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公开(公告)号：CN1787234A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510027144.7
申请日：2005-06-24
Applicant: 华东师范大学 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种量子阱红外探测器(QWIP)焦平面(FPA)的制备方法，制备从两异质晶片，硅晶片和GaAs晶片开始，硅晶片和GaAs晶片上分别制有硅基读出集成电路和终止层、下电极层、量子阱层、上电极层、二维光栅，首先用化学机械平坦化工艺，使制有硅基读出集成电路的硅晶片的表面光滑、平整、清洁，接着在把同样光滑、平整、清洁的GaAs晶片的上电极与硅晶片上的对应的金属电极对位，用低温异质晶片键合方法对两晶片进行预键合、低温热处理，直至两晶片键合在一起，然后减薄GaAs晶片的籿底，选择刻蚀蚀去剩余的籿底，用腐蚀液蚀去终止层，最后完成量子阱红外探测器与硅基读出集成电路对应电极的连接，得产品，量子阱红外探测器焦平面。该方法具有制造成本低、产品机械强度高和可靠性好等优点。
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公开(公告)号：CN100442545C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200510027144.7
申请日：2005-06-24
Applicant: 华东师范大学 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种量子阱红外探测器(QWIP)焦平面(FPA)的制备方法，制备从两异质晶片，硅晶片和GaAs晶片开始，硅晶片和GaAs晶片上分别制有硅基读出集成电路和终止层、下电极层、量子阱层、上电极层、二维光栅，首先用化学机械平坦化工艺，使制有硅基读出集成电路的硅晶片的表面光滑、平整、清洁，接着在把同样光滑、平整、清洁的GaAs晶片的上电极与硅晶片上的对应的金属电极对位，用低温异质晶片键合方法对两晶片进行预键合、低温热处理，直至两晶片键合在一起，然后减薄GaAs晶片的衬底，选择刻蚀蚀去剩余的衬底，用腐蚀液蚀去终止层，最后完成量子阱红外探测器与硅基读出集成电路对应电极的连接，得产品，量子阱红外探测器焦平面。该方法具有制造成本低、产品机械强度高和可靠性好等优点。
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公开(公告)号：CN100345248C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200510025732.7
申请日：2005-05-11
Applicant: 华东师范大学 , 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种异质键合晶片的制备方法和应用，属光电子器材集成和应用的技术领域。低温直接键合的两片异质材料分别是制备有ROIC的硅晶片和制备有IP薄膜的GaAs晶片，先按照0.25μm ULSI中的铜互连的化学机械平坦化工艺，使所述的硅晶片表面光滑、平整、清洁；接着，在低温下，使表面同样光滑、平整、清洁的所述的GaAs晶片与所述的硅晶片对位、预键合、低温热处理，至所述的两个异质晶片直接键合在一起，得到异质键合物；然后减薄异质键合物GaAs的厚度至20～30μm；再用ICP高密度反应离子选择刻蚀剩余的GaAs至终止层；最后用湿法蚀去终止层，得到产品，异质键合晶片。异质键合晶片可用来制作低价格的IP-ROIC的IRFPA。本发明具有制造成本低、产品超高机械强度高、可靠性好等优点。
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公开(公告)号：CN1200266C
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN03128829.4
申请日：2003-05-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海市药品检验所 , 华东师范大学
IPC: G01N21/33
Abstract: 本发明公开了一种用红外光谱检测中药中化学药物的方法，该方法是利用预测的已知的化学药物光谱和样品测得的红外光谱进行组合，由计算机的自动分析给出特征值，便可获得样品中是否含有所关注的化学药物。它适合于在中药形成的复杂红外吸收光谱本底中对化学药物光谱结构判读，进而提取出相关的化学成分，有利于快速和半定量地给出相关化学的含量，从而大大地简化了对中药中化学药物检验的复杂性和难度。该发明专利介绍了测量与分析的基本过程，包括样品制备，测量方法、谱图分析方法和实现低漏检率和高灵敏度分析途径的取值函数等。
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公开(公告)号：CN1484280A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN03142205.5
申请日：2003-08-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 华东师范大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开了一种适合于制造射频电路的含氧化多孔硅的低阻硅衬底。该衬底的一个表面由区域1和区域2甚至区域3组成，区域1是低阻硅区域，区域2和区域3是形成在低阻硅衬底上的含氧化多孔硅区域。在区域1上适合于制造有源器件，在区域2、区域3上适合于制造无源器件，由此达到在低阻硅上制造射频、微波和毫米波波段等单片集成电路的目的。同时本发明还公开了该衬底的制备，包括：以低阻硅为原料，用金属或氮化硅做掩膜，选择区域形成多孔硅，氧化，涂敷聚酰亚胺，成膜、亚胺化等四步。本发明的优点是可以满足不同射频电路对衬底的要求。同时可以极大降低低阻硅衬底的阻抗损耗和导体损耗；可以使无源元器件和有源元器件集成在一片低阻硅衬底上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1226774C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN03142205.5
