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公开(公告)号：CN105810704A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610145799.2
申请日：2016-03-15
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L27/146 , G01J5/20
CPC分类号： H01L27/146 , G01J5/20 , G01J2005/0077 , G01J2005/204
摘要： 本发明公开了一种广谱成像探测芯片。包括热辐射结构和光敏阵列。广谱入射光波进入热辐射结构后，在纳尖表面激励产生等离激元，驱动图形化金属膜中的自由电子向纳尖产生振荡性集聚，纳尖收集的自由电子与等离激元驱控下涌入的自由电子相叠合，产生压缩性脉动，使电子急剧升温并向周围空域发射主要成分为可见光的热电磁辐射，光敏阵列将热电磁辐射转换为电信号，经预处理后得到电子图像数据并输出。本发明能将广谱入射光波基于压缩在纳空间中的高温电子运动实现二次可见光辐射进而执行光电转换与成图操作，具有波谱适用范围宽、光电灵敏度高、光电响应快以及成本相对低廉的特点。
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公开(公告)号：CN105486415A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510891512.6
申请日：2015-12-04
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G01J9/00
CPC分类号： G01J9/00
摘要： 本发明公开了一种可寻址测量局域波前的成像探测芯片，包括可寻址加电液晶微光学结构、面阵可见光探测器和驱控预处理模块；液晶微光学结构被划分成可独立施加电驱控信号的多个液晶微光学块，各液晶微光学块具有相同的面形和结构尺寸，被加电液晶微光学块为液晶微透镜阵列块，其余未加电液晶微光学块为液晶相移板块；被液晶微光学块化的液晶微光学结构将与其对应的面阵可见光探测器划分成同等面形和规模的面阵可见光探测器块，并且各面阵可见光探测器块包含同等数量和排布方式的探测器。本发明具有执行可寻址选择及变更局域波前测量的成像探测效能，使用方便，易与常规成像光学系统耦合。
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公开(公告)号：CN105549232B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201510901830.6
申请日：2015-12-08
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种双模一体化电控液晶光开关阵列。阵列化排布的液晶微光学结构在双路时序电信号驱控下呈现为电控液晶聚光微透镜阵列或电控液晶散光微透镜阵列，源于同一液晶微光学结构的每单元液晶聚光微透镜与每单元液晶散光微透镜有相同光轴；在聚光模式下，在一组相互匹配的双路电信号驱控下形成的液晶聚光微透镜对入射光波实施可调焦聚光操作，构成光开关的开启态；在散光模式下，在另一组相互匹配的双路电信号驱控下形成的液晶散光微透镜对入射光束实施可控光发散程度的散光操作。本发明通过加载相应的双路电信号，完成纤光束间的光波通断操作，开关的驱控方式灵活，适用于波谱范围宽、光强变动范围大的光纤/光缆系统。
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公开(公告)号：CN105467628B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201510897626.1
申请日：2015-12-07
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G02F1/13 , G02F1/133 , G02F1/1333
摘要： 本发明公开了一种混合集成电控液晶光开关阵列，包括：被混合集成的电控液晶聚光微透镜阵列和电控液晶散光微透镜阵列，每单元液晶聚光微透镜与每单元液晶散光微透镜的光轴重合；在加电态下，聚光微透镜在不同均方幅度的电驱控信号作用下实施光束的可调焦聚光操作，散光微透镜在不同均方幅度的电驱控信号作用下实施光束的可控发散程度散光操作；在断电态下，液晶聚光微透镜与散光微透镜被转换为仅延迟光波相位的液晶相移板；液晶聚光微透镜与散光微透镜被断电后形成的液晶相移板构成光开关的开启态。本发明的混合集成电控液晶光开关阵列可完成电控光束通断操作，适用于波谱范围宽、波束强度变化范围大的光纤或光缆系统。
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公开(公告)号：CN105739131B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201610147940.2
申请日：2016-03-15
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G02F1/01
摘要： 本发明公开了一种可寻址电调光反射率薄膜。包括阴极，阳极阵列，以及设置在阴极和阳极阵列间的介电层；阳极阵列由M×N元阵列分布的阳极单元构成，阳极单元由规则排列且相互连通的多个子电极构成，可寻址电调光反射率薄膜被划分为M×N元阵列分布的电调光反射率单元，阳极单元与电调光反射率单元一一对应，构成电调光反射率单元的阳极，所有电调光反射率单元共用阴极；通过阳极单元和阴极对电调光反射率单元执行独立加电操作，进而通过调变加载在电调光反射率单元上的电压信号，实现可寻址电调光反射率的控光操作。本发明具有偏振不敏感、驱控灵活、调光响应快以及反射光强变动范围大的特点。
