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公开(公告)号：CN116456206A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202211674154.X
申请日：2022-12-26
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
IPC分类号： H04N25/131
摘要： 公开了图像传感器和成像系统以及构建图像传感器的方法。一个示例为一种图像传感器，该图像传感器包括：光敏区；在该光敏区上方的下部光学滤光器，并且该下部光学滤光器被配置为过滤可见光并且使红外光通过；和在该下部光学滤光器上方的上部光学滤光器，并且该上部光学滤光器被配置为过滤可见光并且使红外光通过。
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公开(公告)号：CN104882458B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201510087734.2
申请日：2015-02-26
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L23/48
摘要： 本发明涉及具有氧化物穿孔连接的成像系统。一种成像系统可以包括图像传感器封装，所述图像传感器封装具有图像传感器封装内的图像传感器管芯和数字信号处理管芯之间的氧化物穿孔连接。图像传感器管芯和数字信号处理管芯可以彼此附接。氧化物穿孔可以将图像传感器管芯上的焊盘连接到图像传感器和数字信号处理管芯内的金属路由选择通路。所述氧化物穿孔可以同时将图像传感器管芯耦连到数字信号处理管芯。可以穿过图像传感器管芯内的浅沟槽隔离结构形成氧化物穿孔。可以通过图像传感器和数字信号处理管芯的选择性蚀刻形成所述氧化物穿孔。
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公开(公告)号：CN107078139A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056888.3
申请日：2015-10-20
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
IPC分类号： H01L27/14 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/146 , H04N5/369
摘要： 本发明提供了一种成像系统(100)，所述成像系统可包括堆叠在数字信号处理器(DSP)管芯(104)顶部的图像传感器管芯(102)。穿氧化物通孔(TOV)(128)可以形成在所述图像传感器管芯(102)中，并且可至少部分地延伸到所述DSP管芯(104)中以有利于所述图像传感器管芯(102)和所述DSP管芯(104)之间的通信。所述图像传感器管芯(102)可包括用于防止所述图像传感器管芯(102)中的参考光电二极管(116’)接收光的光屏蔽结构(126)和用于防止相邻像素(116)之间的串扰的像素内栅格结构(200)。所述光屏蔽结构(126)可通过对应TOV(128)、一体插塞结构(190)和/或与多晶硅栅极(192)直接接触的连接件来接收期望偏置电压。所述像素内栅格(200)可具有周边触点(200’)，所述周边触点通过遮光罩(210)、导电带(210)、TOV(300)和/或铝焊盘(450)接收所述期望偏置电压。
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公开(公告)号：CN118646962A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410204075.5
申请日：2024-02-23
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
摘要： 公开了图像传感器像素、成像系统以及用于构建图像传感器像素的方法。该图像传感器像素包括高光光电探测器、多个低光光电探测器和光谱引导器。该多个低光光电探测器定位在该高光光电探测器周围。该光谱引导器定位在该高光光电探测器和该多个低光光电探测器上方。该光谱引导器被配置为将在该光谱引导器处接收的光的一部分引导到该多个低光光电探测器中的一者或多者。
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公开(公告)号：CN117461136A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202280037026.6
申请日：2022-04-27
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： S·伯萨克 , M·M·佩莱拉 , 钱德拉塞卡兰·科桑达拉曼 , 马克·艾伦·撒弗里奇 , 林育圣 , 拉里·D·金斯曼
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 集成电路封装(34,34',34”)可以由堆叠的第一、第二和第三集成电路管芯(40、50、60)实现。第一和第二管芯(40、50)可以在面向另一个管芯的相应面间表面处使用对应的管芯间连接结构(74‑1,84‑1)彼此接合。第二管芯(50)还可以包括金属层(84‑2)，用于在其与第一管芯(40)的面间表面处连接到第三管芯(60)。金属层(84‑2)可以通过导电衬底贯通孔(84‑2)和第二与第三管芯(50，60)之间的重新分布层(96)中的附加的金属层(102)被连接到第三管芯(60)的面向第二管芯(50)的侧面上的对应的管芯间连接结构(64)。第三管芯(60)可以与第二管芯(50)具有不同的横向轮廓。
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公开(公告)号：CN112909033A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202011337308.7
