公开(公告)号：CN1688014A

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN200510025732.7

申请日：2005-05-11

申请人： 华东师范大学 ,  中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 郭方敏 ,  甄红楼 ,  陆卫 ,  李宁 ,  于绍欣 ,  朱自强 ,  劳五一 ,  王少伟

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 一种异质键合晶片的制备方法和应用，属光电子器材集成和应用的技术领域。低温直接键合的两片异质材料分别是制备有ROIC的硅晶片和制备有IP薄膜的GaAs晶片，先按照0.25μmULSI中的铜互连的化学机械平坦化工艺，使所述的硅晶片表面光滑、平整、清洁；接着，在低温下，使表面同样光滑、平整、清洁的所述的GaAs晶片与所述的硅晶片对位、预键合、低温热处理，至所述的两个异质晶片直接键合在一起，得到异质键合物；然后减薄异质键合物GaAs的厚度至20～30μm；再用ICP高密度反应离子选择刻蚀剩余的GaAs至终止层；最后用湿法蚀去终止层，得到产品，异质键合晶片。异质键合晶片可用来制作低价格的IP－ROIC的IRFPA。本发明具有制造成本低、产品超高机械强度高、可靠性好等优点。

公开(公告)号：CN100345248C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200510025732.7

申请日：2005-05-11

申请人： 华东师范大学 ,  中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 郭方敏 ,  甄红楼 ,  陆卫 ,  李宁 ,  于绍欣 ,  朱自强 ,  劳五一 ,  王少伟

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 一种异质键合晶片的制备方法和应用，属光电子器材集成和应用的技术领域。低温直接键合的两片异质材料分别是制备有ROIC的硅晶片和制备有IP薄膜的GaAs晶片，先按照0.25μm ULSI中的铜互连的化学机械平坦化工艺，使所述的硅晶片表面光滑、平整、清洁；接着，在低温下，使表面同样光滑、平整、清洁的所述的GaAs晶片与所述的硅晶片对位、预键合、低温热处理，至所述的两个异质晶片直接键合在一起，得到异质键合物；然后减薄异质键合物GaAs的厚度至20～30μm；再用ICP高密度反应离子选择刻蚀剩余的GaAs至终止层；最后用湿法蚀去终止层，得到产品，异质键合晶片。异质键合晶片可用来制作低价格的IP-ROIC的IRFPA。本发明具有制造成本低、产品超高机械强度高、可靠性好等优点。