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公开(公告)号：CN110625460B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910882311.8
申请日：2019-09-18
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
IPC分类号： B24B7/22 , B24B49/03 , B24B29/02 , B24B37/10 , B24B37/005 , B24B37/30 , H01L21/321 , H01L21/3105 , H01L21/66
摘要： 本发明提供一种晶圆级异质结构的平坦化工艺方法，实现基片表面为异种材质，非单一材质，特别是由金属材质和胶类材质的组成的表面结构的减薄抛光。减薄抛光的主要步骤有机械减薄、机械抛光、化学机械抛光。本发明解决了由于异质结构的硬度、密度不同，造成在平坦化过程中异质结构的切削速率不同，导致晶圆基片表面异质结构的高度差较大问题。采用本发明工艺方法，平坦化后的晶圆基片表面整体平整度可控制在(3～10)μm以内，其表面异质结构间高度差在1μm以内，表面金属材质区域的粗糙度小于1nm。
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公开(公告)号：CN112556892B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202011272096.9
申请日：2020-11-13
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种高精度谐振球式压力传感器，包括谐振球(1)和背腔结构(2)，所述谐振球(1)设置于所述背腔结构(2)上表面，所述谐振球(1)功能区嵌入所述背腔结构(2)腔体内，所述谐振球(1)与所述背腔结构(2)在所述背腔结构(2)位置设置有空腔，所述空腔内的所述谐振球(1)和所述背腔结构(2)相对应面上分别设置有电极。谐振球表面电极与背腔结构表面电极成对布置于结构表面上，形成谐振球的驱动电极和检测电极。驱动电极用于将谐振球驱动至相应的振动模态(频率)，检测电极用检测不同压力作用下谐振球频率的变化，进而实现压力的测量。
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公开(公告)号：CN109374157B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201811074265.0
申请日：2018-09-14
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
IPC分类号： G01L1/16
摘要： 一种基于损耗检测的声表面波压力传感器，包括基片、叉指换能器、第一金属反射栅阵和第二金属反射栅阵；基片上中心位置处设置有叉指换能器，叉指换能器的一侧设置有第一金属反射栅阵，另一侧设置有第二金属反射栅阵，叉指换能器和第一金属反射栅阵之间形成间隔，叉指换能器和第二金属反射栅阵形成间隔；叉指换能器两端汇流条处均连接输出引线。本发明压力传感器压力检测方法基于器件的损耗变化，传感器实现过程中无需制备压力参考腔，极大地降低了工艺难度，良品率高，适用于半导体加工的大批量生产。
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公开(公告)号：CN109712879A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811536029.6
申请日：2018-12-14
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/027 , C25D1/10
摘要： 本发明公开了一种用于晶圆干法刻蚀工艺的金属掩膜形成方法，特别适用于单晶碳化硅或石英晶圆刻蚀工艺过程，采用了在晶圆表面制备金属种子层，并通过光刻胶形成光刻胶母型，并利用电铸方法制备电铸金属掩膜。所制备的金属掩膜厚度不受限制，可以从几百纳米至上百微米，大大拓宽了金属掩膜形成的厚度范围，同时避免了湿法腐蚀金属掩膜过程中带来的侧向腐蚀精度差的问题，尤其能够提升较厚刻蚀工艺用金属掩膜的图形精度。
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公开(公告)号：CN105486882B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201510859693.4
申请日：2015-11-30
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
摘要： 本发明涉及一种用于磁流体动力学效应(Magnet‑Hydro‑Dynamics，简称MHD)角速率传感器的检测电路，该检测电路由差分放大、带宽扩展以及带通滤波等功能模块构成，能够有效控制传感器的噪声水平，提高微弱信号检测能力，扩展工作带宽。此外，该检测电路在不增设专门的零位偏置调节模块和零位温度漂移补偿模块的情况下，即可达到抑制传感器零位偏置和零位温度漂移的效果。
