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公开(公告)号：CN105758531A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610242421.4
申请日：2016-04-19
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01J5/20
CPC分类号： G01J5/20 , G01J2005/204
摘要： 本发明公开了一种非制冷红外探测器的真空封装组件。热电致冷器通过金属焊料焊接在外壳上，热电致冷器的引线焊接在外壳的热电致冷器电连针上；具有吸附气体功能的吸气剂与外壳的吸气剂针通过电阻焊工艺进行连接，具有特定造型的不锈钢金属薄片焊接在吸气剂与热电致冷器之间；非制冷红外探测器芯片粘贴在热电致冷器的冷端面上，然后通过键合工艺与外壳上的芯片电连针连接；窗口与管帽通过金属焊料焊接，然后与外壳平行缝焊密封；平行缝焊完成后将组合件通过排气管与一真空装置的腔体连接，并使组合件处于一定温度下，排气一段时间；排气结束后，冷夹封排气管，封口涂布保护胶。
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公开(公告)号：CN105444894A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510868727.6
申请日：2015-12-01
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01J5/20
CPC分类号： G01J5/20 , G01J2005/204
摘要： 本发明公开了一种非制冷红外探测器的真空封装组件。热电致冷器通过金属焊料焊接在外壳上，热电致冷器的引线焊接在外壳的热电致冷器电连针上；具有吸附气体功能的吸气剂与外壳的吸气剂针通过电阻焊工艺进行连接，具有特定造型的不锈钢金属薄片焊接在吸气剂与热电致冷器之间；非制冷红外探测器芯片粘贴在热电致冷器的冷端面上，然后通过键合工艺与外壳上的芯片电连针连接；窗口与管帽通过金属焊料焊接，然后与外壳平行缝焊密封；平行缝焊完成后将组合件通过排气管与一真空装置的腔体连接，并使组合件处于一定温度下，排气一段时间；排气结束后，冷夹封排气管，封口涂布保护胶。
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公开(公告)号：CN104969045B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201380054956.3
申请日：2013-08-20
IPC分类号： G01J5/02 , G01J5/20 , H01L27/144
CPC分类号： H01L31/02019 , G01J5/023 , G01J5/0235 , G01J5/024 , G01J5/20 , G01J2005/204 , H01L27/1446
摘要： 一种用于制造半导体装置的方法包括在互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺期间在衬底(100)上形成至少一个牺牲层(106，108，110)。在所述至少一个牺牲层的顶部上沉积吸收体层(130)。去除所述至少一个牺牲层(106，108，110)的在所述吸收体层下方的一部分以形成间隙(G1)，所述吸收体层的一部分悬挂在所述间隙上方。所述牺牲层能够是CMOS工艺的氧化物，所述氧化物被利用选择性氢氟酸气相干式蚀刻释放工艺去除以形成间隙。所述牺牲层也能够是聚合物层，其中，所述聚合物层被利用氧气等离子体蚀刻工艺去除以形成间隙。
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公开(公告)号：CN101688810A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880023504.8
申请日：2008-05-28
申请人： 派洛斯有限公司
CPC分类号： G01J5/34 , G01J5/00 , G01J5/0205 , G01J5/0225 , G01J5/023 , G01J5/04 , G01J5/041 , G01J5/045 , G01J5/14 , G01J5/22 , G01J2005/0077 , G01J2005/204 , G01N2021/0106 , H01L27/14683 , H01L41/0973 , Y10T156/10
摘要： 本发明涉及一种用于检测热辐射的装置，其包括：至少一个膜，上面安装用于将所述热辐射转换为电信号的至少一个热检测器元件；以及至少一个电路支撑件，其用于承载所述膜且用于承载用于读出所述电信号的至少一个读出电路，所述检测器元件和所述读出电路通过穿过所述膜的电触点电连接在一起。另外，提供一种制造所述装置的方法，其具有以下方法步骤：a)提供具有所述检测器元件的所述膜和至少一个电直通连接，且提供所述电路支撑件，和b)以所述检测器元件和所述读出电路通过穿过所述膜的电触点电连接在一起的方式将所述膜和所述电路支撑件合在一起。更好以晶圆级实施制造活动：将经功能化的硅衬底堆叠在彼此上，彼此稳固地接合，且随后被分割为个别元件。更好地，所述检测器元件包括热电检测器元件。所述装置适用于运动检测器、存在检测器和热成像照相机。
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公开(公告)号：CN107150995A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710328762.8
申请日：2017-05-11
申请人： 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC分类号： B81B7/02 , B81B7/0009 , B81C1/00103 , B81C1/00476 , G01J5/20 , G01J2005/0077 , G01J2005/204
摘要： 本发明涉及一种偏振敏感型非制冷红外探测器，包括第一层悬空结构，所述第一层悬空结构为现有非制冷红外探测器，所述第一层悬空结构上设有第二层悬空结构，所述第二层悬空结构包括光栅支撑层和设置在支所述光栅撑层上的金属光栅结构，能够简化光学系统，提升图像的真实性与有效性；还涉及上述偏振敏感型非制冷红外探测器的制备方法，包括以下步骤：步骤1.在未进行结构释放的现有非制冷红外探测器上制备第二层牺牲层和光栅支撑层；步骤2.制备金属光栅结构；步骤3.结构释放，形成偏振敏感型非制冷红外探测器。
