公开(公告)号：CN107925732B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201680048916.1

申请日：2016-08-24

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 石井基范 ,  广濑裕 ,  山田翔太

IPC分类号： H04N5/365 ,  H01L27/146 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

CPC分类号： H04N5/365 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14645 ,  H04N5/367 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

摘要： 摄像装置(200)是，包括具有排列为二维状的多个像素(204)的固体摄像装置(201)以及对来自固体摄像装置(201)的输出信号进行处理的信号处理装置(202)的装置，根据向像素(204)内的信号蓄积部直接施加第一电压振幅而获得的第一暂时校正信号、和向所述信号蓄积部施加与所述第一电压振幅不同的第二电压振幅而获得的第二暂时校正信号的差分来生成校正信号，固体摄像装置(201)进行拍摄驱动来获得图像信号，对所述图像信号适用所述校正信号从而生成校正图像。

公开(公告)号：CN109690777A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201780052894.0

申请日：2017-05-30

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 间瀬光人 ,  平光纯 ,  岛田明洋

IPC分类号： H01L27/144 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374 ,  G01S7/481 ,  G01S17/89 ,  H01L27/146

CPC分类号： G01S7/481 ,  G01S17/89 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374

摘要： 距离传感器具备硅基板和传送电极。硅基板具备相互相对的第一主面和第二主面。在硅基板的第一主面侧设置有根据入射光产生电荷的电荷产生区域和收集来自电荷产生区域的电荷的电荷收集区域。传送电极在第一主面上配置于电荷产生区域和电荷收集区域之间。传送电极根据输入的信号使电荷从电荷产生区域流入电荷收集区域。在第二主面的至少与电荷产生区域对应的区域形成有多个凸部。多个凸部具有相对于硅基板的厚度方向倾斜的斜面。在凸部中硅基板的(111)面作为斜面露出。凸部的高度为200nm以上。

公开(公告)号：CN109564929A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780047587.3

申请日：2017-08-25

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 驹井尚纪

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L23/12 ,  H04N5/369

CPC分类号： H01L27/14645 ,  H01L23/12 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683

摘要： 本公开涉及一种能够进一步减小芯片尺寸的固态成像器件、固态成像器件的制造方法以及电子设备。所述固态成像器件包括：半导体基板，所述半导体基板设有像素区域，在所述像素区域上多个像素以平面方式配置；配线层，所述配线层层叠在所述半导体基板上并且设有与多个所述像素连接的配线；和支撑基板，所述支撑基板接合到所述配线层并且支撑所述半导体基板。用于电连接到外部的多个电极焊盘配置在所述配线层中的在所述半导体基板的平面图中与所述像素区域重叠的位置处，以及在所述支撑基板中的与多个所述电极焊盘相对应的位置处设有贯通孔。例如，本技术可以适用于晶圆级CSP中的背面照射型CMOS图像传感器。

公开(公告)号：CN109564926A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780046395.0

申请日：2017-06-27

申请人： 索尼公司

发明人： 坂东雅史 ,  茂木英昭 ,  八木岩 ,  平田晋太郎 ,  山口哲司

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L27/30 ,  H01L51/42 ,  H04N5/369

CPC分类号： H01L27/14623 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/30 ,  H01L27/307 ,  H01L51/42 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/442 ,  H04N5/369 ,  Y02E10/549

摘要： 一种摄像元件，其包括：由电子输运材料、有机色素材料和空穴输运材料混合形成的有机光电转换层13。所述电子输运材料具有比所述有机色素材料的电子迁移率更高的电子迁移率。所述空穴输运材料具有比所述有机色素材料的空穴迁移率更高的空穴迁移率。所述电子输运材料和所述有机色素材料的电子亲和力的值之间的关系、所述空穴输运材料和所述有机色素材料的电离势的值之间的关系、以及所述电子输运材料的电子亲和力的值与所述空穴输运材料的电离势的值之间的关系都具有预定的关系。

公开(公告)号：CN109075181A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780022788.8

申请日：2017-06-29

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 中田学 ,  井土真澄 ,  町田真一 ,  井上恭典

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/02 ,  H01L31/10 ,  H04N5/374 ,  H04N9/07

CPC分类号： H01L27/307 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14667 ,  H01L27/14669 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0069 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0084 ,  H01L51/4246 ,  H04N5/33 ,  H04N5/374 ,  H04N9/045 ,  H04N9/07

摘要： 本公开的摄像装置具备包括将入射的光变换为电荷的光电变换部的至少1个单位像素单元。光电变换部包括：第1电极；透光性的第2电极；第1光电变换层，配置在第1电极及第2电极之间，包含对于第1波长具有吸收峰值的第1材料；以及第2光电变换层，配置在第1电极及第2电极之间，包含对于与第1波长不同的第2波长具有吸收峰值的第2材料。第1材料的离子势的绝对值比第2材料的离子势的绝对值大0.2eV以上。

公开(公告)号：CN109037250A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201710438624.5

