公开(公告)号：CN115161761B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202210735594.5

申请日：2022-06-27

申请人： 华中科技大学

发明人： 翟天佑 ,  刘立昕

IPC分类号： C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  C30B29/64

摘要： 本发明公开了一种晶圆级二维氧化锑单晶薄膜的批量化制备方法及产品，属于二维无机分子单晶薄膜制备领域，方法以无机分子晶体Sb2O3粉末为蒸发源，以单晶范德华层状材料为生长衬底，采用热蒸镀的方法将Sb2O3分子沉积到所述生长衬底上，所述生长衬底温度40℃‑200℃，通过所述生长衬底诱导Sb2O3晶核单一取向、抑制其他取向的作用，形成取向一致的Sb2O3单晶晶粒，随着反应时间的延长Sb2O3单晶晶粒逐渐拼接成晶圆级Sb2O3单晶薄膜；所述单晶范德华层状材料为单晶石墨或h‑BN。本发明工艺流程简单且可控性强，得到的Sb2O3单晶薄膜尺寸大、有望应用于晶圆级薄膜的工业化批量生产。

公开(公告)号：CN115161761A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210735594.5

申请日：2022-06-27

申请人： 华中科技大学

发明人： 翟天佑 ,  刘立昕

IPC分类号： C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  C30B29/64

摘要： 本发明公开了一种晶圆级二维氧化锑单晶薄膜的批量化制备方法及产品，属于二维无机分子单晶薄膜制备领域，方法以无机分子晶体Sb2O3粉末为蒸发源，以单晶范德华层状材料为生长衬底，采用热蒸镀的方法将Sb2O3分子沉积到所述生长衬底上，所述生长衬底温度40℃‑200℃，通过所述生长衬底诱导Sb2O3晶核单一取向、抑制其他取向的作用，形成取向一致的Sb2O3单晶晶粒，随着反应时间的延长Sb2O3单晶晶粒逐渐拼接成晶圆级Sb2O3单晶薄膜；所述单晶范德华层状材料为单晶石墨或h‑BN。本发明工艺流程简单且可控性强，得到的Sb2O3单晶薄膜尺寸大、有望应用于晶圆级薄膜的工业化批量生产。

公开(公告)号：CN112185804A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202011003478.1

申请日：2020-09-22

申请人： 华中科技大学

发明人： 翟天佑 ,  刘立昕 ,  刘开朗 ,  李会巧

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本发明属于纳米材料领域，具体涉及一种使用无机分子晶体封装二维材料的结构及其封装与解封装方法。本发明封装方法包括以下步骤：(1)将无机分子晶体升华形成气态无机分子氛围；(2)使气态无机分子在二维材料表面沉积形成保护层。本发明利用无机分子晶体材料为升华源，由于分子晶体之间较弱的作用力，在高真空环境中，较低温度下即可升华，将其沉积到二维材料表面进行封装，所得封装层与二维材料之间通过范德华力相连接，避免改变二维材料表面化学状态，可实现二维材料的无损伤封装，易于实现大规模制备和器件集成，充分利用无机分子晶体的性能，可实现不同二维材料的封装，具有普适性，具有广阔的市场前景。