公开(公告)号：CN101436532B

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200810236930.1

申请日：2008-12-19

申请人： 华中科技大学

发明人： 于军 ,  李建军 ,  王耘波 ,  周文利 ,  高俊雄 ,  闻心怡 ,  吴云翼 ,  周光惺

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8247

摘要： 本发明公开了一种铁电存储器用铁电薄膜的紫外光辅助制备方法，属于微电子信息功能材料与器件领域。本发明铁电存储器用PZT前驱体溶液浓度为0.1～0.3mol/l。每次旋转匀胶后，都对薄膜进行烘烤并辅以均匀紫外光辐照，光照度为10～15mW/cm2，接着进行热解处理，最后PZT薄膜在550～600℃下退火处理。本发明铁电存储器用PZT铁电薄膜为多晶薄膜，具有良好的铁电性能、抗疲劳性能及漏电流特性，且结晶温度低的优点，可与现有的Si半导体工艺兼容。

公开(公告)号：CN101434408A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810236931.6

申请日：2008-12-19

申请人： 华中科技大学

发明人： 于军 ,  吴云翼 ,  王耘波 ,  周文利 ,  高俊雄 ,  李建军 ,  郑朝丹 ,  刘心明

IPC分类号： C01G23/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/54 ,  G11B9/02

摘要： 本发明涉及信息存储薄膜材料领域，公开了一种A位Pr掺杂BTO薄膜材料，它是由镨、铋、钛和氧离子组成的，其组成分子式为Bi(4－11x/9)PrxTi3O12，x取值为0.3～0.9。该薄膜材料采用射频磁控溅射方法制备，具体为：将Bi(4－11x/9)PrxTi3O12靶材沉积在Pt/TiO2/SiO2/p－Si衬底上，抽至高真空，预溅射，通入氧气和氩气调节工作气压，再次溅射，最后快速退火，得到薄膜。本发明制得的薄膜为随机取向的多晶薄膜，薄膜表面光滑，晶粒尺寸均匀，具有低的漏电流和较好的电滞回线，可与现有CMOS工艺兼容。

公开(公告)号：CN101436532A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810236930.1

申请日：2008-12-19

申请人： 华中科技大学

发明人： 于军 ,  李建军 ,  王耘波 ,  周文利 ,  高俊雄 ,  闻心怡 ,  吴云翼 ,  周光惺

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8247

摘要： 本发明公开了一种铁电存储器用铁电薄膜的紫外光辅助制备方法，属于微电子信息功能材料与器件领域。本发明铁电存储器用PZT前驱体溶液浓度为0.1～0.3mol/l。每次旋转匀胶后，都对薄膜进行烘烤并辅以均匀紫外光辐照，光照度为10～15mW/cm2，接着进行热解处理，最后PZT薄膜在550～600℃下退火处理。本发明铁电存储器用PZT铁电薄膜为多晶薄膜，具有良好的铁电性能、抗疲劳性能及漏电流特性，且结晶温度低的优点，可与现有的Si半导体工艺兼容。

公开(公告)号：CN101429642A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200810236683.5

申请日：2008-12-05

申请人： 华中科技大学

发明人： 于军 ,  郑朝丹 ,  王耘波 ,  刘心明 ,  周文利 ,  高俊雄 ,  吴云翼

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54

摘要： 本发明提供了一种BiFeO3靶材的制备方法，对氧化铋Bi2O3和氧化铁Fe2O3的混合料依次进行研磨、球磨、预烧、再次球磨、造粒、筛选得到靶材，再对靶材进行排胶、烘烤、带压升温、保温和冷却。本发明还提供采用上述BiFeO3靶材制备薄膜的方法，选择Pt/TiO2/SiO2/p－Si衬底，使用射频磁控溅射法制备BiFeO3薄膜，最后对制得的BiFeO3薄膜作退火处理。本发明制备的靶材具有无杂相、平整致密的优点，采用该靶材制备的薄膜表面致密均匀，结晶性能较好，无杂相，漏电流小，电滞回线饱和，疲劳特性好，重复性好。