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公开(公告)号：CN117461136A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202280037026.6
申请日：2022-04-27
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： S·伯萨克 , M·M·佩莱拉 , 钱德拉塞卡兰·科桑达拉曼 , 马克·艾伦·撒弗里奇 , 林育圣 , 拉里·D·金斯曼
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 集成电路封装(34,34',34”)可以由堆叠的第一、第二和第三集成电路管芯(40、50、60)实现。第一和第二管芯(40、50)可以在面向另一个管芯的相应面间表面处使用对应的管芯间连接结构(74‑1,84‑1)彼此接合。第二管芯(50)还可以包括金属层(84‑2)，用于在其与第一管芯(40)的面间表面处连接到第三管芯(60)。金属层(84‑2)可以通过导电衬底贯通孔(84‑2)和第二与第三管芯(50，60)之间的重新分布层(96)中的附加的金属层(102)被连接到第三管芯(60)的面向第二管芯(50)的侧面上的对应的管芯间连接结构(64)。第三管芯(60)可以与第二管芯(50)具有不同的横向轮廓。
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公开(公告)号：CN112909031A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202011284991.2
申请日：2020-11-17
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： 马克·艾伦·撒弗里奇 , 安妮·德格南 , 内德·杰迪迪 , 迈克尔·杰勒德·凯斯
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明涉及半导体器件。本发明公开了一种成像设备，该成像设备可包括单光子雪崩二极管(SPAD)。为了改善该SPAD的灵敏度和信噪比，可在该半导体衬底中形成光散射结构以增加入射光穿过半导体衬底的路径长度。为了减轻串扰，可围绕该SPAD形成多个隔离结构环。外部深沟槽隔离结构可包括金属填料诸如钨，并且可被配置为吸收光。因此，该外部深沟槽隔离结构防止在相邻SPAD之间发生串扰。另外，可包括一个或多个内部深沟槽隔离结构。该内部深沟槽隔离结构可包括低折射率填料以反射光并将入射光保持在该SPAD的有源区域中。
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公开(公告)号：CN118888558A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410274181.0
申请日：2024-03-11
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L25/16
摘要： 本申请涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件可包括第一芯片，该第一芯片包括第一晶圆和设置在其上的第一介电层。该半导体器件可包括第二芯片，该第二芯片包括第二晶圆和设置在其上的第二介电层，该第二芯片具有背侧表面和与该背侧表面相对的前侧表面，该第二芯片在该前侧表面处键合到该第一芯片以在该第一介电层与该第二介电层之间限定键合线。穿过该第二芯片的该背侧表面的开口可延伸到该第二介电层中，并且键合焊盘可设置在该第二晶圆与该键合线之间的该第二介电层内。
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公开(公告)号：CN116456178A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310073700.2
申请日：2023-01-13
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： 李秉熙 , S·伯萨克 , 马克·艾伦·撒弗里奇
摘要： 公开了一种图像传感器、成像系统和操作图像传感器的方法。至少一个示例是包括多个图像像素的图像传感器。每个图像像素可以包括：色彩路由器，在其上表面上限定路由器收集区域；位于所述色彩路由器下方的第一感光区；位于所述色彩路由器下方的第二感光区；位于所述色彩路由器下方的第三感光区。所述色彩路由器被配置为：将在所述路由器收集区域接收到的第一波长的光子路由到所述第一感光区，将在所述路由器收集区域接收到的第二波长的光子路由到所述第二感光区，以及将在所述路由器收集区域接收到的第三波长的光子路由到所述第三感光区。
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公开(公告)号：CN112909034A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202011347203.X
申请日：2020-11-26
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： S·伯萨克 , 马克·艾伦·撒弗里奇
