告)号：CN110625460A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910882311.8
申请日：2019-09-18
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
IPC分类号： B24B7/22 , B24B49/03 , B24B29/02 , B24B37/10 , B24B37/005 , B24B37/30 , H01L21/321 , H01L21/3105 , H01L21/66
摘要： 本发明提供一种晶圆级异质结构的平坦化工艺方法，实现基片表面为异种材质，非单一材质，特别是由金属材质和胶类材质的组成的表面结构的减薄抛光。减薄抛光的主要步骤有机械减薄、机械抛光、化学机械抛光。本发明解决了由于异质结构的硬度、密度不同，造成在平坦化过程中异质结构的切削速率不同，导致晶圆基片表面异质结构的高度差较大问题。采用本发明工艺方法，平坦化后的晶圆基片表面整体平整度可控制在(3～10)μm以内，其表面异质结构间高度差在1μm以内，表面金属材质区域的粗糙度小于1nm。
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公开(公告)号：CN106335871A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610786575.X
申请日：2016-08-30
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00087 , B81C1/00396 , B81C1/00801
摘要： 一种硅基MEMS微纳通孔结构的制作方法，涉及一种硅通孔结构的实现方法领域；在硅衬底材料的正面沉积二氧化硅薄膜并进行通孔图形转移，在硅衬底材料的背面沉积金属薄膜层和涂覆光刻胶薄膜层；二氧化硅薄膜的通孔图形转移采用三氟甲烷RIE干法刻蚀的方法；硅干法刻蚀的前处理步骤包括氧气RIE刻蚀清洗和三氟甲烷RIE干法刻蚀清洗，然后再进行硅的干法深刻蚀；克服现有干法刻蚀(DRIE或ICP)实现硅微纳通孔结构方法的步骤繁杂、效率低、一致性和稳定性差等不足，提出一种新颖的硅通孔结构干法刻蚀微纳实现方法，极大地提高硅通孔结构微纳实现效率的同时也提高了制造精度、一致性和稳定性。
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公开(公告)号：CN112563132B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202011267262.6
申请日：2020-11-13
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
IPC分类号： H01L21/321 , H01L21/3105 , H01L21/66
摘要： 本发明提供了一种表面异质结构的快速减薄抛光方法，减薄抛光过程中利用化学试剂改变金属材质的表面状态和性质，降低其分离时所需要的磨削力，控制金属和光刻胶的去除速率在同一水平。该工艺方法摒弃了铸铁盘的纯机械研磨，避免纯粹的物理磨削作用导致的金属结构拉伸变形，有效控制图形尺寸精度以及平面平整度，且其减薄抛光的速率可达2‑3μm/min。
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公开(公告)号：CN114004038A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111078457.0
申请日：2021-09-15
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
IPC分类号： G06F30/17 , G06F30/23 , G01L9/06 , G06F111/10 , G06F119/08 , G06F119/14
摘要： 本发明提供一种考虑温度影响的压阻式压力传感器设计方法，引入压敏电阻的热零点漂移和热灵敏度漂移进行全温区性能分析，便于进行后续有效温度补偿；热零点漂移和热灵敏度漂移的获得方法为：通过将不同掺杂浓度下电阻率与温度的变化关系、不同掺杂浓度下压阻系数与温度的变化关系输入至有限元软件COMSOL中构建的压阻式压力传感器结构模型中，解算得到静态输出特性曲线和温度漂移特性曲线，并最终得到热零点漂移和热灵敏度漂移。本发明是为了解决压阻式压力传感器设计方法的缺陷，将硅压阻材料的温度特性与有限元仿真软件COMSOL相结合，实现考虑温度影响的压阻式压力传感器的设计，提供全温区压阻式压力传感器的设计方法，为后续有效温补提供重要理论支撑。
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公开(公告)号：CN113114154A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110227486.2
申请日：2021-03-01
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
摘要： 一种横向模式抑制的声表面波谐振器，基片中心位置处设置有叉指换能器，叉指换能器两侧设置有第一金属反射栅阵和第二金属反射栅阵，叉指换能器和第一金属反射栅阵之间形成第一间隙，叉指换能器和第二金属反射栅阵之间形成第二间隙；叉指换能器两端汇流条处均连接输出引线；定义声孔径垂直方向为x轴，叉指换能器、第一金属反射栅阵、第二金属反射栅阵的上方汇流条在同一直线上，且该直线与x轴的夹角为偏向角，能流角在‑10°～+10°之间，偏向角与能流角不重合，且偏向角与能流角的角度差在‑20°～0°或0°～+20°之间。本发明采用与能流角不同的偏向角进行电极布局来抑制横向模式，无需增加复杂的设计和工艺，且可以保持器件的高Q值，提升声表面波谐振器的性能。
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