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公开(公告)号:CN114974373A
公开(公告)日:2022-08-30
申请号:CN202210696864.6
申请日:2022-06-20
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种基于高密度闪存的多编码实现方法,其特点是在闪存控制器中添加多套控制电路来支持不同的格雷码,在闪存传输层中添加格雷码仲裁机制,通过对不同操作的数据以及不同访问热度的数据进行格雷码仲裁,对于初次写入的数据通过在映射表中添加单个比特位来标识格雷码类型,采用读性能较好的格雷码来提升读性能;采用编程性能较好的格雷码来提升写性能;对于热数据则进一步进行格雷码的仲裁,将其迁移到读性能更好的页面上,实现高密度闪存读写性能优化。本发明与现有技术相比具有保障较高的读写性能,通过对格雷码的选择,较好地实现了高密度闪存读写性能的优化。
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公开(公告)号:CN114924690A
公开(公告)日:2022-08-19
申请号:CN202210166767.6
申请日:2022-02-23
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非均衡磨损闪存的读性能优化方法,通过实现闪存的差异化磨损并结合数据冷热特征,优化闪存的读性能。在闪存控制器中添加热读数据识别机制、差异化磨损机制和数据迁移机制。通过合理的数据放置方法,形成闪存块之间的差异化磨损。差异化磨损产生的两个区域(高磨损和低磨损区域)体现出不同的可靠性特征。高磨损区域中的数据采用热读识别机制;高磨损区域的热读数据采用可靠性差异感知的迁移机制。结合这两种机制,将热读数据从高磨损区域迁移到低磨损区域,以最大限度地提高热读数据访问的效益。本发明优化了磨损对数据可靠性的不利影响,相对于传统的均衡磨损未进行任何闪存块的可靠性的区分方式,提高了闪存的读性能。
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公开(公告)号:CN111190834A
公开(公告)日:2020-05-22
申请号:CN201911345274.3
申请日:2019-12-24
Applicant: 华东师范大学
IPC: G06F12/02 , G06F12/123
Abstract: 本发明公开了一种非对称读延迟感知的数据放置方法,其特点是在闪存控制器中添加热读数据识别机制和冷读数据识别机制以及数据放置标记,通过使用有限的最近最久未使用链表(LRU)来记录最近访问慢页上的数据位置,实现数据的重新放置。本发明与现有技术相比具有良好的闪存读性能,优化了数据的放置,大大降低了延迟差异所带来的性能损耗,以最大限度地利用高密度闪存页面的特征,提高快页访问的效益,减少对慢页访问的影响,提高闪存读性能。
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公开(公告)号:CN115016736B
公开(公告)日:2024-09-13
申请号:CN202210673067.6
申请日:2022-06-15
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种基于高密度闪存的可靠性优化方法,其特点是采用闪存生命阶段感知的格雷码仲裁方法,实现高密度闪存的可靠性优化,该方法是在闪存控制器中设置数据重读计数器和重写计数器来判别闪存生命阶段,并为每个闪存生命阶段设计相应的格雷码仲裁机制,以调度闪存内部的页面资源,优化闪存的可靠性,本发明与现有技术相比具有通过闪存生命阶段感知的格雷码仲裁,实现高密度闪存读性能和寿命的改善,优化了高密度闪存在启用多种格雷码之后的额外格雷码转换开销,有效降低了后台重读重写操作,大大提升基于高密度闪存的多编码闪存读性能和寿命,方法简便,使用效果好,具有一定应用前景。
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公开(公告)号:CN111208940A
公开(公告)日:2020-05-29
申请号:CN201911345681.4
申请日:2019-12-24
Applicant: 华东师范大学
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开了一种基于多通道闪存的读写分离方法,其特点是将多通道闪存按读区域和写区域划分,并根据历史访问情况确定当前被访问的数据应该放在哪一个区域,如放置错误则需要对数据进行迁移,使其尽可能多的读请求发生在读区域上,写请求发生在写区域上,以实现读写之间的分离,降低读写干扰,从而提升读性能。本发明与现有技术相比具有优化数据的放置,使得尽可能多的读请求发生在读区域上,写请求发生在写区域上,以实现读写之间的分离,降低读写之间的干扰,改善读性能,有效提高快页访问的效率,最大限度地减少对慢页访问的影响,大大提高了闪存的读性能。