申请日：2020-11-25
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： S·伯萨克
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明涉及半导体器件。本发明公开了一种成像设备，该成像设备可包括单光子雪崩二极管(SPAD)。为了改善该SPAD的灵敏度和信噪比，可在该半导体衬底中形成光散射结构以增加入射光穿过半导体衬底的路径长度。该光散射结构可包括形成在该半导体衬底中的沟槽中的低折射率材料。该光散射结构可具有不同的尺寸和/或每单位面积具有不均匀数量的结构的布局。SPAD器件还可包括围绕该SPAD的环中的隔离结构以防止串扰。该隔离结构可包括金属填充的深沟槽隔离结构。该金属填料可包含钨。
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公开(公告)号：CN107078139B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201580056888.3
申请日：2015-10-20
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
IPC分类号： H01L27/14 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/146 , H04N5/369
摘要： 本发明提供了一种成像系统(100)，所述成像系统可包括堆叠在数字信号处理器(DSP)管芯(104)顶部的图像传感器管芯(102)。穿氧化物通孔(TOV)(128)可以形成在所述图像传感器管芯(102)中，并且可至少部分地延伸到所述DSP管芯(104)中以有利于所述图像传感器管芯(102)和所述DSP管芯(104)之间的通信。所述图像传感器管芯(102)可包括用于防止所述图像传感器管芯(102)中的参考光电二极管(116’)接收光的光屏蔽结构(126)和用于防止相邻像素(116)之间的串扰的像素内栅格结构(200)。所述光屏蔽结构(126)可通过对应TOV(128)、一体插塞结构(190)和/或与多晶硅栅极(192)直接接触的连接件来接收期望偏置电压。所述像素内栅格(200)可具有周边触点(200’)，所述周边触点通过遮光罩(210)、导电带(210)、TOV(300)和/或铝焊盘(450)接收所述期望偏置电压。
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公开(公告)号：CN118888558A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410274181.0
申请日：2024-03-11
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L25/16
摘要： 本申请涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件可包括第一芯片，该第一芯片包括第一晶圆和设置在其上的第一介电层。该半导体器件可包括第二芯片，该第二芯片包括第二晶圆和设置在其上的第二介电层，该第二芯片具有背侧表面和与该背侧表面相对的前侧表面，该第二芯片在该前侧表面处键合到该第一芯片以在该第一介电层与该第二介电层之间限定键合线。穿过该第二芯片的该背侧表面的开口可延伸到该第二介电层中，并且键合焊盘可设置在该第二晶圆与该键合线之间的该第二介电层内。
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公开(公告)号：CN116456178A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310073700.2
申请日：2023-01-13
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： 李秉熙 , S·伯萨克 , 马克·艾伦·撒弗里奇
摘要： 公开了一种图像传感器、成像系统和操作图像传感器的方法。至少一个示例是包括多个图像像素的图像传感器。每个图像像素可以包括：色彩路由器，在其上表面上限定路由器收集区域；位于所述色彩路由器下方的第一感光区；位于所述色彩路由器下方的第二感光区；位于所述色彩路由器下方的第三感光区。所述色彩路由器被配置为：将在所述路由器收集区域接收到的第一波长的光子路由到所述第一感光区，将在所述路由器收集区域接收到的第二波长的光子路由到所述第二感光区，以及将在所述路由器收集区域接收到的第三波长的光子路由到所述第三感光区。
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公开(公告)号：CN112909034A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202011347203.X
申请日：2020-11-26
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： S·伯萨克 , 马克·艾伦·撒弗里奇
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本申请涉及半导体器件。成像设备可包括单光子雪崩二极管(SPAD)。为了改善该SPAD的灵敏度和信噪比，可在该半导体衬底中形成光散射结构以增加入射光穿过半导体衬底的路径长度。为了减轻串扰，可在该SPAD周围的环中形成隔离结构。该隔离结构可以是具有吸收光的金属填料和反射光的低折射率填料两者的混合隔离结构。该隔离结构可形成为单个沟槽，或者可包括背侧深沟槽隔离部分和前侧深沟槽隔离部分。该隔离结构还可包含滤色材料。
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