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公开(公告)号：CN117524268A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311611922.1
申请日：2021-07-14
申请人： 铁电存储器股份有限公司
摘要： 存储器单元布置和操作存储器单元布置的方法。该存储器单元布置包括：存取器件集，每个存取器件配置为经由与其关联的第一和第二控制线集可单独寻址；多个存储器单元，其中的存储器单元配置为经由与其关联的第三和第四控制线集可单独寻址，存取器件集配置为基于供给到第一和第二控制线集的控制电压控制供给到存储器单元布置的第三控制线集的电压；多个存储器单元中的每个包括第一和第二电极部分；多个存储器单元中的每个的第一电极部分连接到存取器件集中对应存取器件，和/或多个存储器单元中的每一者的第一电极部分连接到第四控制线集中对应第四控制线；多个存储器单元中的每一者的第一和/或第二电极部分包括金属材料或至少不包括半导体材料。
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公开(公告)号：CN106876398B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201710192448.1
申请日：2011-06-27
申请人： 薄膜电子有限公司
IPC分类号： H01L27/11502 , H01L27/12 , H01L51/05 , G11C11/22 , G11B9/02
摘要： 本申请涉及含横向尺寸改变吸收缓冲层的铁电存储单元及其制造方法。铁电存储单元(1)和包括一个或多个这样的单元(1)的存储设备(100)。铁电存储单元包括布置在柔性衬底(3)上的层的堆叠(4)。所述堆叠包括电活性部分(4a)和用以保护电活性部分免于划伤和磨损的保护层(11)。所述电活性部分包括底部电极层(5)和顶部电极层(9)以及位于所述电极之间的至少一个铁电存储材料层(7)。该堆叠还包括布置在顶部电极层(9)和保护层(11)之间的缓冲层(13)。缓冲层(13)适于至少部分地吸收发生在保护层(11)内的横向尺寸改变(ΔL)并且因此防止所述尺寸改变(ΔL)转移到电活性部分(4a)，因此减少发生在电极之间的短路风险。
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公开(公告)号：CN103620681B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201280031644.6
申请日：2012-06-21
申请人： 薄膜电子有限公司
IPC分类号： G11B9/02 , H01L27/28 , H01L27/115 , G11C13/00 , G11C11/56
CPC分类号： G11C11/22 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C2213/51 , G11C2213/55 , G11C2213/77 , G11C2213/80 , H01L27/285 , H01L51/0516 , H01L51/0575 , Y10T29/49155
摘要： 电子部件（1）和包括一个或多个这样的部件（1）的电子设备（100）。电子部件（1）包括布置在柔性衬底（3）上的层的堆叠（4）。所述堆叠包括电活性部分（4a）和用以保护电活性部分免于划伤和磨损的保护层（11）。所述电活性部分包括底部电极层（5）和顶部电极层（9）以及位于所述电极之间的至少一个绝缘或半绝缘层（7）。该堆叠还包括布置在顶部电极层（9）和保护层（11）之间的缓冲层（13）。缓冲层（13）适于至少部分地吸收发生在保护层（11）内的横向尺寸改变（ΔL）并且因此防止所述尺寸改变（ΔL）转移到电活性部分（4a），因此减少了发生在电极之间的短路风险。
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公开(公告)号：CN101560218B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200810070911.6
申请日：2008-04-18
申请人： 中国科学院福建物质结构研究所
IPC分类号： C07F3/06 , C07D257/04 , G11B9/02
摘要： 一种非线性光学和铁电材料有机金属配合物涉及5-苯甲酸-四氮唑配体与锌形成的配合物制备和应用。在水热条件下通过原位合成的方法制得。该配合物分子式为[Zn(N4CC6H4COO)]，空间群为Pc(No.7)，单胞参数为α＝γ＝90°，β＝96.162(8)°，Z＝2，单胞体积该材料可应用于制造二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器以及用于存储和恢复信息、传输光信息、图像显示和全息照像中的编页器、铁电光阀阵列作全息照像的存储。
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公开(公告)号：CN101359493B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200810086943.5
申请日：2008-03-28
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11B9/02
CPC分类号： G11B9/02 , B82Y10/00 , G11B9/1409
摘要： 提供一种提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法。该存储设备包括：铁电记录介质；电场传感器，包括源区、漏区和电阻区，所述电阻区将源区电连接到漏区并具有电阻，所述电阻根据由铁电记录介质的电畴的极化电压引起的电场的强度而变化；电压施加单元，在源区和漏区之间施加电压；再现信号检测单元，包括至少一个负电阻器，所述至少一个负电阻器安装在将漏区连接到电压施加单元的电路中，用于检测漏区和所述至少一个负电阻器之间的电压的变化。