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公开(公告)号：CN105929567A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610392288.0
申请日：2016-06-03
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G02F1/01
CPC分类号： G02F1/0102 , G02F1/0121
摘要： 本发明公开了一种双路电控纳线簇电极的电调光透射薄膜，其包括：由纳米尺度间隔的纳线簇高密度排布构成的图案化公共电极以及分布在其上端和下端的顶面阴极和底面金属纳膜阴极，顶面阴极和图案化公共电极均由透光的纳米厚度的同材质膜制成，底面金属纳膜阴极由纳米厚度的金属膜制成；顶面阴极和图案化公共电极以及图案化公共电极与底面金属纳膜阴极间均填充有纳米厚度的同材质光学介质材料。本发明双路电控纳线簇电极的电调光透射薄膜，可对入射光波的透射行为执行精细电控调变，具有适用于宽谱域及较强光束、偏振不敏感、调光响应快的特点。
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公开(公告)号：CN105866982A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610353247.0
申请日：2016-05-25
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G02F1/01
CPC分类号： G02F1/0121
摘要： 本发明公开了一种基于金属纳尖阵电极的电调透射光薄膜，其包括：由纳米尺度间隔的纳尖高密度排布构成的一层纳米厚度的金属纳尖阵阴极和一层纳米厚度的平面阳极，该阳极由透光的纳米厚度的金属氧化物导电膜制成，阴阳电极间填充有由纳米厚度的透明光学介质材料制成的电隔离膜；在加电态下，金属纳尖阵阴极上可自由移动的电子被电极间所激励的电场驱控，向纳尖顶聚集，纳尖底部及相邻尖端间的平坦区域上的自由电子分布密度因部分甚至绝大多数自由电子被抽走而减少甚至急剧降低，对应于有自由电子密集分布的各尖顶的光透过率将减弱。本发明可对光透过率执行电控调变，具有适用于较宽谱域及较强光束、偏振不敏感、驱控灵活以及调光响应快的特点。
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公开(公告)号：CN105549232A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510901830.6
申请日：2015-12-08
申请人： 华中科技大学
CPC分类号： G02F1/1313 , G02F1/13306 , G02F1/31 , G02F2001/294 , G02F2001/311
摘要： 本发明公开了一种双模一体化电控液晶光开关阵列。阵列化排布的液晶微光学结构在双路时序电信号驱控下呈现为电控液晶聚光微透镜阵列或电控液晶散光微透镜阵列，源于同一液晶微光学结构的每单元液晶聚光微透镜与每单元液晶散光微透镜有相同光轴；在聚光模式下，在一组相互匹配的双路电信号驱控下形成的液晶聚光微透镜对入射光波实施可调焦聚光操作，构成光开关的开启态；在散光模式下，在另一组相互匹配的双路电信号驱控下形成的液晶散光微透镜对入射光束实施可控光发散程度的散光操作。本发明通过加载相应的双路电信号，完成纤光束间的光波通断操作，开关的驱控方式灵活，适用于波谱范围宽、光强变动范围大的光纤/光缆系统。
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公开(公告)号：CN105467628A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510897626.1
申请日：2015-12-07
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G02F1/13 , G02F1/133 , G02F1/1333
CPC分类号： G02F1/1313 , G02F1/13306 , G02F1/1333
摘要： 本发明公开了一种混合集成电控液晶光开关阵列，包括：被混合集成的电控液晶聚光微透镜阵列和电控液晶散光微透镜阵列，每单元液晶聚光微透镜与每单元液晶散光微透镜的光轴重合；在加电态下，聚光微透镜在不同均方幅度的电驱控信号作用下实施光束的可调焦聚光操作，散光微透镜在不同均方幅度的电驱控信号作用下实施光束的可控发散程度散光操作；在断电态下，液晶聚光微透镜与散光微透镜被转换为仅延迟光波相位的液晶相移板；液晶聚光微透镜与散光微透镜被断电后形成的液晶相移板构成光开关的开启态。本发明的混合集成电控液晶光开关阵列可完成电控光束通断操作，适用于波谱范围宽、波束强度变化范围大的光纤或光缆系统。
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公开(公告)号：CN105826341B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201610145847.8
申请日：2016-03-15
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种可寻址层析视场的液晶基成像探测芯片。包括面阵电控液晶成像微透镜和面阵光敏探测器，其中，单元电控液晶成像微透镜用于对目标通过物镜形成的压缩光场执行进一步的汇聚式压缩，通过调变加载在所述面阵电控液晶成像微透镜上的信号电压的均方幅值，调变所述单元电控液晶成像微透镜的光汇聚能力，进而调变由物镜和所述单元电控液晶成像微透镜共同确定的目标对焦平面，从而在深度方向上改变能清晰成像的目标图层，执行成像视场在深度方向上的可寻址层析检录。该芯片易与其它功能性光学、光电及电子学结构耦合，易于插入常规成像光路中替换传统光敏成像芯片执行寻址层析视场式的成像探测。
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