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    半导体器件
    1.
    发明公开
    半导体器件 审中-实审

    公开(公告)号：CN112909032A

    公开(公告)日：2021-06-04

    申请号：CN202011331536.3

    申请日：2020-11-24

    申请人： 半导体元件工业有限责任公司

    发明人： S·伯萨克 ,  马克·艾伦·撒弗里奇 ,  A·E·帕克金斯

    IPC分类号： H01L27/146

    摘要： 本申请涉及半导体器件。本申请公开了一种成像设备，该成像设备可包括单光子雪崩二极管(SPAD)。为了改善该SPAD的灵敏度和信噪比，可在该半导体衬底中形成光散射结构以增加入射光穿过半导体衬底的路径长度。该光散射结构可包括形成在该半导体衬底中的沟槽中的低折射率材料。一个或多个微透镜可将光聚焦到该半导体衬底上。该半导体衬底的从该微透镜接收更多光的区域可具有更高密度的光散射结构以优化光散射，同时减小暗电流。

    由多个微透镜覆盖的单光子雪崩二极管
    2.
    发明公开
    由多个微透镜覆盖的单光子雪崩二极管 审中-公开

    公开(公告)号：CN116266613A

    公开(公告)日：2023-06-20

    申请号：CN202211531919.4

    申请日：2022-12-01

    申请人： 半导体元件工业有限责任公司

    发明人： M·A·苏弗里德格 ,  A·E·帕克金斯

    IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/107 ,  H01L27/146

    摘要： 本公开涉及由多个微透镜覆盖的单光子雪崩二极管。提供了一种成像设备，该成像设备能够包括单光子雪崩二极管(SPAD)。每个SPAD能够与多个微透镜重叠。在每个SPAD之上的微透镜能够包括在该SPAD的中心部分之上的具有第一尺寸的第一微透镜和在该SPAD的周边区域之上的具有大于该第一尺寸的第二尺寸的第二微透镜。该第二微透镜能够为球形微透镜或柱形微透镜。该第一微透镜能够与下面的光散射结构对准，以提高该光散射结构的效率。该第二微透镜能够与隔离结构部分地重叠以将光远离该隔离结构并朝向SPAD指引。

    图像传感器和成像系统以及构建图像传感器的方法
    3.
    发明公开
    图像传感器和成像系统以及构建图像传感器的方法 审中-公开

    公开(公告)号：CN116456206A

    公开(公告)日：2023-07-18

    申请号：CN202211674154.X

    申请日：2022-12-26

    申请人： 半导体元件工业有限责任公司

    发明人： S·伯萨克 ,  A·E·帕克金斯

    IPC分类号： H04N25/131

    摘要： 公开了图像传感器和成像系统以及构建图像传感器的方法。一个示例为一种图像传感器，该图像传感器包括：光敏区；在该光敏区上方的下部光学滤光器，并且该下部光学滤光器被配置为过滤可见光并且使红外光通过；和在该下部光学滤光器上方的上部光学滤光器，并且该上部光学滤光器被配置为过滤可见光并且使红外光通过。

    图像传感器
    5.
    实用新型
    图像传感器 有权

    公开(公告)号：CN211404505U

    公开(公告)日：2020-09-01

    申请号：CN201922344503.1

    申请日：2019-12-24

    申请人： 半导体元件工业有限责任公司

    发明人： A·E·帕克金斯 ,  S·伯萨克 ,  马克·艾伦·撒弗里奇

    IPC分类号： H01L27/146

    摘要： 本实用新型涉及图像传感器。本实用新型公开了一种成像系统，所述成像系统可包括具有用于深度感测或自动聚焦操作的相位检测像素组的图像传感器。每个相位检测像素组可具有由单个微透镜覆盖的两个或更多个光敏区，使得每个光敏区具有非对称的角度响应。所述图像传感器可对近红外(NIR)和可见光两者敏感。每个相位检测像素组可被设计成包括光散射结构，所述光散射结构增加NIR敏感性，同时最小化相位检测和可见光性能的破坏。深沟槽隔离可形成在所述相位检测像素组内的相邻光敏区域之间。所述光散射结构可具有不均匀分布，以最小化相位检测性能的破坏。