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公开(公告)号：CN101168488B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710168369.3
申请日：2007-11-16
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： C04B41/50 , C04B35/462 , G11B9/02
摘要： 本发明公开了一种铁电存储器用柱状掺钕钛酸铋铁电薄膜的制备方法，属于微电子新材料与器件范围。本发明铁电存储器用柱状掺钕钛酸铋铁电薄膜使用溶胶凝胶方法制备，前躯体溶液浓度为0.04～0.05摩尔/升，在每次旋转涂覆后，都对经过烘烤、热解的薄膜进行退火处理，退火时，把薄膜样品从室温、大气环境中直接放入已升温至645～655℃的管式炉中，在空气气氛下，退火5～10分钟。本发明铁电存储器用柱状掺钕钛酸铋铁电薄膜为择优取向的多晶薄膜，晶粒呈柱状且尺寸较大，具有疲劳特性较好和结晶温度较低的优点，可与现有CMOS工艺兼容。
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公开(公告)号：CN101560218A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200810070911.6
申请日：2008-04-18
申请人： 中国科学院福建物质结构研究所
IPC分类号： C07F3/06 , C07D257/04 , G11B9/02
摘要： 一种非线性光学和铁电材料有机金属配合物涉及5－苯甲酸－四氮唑配体与锌形成的配合物制备和应用。在水热条件下通过原位合成的方法制得。该配合物分子式为[Zn(N4CC6H4COO)]，空间群为Pc(No.7)，单胞参数为a＝4.8244(5)，b＝8.2293(11)，c＝10.5946(10)，α＝γ＝ 90°，β＝96.162(8)°，Z＝2，单胞体积V＝418.19(8)3。该材料可应用于制造二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器以及用于存储和恢复信息、传输光信息、图像显示和全息照像中的编页器、铁电光阀阵列作全息照像的存储。
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公开(公告)号：CN101430900A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810174784.4
申请日：2008-11-05
申请人： 原子能委员会
发明人： 萨尔格·吉登
IPC分类号： G11B9/02
摘要： 本发明涉及具有铁电存储层的数据记录载体、其制造方法和包含该数据记录载体的记录系统。本发明特别应用于需要高存储容量的计算机应用或多媒体应用。本发明的数据记录载体(1)包括衬底(2)、在所述衬底上沉积而成并与用于读取和/或写入数据的设备的电极配合工作的反电极(3)和至少能够存储数据并具有与所述反电极紧密接触的第一面(4a)的一个铁电存储层(4)。根据本发明，所述反电极由含碳材料组成的物质制成，该含碳材料选自石墨形态的碳、非晶金刚石形态的碳、除离子碳化物之外的金属或非金属碳化物及其混合物。
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公开(公告)号：CN103650046A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201180071905.2
申请日：2011-06-27
申请人： 薄膜电子有限公司
IPC分类号： G11B9/02 , H01L27/28 , H01L27/115 , G11C13/00 , G11C11/56
CPC分类号： H01L27/11507 , G11B9/02 , G11C11/161 , G11C11/22 , H01L23/562 , H01L27/0248 , H01L27/11502 , H01L27/1203 , H01L28/40 , H01L28/55 , H01L28/75 , H01L43/02 , H01L43/12 , H01L51/0591 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 铁电存储单元（1）和包括一个或多个这样的单元（1）的存储设备（100）。铁电存储单元包括布置在柔性衬底（3）上的层的堆叠（4）。所述堆叠包括电活性部分（4a）和用以保护电活性部分免于划伤和磨损的保护层（11）。所述电活性部分包括底部电极层（5）和顶部电极层（9）以及位于所述电极之间的至少一个铁电存储材料层（7）。该堆叠还包括布置在顶部电极层（9）和保护层（11）之间的缓冲层（13）。缓冲层（13）适于至少部分地吸收发生在保护层（11）内的横向尺寸改变（ΔL）并且因此防止所述尺寸改变（ΔL）转移到电活性部分（4a），因此减少了发生在电极之间的短路风险。
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公开(公告)号：CN102760458A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210194943.3
申请日：2008-03-28
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G11B9/02 , B82Y10/00 , G11B9/1409
摘要： 本发明提供一种提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法。该存储设备包括：铁电记录介质；电场传感器，包括源区、漏区和电阻区，所述电阻区将源区电连接到漏区并具有电阻，所述电阻根据由铁电记录介质的电畴的极化电压引起的电场的强度而变化；电压施加单元，在源区和漏区之间施加电压；再现信号检测单元，包括至少一个负电阻器，所述至少一个负电阻器安装在将漏区连接到电压施加单元的电路中，用于检测漏区和所述至少一个负电阻器之间的电压的变化。
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