申请日：2003-08-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 华东师范大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开了一种适合于制造射频电路的含氧化多孔硅的低阻硅衬底。该衬底的一个表面由区域1和区域2甚至区域3组成，区域1是低阻硅区域，区域2和区域3是形成在低阻硅衬底上的含氧化多孔硅区域。在区域1上适合于制造有源器件，在区域2、区域3上适合于制造无源器件，由此达到在低阻硅上制造射频、微波和毫米波波段等单片集成电路的目的。同时本发明还公开了该衬底的制备，包括：以低阻硅为原料，用金属或氮化硅做掩膜，选择区域形成多孔硅，氧化，涂敷聚酰亚胺，成膜、亚胺化等四步。本发明的优点是可以满足不同射频电路对衬底的要求。同时可以极大降低低阻硅衬底的阻抗损耗和导体损耗；可以使无源元器件和有源元器件集成在一片低阻硅衬底上。
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公开(公告)号：CN1688014A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN200510025732.7
申请日：2005-05-11
Applicant: 华东师范大学 , 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种异质键合晶片的制备方法和应用，属光电子器材集成和应用的技术领域。低温直接键合的两片异质材料分别是制备有ROIC的硅晶片和制备有IP薄膜的GaAs晶片，先按照0.25μmULSI中的铜互连的化学机械平坦化工艺，使所述的硅晶片表面光滑、平整、清洁；接着，在低温下，使表面同样光滑、平整、清洁的所述的GaAs晶片与所述的硅晶片对位、预键合、低温热处理，至所述的两个异质晶片直接键合在一起，得到异质键合物；然后减薄异质键合物GaAs的厚度至20～30μm；再用ICP高密度反应离子选择刻蚀剩余的GaAs至终止层；最后用湿法蚀去终止层，得到产品，异质键合晶片。异质键合晶片可用来制作低价格的IP－ROIC的IRFPA。本发明具有制造成本低、产品超高机械强度高、可靠性好等优点。
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公开(公告)号：CN1487280A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03128829.4
申请日：2003-05-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海市药品检验所 , 华东师范大学
IPC: G01N21/33
Abstract: 本发明公开了一种用红外光谱检测中药中化学药物的方法，该方法是利用预测的已知的化学药物光谱和样品测得的红外光谱进行组合，由计算机的自动分析给出特征值，便可获得样品中是否含有所关注的化学药物。它适合于在中药形成的复杂红外吸收光谱本底中对化学药物光谱结构判读，进而提取出相关的化学成分，有利于快速和半定量地给出相关化学的含量，从而大大地简化了对中药中化学药物检验的复杂性和难度。该发明专利介绍了测量与分析的基本过程，包括样品制备，测量方法、谱图分析方法和实现低漏检率和高灵敏度分析途径的取值函数等。
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公开(公告)号：CN105833886A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610156678.8
申请日：2016-03-18
Applicant: 华东师范大学
IPC: B01J27/057 , B01J35/08 , B01J35/10 , B01J37/10 , C02F1/30 , C02F101/38
CPC classification number: B01J27/0573 , B01J35/004 , B01J35/08 , B01J35/1004 , B01J37/10 , C02F1/30 , C02F2101/308 , C02F2101/40 , C02F2305/10
Abstract: 本发明公开了一种MoSe2纳米片复合烟花状TiO2纳米棒阵列，其包括TiO2纳米棒阵列和MoSe2纳米片；所述MoSe2纳米片均匀且大量分布在所述TiO2纳米棒阵列的表面，在阵列表面具有良好复合；所述TiO2纳米棒阵列是由TiO2纳米棒自组装形成的。为本发明还公开了所述MoSe2纳米片复合烟花状TiO2纳米棒阵列的制备方法，采用两步溶剂热法使MoSe2纳米片均匀生长在烟花状的TiO2纳米棒阵列上，得到良好复合形貌的材料。所制备的半导体材料具有增大的光谱吸收范围和比表面积，降低的载流子复合几率，具有良好的光催化降解性能，在光催化降解领域有巨大应用潜力。本发明制备方法具有操作简单，产量高，制备成本低等优点。
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公开(公告)号：CN104192908A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410421129.X
申请日：2014-08-25
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开一种纳米球包围的MoS2微米空心球结构半导体材料，包括MoS2微米级大球和MoS2纳米级小球，纳米小球均匀分散地生长在微米大球表面；其中，所述的MoS2微米大球是空心的薄球壳，纳米小球则是洋葱状结构，由一层层的球壳嵌套而成，中心小部分是空心的。本发明还公开了纳米球包围的MoS2微米空心球结构半导体材料的制备方法，仅用一步水热法制备出两种直径的MoS2球状结构。本发明制备方法具有操作简单，产物杂质少，制备成本低等优点。本发明材料在光催化工业废水和场发射领域有极大发展潜力。
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