公开(公告)号：CN116581111A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310056915.3

申请日：2023-01-18

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： 林承园 ,  严柱阳 ,  刘仁弼 ,  全五燮

IPC分类号： H01L25/07

摘要： 本公开涉及高功率模块封装件结构。实施例中公开的方法包括将第一直接接合金属(DBM)衬底设置成与第二DBM衬底基本上平行分开一定距离以封闭空间。该方法还包括：将至少一个半导体管芯设置在该空间中；以及在该半导体管芯和该第一DBM衬底之间没有中间间隔块的情况下，使用第一粘合剂层将该半导体管芯接合到该第一DBM衬底；以及在该半导体管芯和该第二DBM衬底之间没有中间间隔块的情况下，使用第二粘合剂将该半导体管芯接合到该第二DBM衬底。

公开(公告)号：CN115621227A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210781687.1

申请日：2022-07-04

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： 刘仁弼 ,  J·特耶塞耶雷 ,  全五燮 ,  李根赫 ,  M·J·塞登

IPC分类号： H01L23/44 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/56

摘要： 本申请涉及半导体封装件、半导体封装组件及其制造方法。半导体封装件的实施方式可包括：一个或多个功率半导体管芯，该一个或多个功率半导体管芯包括在管芯模块中；第一散热器，该第一散热器直接联接到该管芯模块的一个或多个源极焊盘；第二散热器，该第二散热器直接联接到该管芯模块的一个或多个漏极焊盘；栅极接触件，该栅极接触件与该管芯模块的一个或多个栅极焊盘联接；和直接联接到该管芯模块的涂层。该栅极接触件可被构造成延伸穿过浸没式冷却壳体。

公开(公告)号：CN115483183A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202210646996.8

申请日：2022-06-08

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： 严柱阳 ,  林承园 ,  M·C·伊斯塔西欧 ,  J·特耶塞耶雷 ,  刘仁弼

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/31

摘要： 本申请涉及半导体器件和半导体封装。半导体器件的实施方式可包括耦接在引线框上方的管芯、耦接在该管芯上方的重新分布层(RDL)、耦接在该RDL和该管芯之间的第一多个通孔，以及耦接在该引线框上方并且直接耦接到该引线框的第二多个通孔。该第二多个通孔可以与该半导体器件的外边缘相邻，并且可以与该管芯电隔离。

公开(公告)号：CN112038307A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN202010412781.0

申请日：2020-05-15

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： 刘仁弼 ,  J·蒂萨艾尔 ,  林承园 ,  姜东旭

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/50

摘要： 本发明题为“用于功率模块的热传递”。在一个总体方面，装置可以包括衬底、与该衬底的第一表面耦接的半导体管芯以及设置在该衬底的第二表面上的金属层。第二表面可以与第一表面相对。该装置还可以包括与金属层耦接的多个金属翅片以及与金属层耦接的金属环。金属环可以包围多个金属翅片。

公开(公告)号：CN213546310U

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202022183381.5

申请日：2020-09-29

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： 刘仁弼 ,  林承园 ,  J·严 ,  J·蒂萨艾尔

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/367

摘要： 本公开涉及夹片和半导体封装件。夹片的具体实施可包括直接键合到陶瓷层的第一侧的第一铜层、直接键合到陶瓷层的第二侧的第二铜层以及部分地蚀刻到第二铜层的厚度中的多个沟道，陶瓷层的第二侧与陶瓷层的第一侧相背对。