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公开(公告)号:CN118484128A
公开(公告)日:2024-08-13
申请号:CN202310147743.0
申请日:2023-02-13
Abstract: 本申请涉及一种闪存性能优化方法、装置、闪存和存储介质。该方法包括:针对闪存的存储阵列中任一发生读取重试的数据,获取数据对应的读取次数;在数据对应的读取次数大于或等于预设阈值的情况下,将数据采用的初始纠错码调整为目标纠错码,目标纠错码的纠错能力大于初始纠错码的纠错能力;基于目标纠错码,对数据进行重编码,得到目标数据,并将目标数据写回存储阵列中。根据本申请实施例,能够降低由于闪存可靠性下降产生的读取重试的次数,从而提高闪存的读性能。
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公开(公告)号:CN111190834B
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN201911345274.3
申请日:2019-12-24
Applicant: 华东师范大学
IPC: G06F12/02 , G06F12/123
Abstract: 本发明公开了一种非对称读延迟感知的数据放置方法,其特点是在闪存控制器中添加热读数据识别机制和冷读数据识别机制以及数据放置标记,通过使用有限的最近最久未使用链表(LRU)来记录最近访问慢页上的数据位置,实现数据的重新放置。本发明与现有技术相比具有良好的闪存读性能,优化了数据的放置,大大降低了延迟差异所带来的性能损耗,以最大限度地利用高密度闪存页面的特征,提高快页访问的效益,减少对慢页访问的影响,提高闪存读性能。
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公开(公告)号:CN115016736A
公开(公告)日:2022-09-06
申请号:CN202210673067.6
申请日:2022-06-15
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种基于高密度闪存的可靠性优化方法,其特点是采用闪存生命阶段感知的格雷码仲裁方法,实现高密度闪存的可靠性优化,该方法是在闪存控制器中设置数据重读计数器和重写计数器来判别闪存生命阶段,并为每个闪存生命阶段设计相应的格雷码仲裁机制,以调度闪存内部的页面资源,优化闪存的可靠性,本发明与现有技术相比具有通过闪存生命阶段感知的格雷码仲裁,实现高密度闪存读性能和寿命的改善,优化了高密度闪存在启用多种格雷码之后的额外格雷码转换开销,有效降低了后台重读重写操作,大大提升基于高密度闪存的多编码闪存读性能和寿命,方法简便,使用效果好,具有一定应用前景。
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公开(公告)号:CN114924690B
公开(公告)日:2024-04-19
申请号:CN202210166767.6
申请日:2022-02-23
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非均衡磨损闪存的读性能优化方法,通过实现闪存的差异化磨损并结合数据冷热特征,优化闪存的读性能。在闪存控制器中添加热读数据识别机制、差异化磨损机制和数据迁移机制。通过合理的数据放置方法,形成闪存块之间的差异化磨损。差异化磨损产生的两个区域(高磨损和低磨损区域)体现出不同的可靠性特征。高磨损区域中的数据采用热读识别机制;高磨损区域的热读数据采用可靠性差异感知的迁移机制。结合这两种机制,将热读数据从高磨损区域迁移到低磨损区域,以最大限度地提高热读数据访问的效益。本发明优化了磨损对数据可靠性的不利影响,相对于传统的均衡磨损未进行任何闪存块的可靠性的区分方式,提高了闪存的读性能。
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公开(公告)号:CN113448778A
公开(公告)日:2021-09-28
申请号:CN202110799718.1
申请日:2021-07-15
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明涉及一种混合式SSD中的关键数据备份方法,主要包括以下步骤:判断数据是否需要备份,对于备份数据的读操作,默认从快介质读,慢介质的数据用于恢复;对于备份数据的写操作,根据其请求大小选择备份方式。对于较小的写请求,使用累积式的备份,先把数据写两份到快介质,等累积到一定数据量之后迁移到慢介质;对于大的写请求,使用传统的备份方式,将数据同时写入快介质和慢介质。本发明具有如下的优点:通过先写快介质累积后再迁移到慢介质的方法,避免了同时写快慢两种介质造成的延迟和写放大大幅增加的问题,有助于降低数据备份的性能和写放大开销。
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