申请日：2017-06-12

申请人： 上海耕岩智能科技有限公司

发明人： 曾弘毅 ,  黄建东

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14692 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14658 ,  H01L31/00 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/105 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683

摘要： 本发明提供了一种影像侦测显示装置、器件及其制备方法，所述影像侦测薄膜包括影像侦测二极管区域，所述影像侦测二极管区域包括光敏二极管，所述光敏二极管包括p型半导体层、i型半导体层、n型半导体层，所述p型半导体层、i型半导体层、n型半导体层从上至下依次堆叠设置；所述i型半导体层为均质结构，所述均质结构为结晶度自上而下按照预设梯度变化、由非晶硅变化至微晶硅的共存结构。由于每一光敏二极管的i型结构采用由非晶硅变化至微晶硅的共存结构，可以将器件侦测的波长范围从原有可见光范围拓展至红外光或近红外光范围，并改善i型半导体层光劣化效应的程度，拓宽了影像侦测器件的适用场景。

公开(公告)号：CN108963015A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201710348713.0

申请日：2017-05-17

申请人： 上海耕岩智能科技有限公司

发明人： 黄建东

IPC分类号： H01L31/028 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0376 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L27/14692 ,  H01L27/146 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/1013 ,  H01L31/1055 ,  H01L31/028 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/0376 ,  H01L33/0054

摘要： 本发明提供了一种光侦测薄膜、器件、显示装置、光敏二极管的制备方法，光侦测薄膜包括光侦测二极管区域，所述光侦测二极管区域包括光敏二极管，每一光敏二极管电性连接至其对应的该薄膜晶体管，所述光侦测二极管区域的每一光敏二极管是由双结或双结以上p型/i型/n型结构串接堆叠形成。光电二极管第一层p型/i型/n型材料为非晶硅结构，第二p型/i型/n型材料或第二层以上的p型/i型/n型材料可以为微晶结构、或是掺有可扩展光敏波长范围之非结晶化合物材料。相较于采用只包含一层p型/i型/n型结构的光侦测薄膜的器件，本发明可以有效提高器件的光电转换量子效率以及拓展光侦测的波长范围。

公开(公告)号：CN108886048A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780019068.6

申请日：2017-03-17

申请人： 索尼公司

发明人： 水田恭平

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H04N5/355 ,  H04N5/374

CPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/146 ,  H04N5/355 ,  H04N5/374

摘要： 本技术涉及一种能够在像素中设置电容元件的情况下防止成像装置的灵敏度降低的成像装置，成像装置的制造方法和电子装置。成像装置包括在像素中的光电转换元件和累积由光电转换元件产生的电荷的电容元件。电容元件包括：第一电极，包括多个沟槽；多个第二电极，每个第二电极的横截面积小于连接到像素中的晶体管的栅极的触点，并且埋入每个沟槽中；以及第一绝缘膜，设置在第一电极和每个沟槽中的第二电极之间。本技术例如可以应用于背面照射型CMOS图像传感器。

公开(公告)号：CN108780803A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780019060.X

申请日：2017-03-15

申请人： 索尼公司

发明人： 城户英男 ,  多田正裕 ,  丰岛隆宽 ,  馆下八州志 ,  岩田晃

IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374

CPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374

摘要： 本技术涉及可以扩展具有高灵敏度像素和低灵敏度像素的像素的动态范围的固态成像装置及电子设备。所述固态成像装置包括像素阵列单元，其中多个像素以二维方式排列，其中所述像素包括第一光电转换单元和具有比第一光电转换单元更低灵敏度的第二光电转换单元，且第二光电转换单元在光进入的光轴方向上的尺寸小于第一光电转换单元在光轴方向上的尺寸。本技术可以应用于例如背面照射CMOS图像传感器。

公开(公告)号：CN108476294A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680077174.5

申请日：2016-12-14

申请人： 东芝电子管器件株式会社

发明人： 鬼桥浩志

IPC分类号： H04N5/32 ,  G01T7/00 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H04N5/353

CPC分类号： G01T1/208 ,  G01T1/2018 ,  G01T7/00 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14663 ,  H01L29/786 ,  H04N5/32 ,  H04N5/353

摘要： 实施方式的放射线检测器包括：基板；设置在所述基板上并向第一方向延伸的多条控制线；设置在所述基板上并向与所述第一方向相交的第二方向延伸的多条数据线；光电转换部，该光电转换部设置于由所述多条控制线和所述多条数据线划分成的多个区域中的每一个，并具有与对应的所述控制线以及对应的所述数据线电连接的薄膜晶体管和光电转换元件；与所述多条控制线电连接并对多个所述薄膜晶体管的导通状态和截止状态进行切换的控制电路；与所述多条数据线电连接的信号检测电路；与所述信号检测电路电连接的基准电位部；以及与所述信号检测电路电连接的判定部。所述信号检测电路在所述薄膜晶体管处于截止状态时，经由所述数据线检测第一电流积分值，并且对来自所述基准电位部的第二电流积分值进行检测。所述判定部基于检测到的所述第一电流积分值与所述第二电流积分值之差来判定放射线的入射开始时刻。