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公开(公告)号：CN103973225B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410216042.9
申请日：2014-05-21
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
摘要： 本发明一种高阻抗晶体谐振器串联振荡电路，包括C0补偿单元，与高阻抗晶体谐振器并联，用于实现对高阻抗晶体谐振器静态电容C0的补偿；I‑V转换电路，用于将流出高阻抗晶体谐振器的电流信号转换为电压信号；一个比较电路用于形成方波激励信号，反馈至高阻抗晶体谐振器一端，构成闭环回路；另一个比较电路用于形成方波输出信号，本发明可以方便而准确的实现对高阻抗晶体谐振器静态电容C0的补偿，对于高阻抗晶体谐振器的激振有很好的效果，同时电路调试方法简单，功耗较小，提供方波输出，方便与数字系统相连。
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公开(公告)号：CN105486882A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510859693.4
申请日：2015-11-30
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
摘要： 本发明涉及一种用于磁流体动力学效应(Magnet-Hydro-Dynamics，简称MHD)角速率传感器的检测电路，该检测电路由差分放大、带宽扩展以及带通滤波等功能模块构成，能够有效控制传感器的噪声水平，提高微弱信号检测能力，扩展工作带宽。此外，该检测电路在不增设专门的零位偏置调节模块和零位温度漂移补偿模块的情况下，即可达到抑制传感器零位偏置和零位温度漂移的效果。
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公开(公告)号：CN109485011A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811409424.8
申请日：2018-11-23
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于Si-Si-Si-玻璃晶圆键合技术的MEMS谐振压力传感器及制造工艺，该MEMS谐振式压力传感器从顶到底的顺序是Si压力敏感层、Si谐振器层、Si坑槽衬底层、玻璃坑槽衬底层，Si压力敏感层与Si谐振器层、Si谐振器层与Si坑槽衬底层采用Si-Si键合工艺键合；Si坑槽衬底层与玻璃坑槽衬底层采用Si-玻璃阳极键合工艺键合。其中Si压力敏感层与Si谐振器层之间有第一SiO2层，Si谐振器层与Si坑槽衬底层之间有第二SiO2层。本发明的MEMS压力传感器，降低了MEMS微纳加工与高真空封装工艺难度、有效消减残余应力与热应力、提高真空参考腔的可靠度和真空度及其及长期维持能力、提高温度补偿准确度，实现压力传感器综合精度及稳定性的提升。
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公开(公告)号：CN107478862A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710567179.2
申请日：2017-07-12
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
IPC分类号： G01P15/097
摘要： 一种基于金金键合的石英振梁加速度计敏感芯片，涉及石英振梁加速度计敏感芯片加工领域；每个敏感芯片包括敏感单元层、上防护单元层和下防护单元层；上防护单元层设置在敏感单元层的上表面，下防护单元层设置在敏感单元层的上表面；敏感单元层上表面安装有第一密封环，下表面固定安装有第二密封环；上防护单元层下表面固定安装有第三密封环；下防护单元层的上表面固定安装有第四密封环；上防护单元层的一侧对称设置有两个方孔；下防护单元层的上表面在对应位置对称设置有两个凸台；本发明有效解决了气密封装与内部电极引出难以兼容的矛盾；同时具有优良的可移植性，可推广至其他以石英、硅、玻璃等材料作为基材的MEMS器件制备工艺中。
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公开(公告)号：CN104133079B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410354452.X
申请日：2014-07-23
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
IPC分类号： G01P15/125
摘要： 本发明涉及一种石英梳齿电容式加速度计的制备方法，该加速度计包括上盖板、下盖板和敏感部件，该方法包括敏感部件的制备、上下盖板的制备以及敏感部件与上下盖板的键合，本发明首次采用石英材料制备梳齿电容式加速度计，并针对加速度计的具体结构对制备方法进行了创新设计，开启石英材料新的用途，且本发明的加速度计整个结构都为石英材料，热膨系数匹配，可以提高传感器的温度性能，并能够得到大的敏感质量块及初始电容值，可以明显提高传感器的灵敏度与分辨率，并保证了制备得到的梳齿具有大的深宽比。
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