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公开(公告)号：CN106645386A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611101797.X
申请日：2016-12-02
申请人： 北京邮电大学 , 北京昊华能源股份有限公司大安山煤矿 , 北京昊华能源股份有限公司
IPC分类号： G01N27/83
CPC分类号： G01N27/83
摘要： 本发明公开了一种架空人车钢丝绳在线监测仪,可以躲避架空人车与钢丝绳连接的抱锁装置，同时减缓钢丝绳在运行过程中的震动，从而对钢丝绳进行实时在线的定量损伤检测。本监测仪包括对钢丝绳进行励磁并检测漏磁信号的励磁机构；能根据抱锁柄的角度调整自身旋转角度、包裹励磁机构并允许励磁机构上下伸缩的C型随动装置；与C型外套通过导轨连接的固定架。本装置根据钢丝绳上抱锁相对于钢丝绳的径向角度来旋转自身，使得抱锁柄可以安稳通过探头；抱锁通过探头后，在励磁装置前后两个导轮的固定作用下，探头可对钢丝绳进行稳定的等距包裹，从而进行有效的损伤检测。
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公开(公告)号：CN206192946U
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201621321031.8
申请日：2016-12-02
申请人： 北京邮电大学 , 北京昊华能源股份有限公司大安山煤矿 , 北京昊华能源股份有限公司
IPC分类号： G01N27/82
摘要： 本实用新型公开一种针对煤矿架空人车钢丝绳的局部损伤定量在线监测仪，包括对钢丝绳进行励磁并检测漏磁信号的励磁机构；能根据抱锁柄的角度调整自身旋转角度、包裹励磁机构并允许励磁机构上下伸缩的C型随动装置；与C型外套通过导轨连接的固定架。本装置根据钢丝绳上抱锁相对于钢丝绳的径向角度来旋转自身，使得抱锁柄可以安稳通过探头；抱锁通过探头后，在励磁装置前后两个导轮的固定作用下，探头可对钢丝绳进行稳定的等距包裹，从而进行有效的损伤检测。该系统可以躲避架空人车与钢丝绳连接的抱锁装置，同时减缓钢丝绳在运行过程中的震动，从而对钢丝绳进行实时在线的定量损伤检测。
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公开(公告)号：CN106480498A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610888922.X
申请日：2016-10-12
申请人： 北京邮电大学
CPC分类号： C30B25/183 , C30B25/04 , C30B29/42 , H01S5/34353
摘要： 本发明公开了一种纳米图形衬底侧向外延硅基量子点激光器材料及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。本发明在单晶硅衬底上制作种子层、位错阻挡层和激光器材料。所述的种子层包括GaAs低温成核层和GaAs高温缓冲层；位错阻挡层包括纳米尺寸图形掩膜和GaAs侧向外延层；激光器材料包括n型欧姆接触层、n型限制层、下波导层、量子点有源区、上波导层、p型限制层和p型欧姆接触层。本发明通过图形衬底对穿透位错的阻挡作用，能有效地降低GaAs外延层的位错密度，提高GaAs外延层的晶体质量，进而提高量子点激光器性能和质量。本发明能够大面积、高重复性、均匀地完成材料生长和制备，更加符合产业化的需求。
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公开(公告)号：CN106480498B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201610888922.X
申请日：2016-10-12
申请人： 北京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种纳米图形衬底侧向外延硅基量子点激光器材料及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。本发明在单晶硅衬底上制作种子层、位错阻挡层和激光器材料。所述的种子层包括GaAs低温成核层和GaAs高温缓冲层；位错阻挡层包括纳米尺寸图形掩膜和GaAs侧向外延层；激光器材料包括n型欧姆接触层、n型限制层、下波导层、量子点有源区、上波导层、p型限制层和p型欧姆接触层。本发明通过图形衬底对穿透位错的阻挡作用，能有效地降低GaAs外延层的位错密度，提高GaAs外延层的晶体质量，进而提高量子点激光器性能和质量。本发明能够大面积、高重复性、均匀地完成材料生长和制备，更加符合产业化的需求。
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公开(公告)号：CN106654860A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610986904.5
申请日：2016-11-09
申请人： 北京邮电大学
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/34326
摘要： 本发明公开了一种1.55微米波长垂直面发射激光器材料结构及其制备方法，属于光通信用激光器材料和半导体光电子材料及其制造技术领域。所述材料包括在单晶InP衬底上依次制备得到的下DBR结构、激光器外延材料结构和上DBR结构，所述的下DBR结构包括多层介质图形结构及在其中生长的InP缓冲层和InP侧向外延层。本发明将纳米尺度侧向外延方法与传统Si/SiO2多层介质结构相结合，同时实现高反射率的下DBR结构与InP晶格匹配的虚拟衬底功能的方法；采用MOCVD方法解决了InP基长波长VCSEL外延材料的高反射率下DBR结构的材料制备问题，且省去了复杂的下DBR结构外延过程，减少VCSEL外延材料制备的成本，更适合于产业化的材料制备要求。
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