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本申请涉及半导体器件。成像设备可包括单光子雪崩二极管(SPAD)。为了改善该SPAD的灵敏度和信噪比，可在该半导体衬底中形成光散射结构以增加入射光穿过半导体衬底的路径长度。为了减轻串扰，可在该SPAD周围的环中形成隔离结构。该隔离结构可以是具有吸收光的金属填料和反射光的低折射率填料两者的混合隔离结构。该隔离结构可形成为单个沟槽，或者可包括背侧深沟槽隔离部分和前侧深沟槽隔离部分。该隔离结构还可包含滤色材料。
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公开(公告)号：CN112909032A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202011331536.3
申请日：2020-11-24
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： S·伯萨克 , 马克·艾伦·撒弗里奇 , A·E·帕克金斯
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本申请涉及半导体器件。本申请公开了一种成像设备，该成像设备可包括单光子雪崩二极管(SPAD)。为了改善该SPAD的灵敏度和信噪比，可在该半导体衬底中形成光散射结构以增加入射光穿过半导体衬底的路径长度。该光散射结构可包括形成在该半导体衬底中的沟槽中的低折射率材料。一个或多个微透镜可将光聚焦到该半导体衬底上。该半导体衬底的从该微透镜接收更多光的区域可具有更高密度的光散射结构以优化光散射，同时减小暗电流。
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公开(公告)号：CN211404505U
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201922344503.1
申请日：2019-12-24
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： A·E·帕克金斯 , S·伯萨克 , 马克·艾伦·撒弗里奇
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本实用新型涉及图像传感器。本实用新型公开了一种成像系统，所述成像系统可包括具有用于深度感测或自动聚焦操作的相位检测像素组的图像传感器。每个相位检测像素组可具有由单个微透镜覆盖的两个或更多个光敏区，使得每个光敏区具有非对称的角度响应。所述图像传感器可对近红外(NIR)和可见光两者敏感。每个相位检测像素组可被设计成包括光散射结构，所述光散射结构增加NIR敏感性，同时最小化相位检测和可见光性能的破坏。深沟槽隔离可形成在所述相位检测像素组内的相邻光敏区域之间。所述光散射结构可具有不均匀分布，以最小化相位检测性能的破坏。
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公开(公告)号：CN207425857U
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201721297593.8
申请日：2017-10-09
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： 拉里·D·金斯曼 , S·伯萨克 , 马克·艾伦·撒弗里奇 , 斯科特·唐纳德·初科韦尔 , 布莱恩·瓦特斯特拉
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14621 , H01L27/14618 , H01L27/1462 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14685 , H01L27/14687
摘要： 本实用新型涉及一种图像传感器封装，所述图像传感器封装可包括具有像素阵列的半导体晶圆，形成像素阵列之上的滤色器阵列(CFA)和形成在所述CFA之上的一个或多个透镜。光阻隔层可耦合在半导体晶圆之上围绕所述透镜的周界，和包封层可耦合在透镜周界的周围且在所述光阻隔层之上。光阻隔层可形成提供通向透镜的开口。模塑化合物层可耦合在包封层和光阻隔层之上。临时保护层可在施加模塑化合物期间和/或在净室环境之外进行加工期间用于保护一个或多个透镜不被污染。
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公开(公告)号：CN210006737U
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201920188984.9
申请日：2019-02-03
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： S·伯萨克 , 马克·艾伦·撒弗里奇
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本公开提供了图像传感器，所述图像传感器的实施方式可以包括：硅层，所述硅层具有第一侧以及与所述第一侧相对的第二侧；第一开口，所述第一开口从所述硅层的所述第一侧朝向所述第二侧延伸到所述硅层中；通孔，所述通孔从所述硅层的所述第二侧延伸到所述硅层中；和导电焊盘，所述导电焊盘在所述第一开口内。所述导电焊盘可以耦接到所述通孔。所述第一开口可以包括填充材料。所述填充材料的至少一部分可以形成与所述硅层的所述第一侧基本上平行的平面。所述导电焊盘可以通过第二开口暴露在所述填充材料中。
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