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公开(公告)号：CN106813782A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710083200.1
申请日：2017-02-16
申请人： 东莞传晟光电有限公司
IPC分类号： G01J5/20
CPC分类号： G01J5/20 , G01J2005/204
摘要： 本发明公开了一种微型贴装红外热释电传感器，包括金属管体、金属管帽、基座、PCB电路板、感应单元、传感器信号调理芯片及若干金属引线；所述金属管体与金属管帽配合封接成金属壳体，所述金属壳体之内安装所述基座，基座上安装所述PCB电路板，PCB电路板朝向金属管帽的一侧电连接感应单元，PCB电路板朝向金属管体的一侧电连接传感器信号调理芯片，所述金属引线插接在基座上并与PCB电路板电连接。本发明噪音抑制能力强、封接成本低灵活性高、密封性和可靠性高。
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公开(公告)号：CN106768387A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710179151.1
申请日：2017-03-23
申请人： 合肥芯福传感器技术有限公司
IPC分类号： G01J5/24
CPC分类号： G01J5/24 , G01J2005/204
摘要： 本发明提供一种用于MEMS图像传感器的像元阵列，由多个像元在二维平面上重复排列组成，所述像元包括衬底和微桥，所述微桥通过桥墩固定在衬底上，并通过桥墩中的引线将微桥上产生的电信号传递至衬底上的读出电路，在所述像元阵列中，每个桥墩引出多个臂，同时与多个像元连接。本发明通过将一个桥墩引出多个臂来连接多个像元，可以有效减少像元阵列中的桥墩个数，扩大电磁波吸收面积，提高像元的响应速率，应用于MEMS图像传感器中则显著提高产品的信噪比、灵敏度等特性。另外，更少的桥墩数量有益于像元阵列制作流程的简化，从而节约成本，提高良品率。
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公开(公告)号：CN106092334A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610566514.2
申请日：2016-07-19
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC分类号： G01J5/20
CPC分类号： G01J5/20 , G01J2005/103 , G01J2005/204
摘要： 本发明涉及一种基于碳纳米红外吸收层的红外探测器，包括第一氮化硅层，所述第一氮化硅层向下依次为第一碳纳米红外吸收层，第二氮化硅层，热敏电阻层和第四氮化硅层；所述第一氮化硅层、第一碳纳米红外吸收层和第二氮化硅层构成红外探测器的宽波段红外吸收复合膜；所述第四氮化硅层和金属反射层之间通过支撑桥墩形成红外吸收谐振腔；所述金属反射层位于硅衬底之上。本发明的红外探测器能够实现宽波段红外吸收增强，从而提高器件的探测灵敏度，器件结构简单，兼容MEMS工艺，适合批量生产。
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公开(公告)号：CN105161564A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510607541.5
申请日：2015-09-22
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/09 , H01L27/146 , G01J5/20
CPC分类号： H01L31/09 , G01J5/20 , G01J2005/204 , H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种适用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面。将等离激元微腔集成到QWIP焦平面像元，该微腔能够有效地捕获入射光子，将其局域在等离激元微腔内形成横向传播的法布里-珀罗共振驻波，并且与微腔中的QWIP耦合转化为光电流从而提升焦平面器件的响应率性能。共振驻波的中心波长取决于微腔的几何尺寸，在不同的焦平面像元上设计制备不同尺寸的微腔将使像元的响应峰值波长也各不相同，形成像元的波段选择性响应。将所选择的波段与高光谱分光波段相对应地分布在焦平面像元上，使高光谱成像应用中各波段的像元响应率得的选择性提升，从而提升整个高光谱成像焦平面的探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN104969045A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201380054956.3
申请日：2013-08-20
IPC分类号： G01J5/02 , G01J5/20 , H01L27/144
CPC分类号： H01L31/02019 , G01J5/023 , G01J5/0235 , G01J5/024 , G01J5/20 , G01J2005/204 , H01L27/1446
摘要： 一种用于制造半导体装置的方法包括在互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺期间在衬底(100)上形成至少一个牺牲层(106，108，110)。在所述至少一个牺牲层的顶部上沉积吸收体层(130)。去除所述至少一个牺牲层(106，108，110)的在所述吸收体层下方的一部分以形成间隙(G1)，所述吸收体层的一部分悬挂在所述间隙上方。所述牺牲层能够是CMOS工艺的氧化物，所述氧化物被利用选择性氢氟酸气相干式蚀刻释放工艺去除以形成间隙。所述牺牲层也能够是聚合物层，其中，所述聚合物层被利用氧气等离子体蚀刻工艺去除以形成间隙。
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