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公开(公告)号：CN112652402B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202011462314.5
申请日：2020-12-11
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G16H50/80 , G01N33/543 , G01N33/569 , G16B5/00
摘要： 本发明公开了一种基于磁纳米粒子谐波响应的病毒检测方法及系统，属于纳米测试技术领域，包括：分别产生交流磁场和直流偏置磁场并叠加为混合磁场；测量免疫检定试剂在混合磁场中的交流磁化响应，以测量出免疫检定试剂的二次及以上各次谐波响应；将免疫检定试剂与病毒样本混合，使功能性磁纳米粒子与目标抗原发生特异性结合，得到混合溶液；测量混合溶液在混合磁场中的交流磁化响应，以测量出混合溶液二次及以上的各次谐波响应；分别利用免疫检定试剂和混合溶液的二次及以上各次谐波响应计算免疫检定试剂和混合溶液的检测特征，若两个检测特征的差异程度超过预设的阈值，则判定病毒样本中含有目标病毒。本发明能够同时提升病毒检测的效率和灵敏度。
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公开(公告)号：CN113280940A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110575560.X
申请日：2021-05-26
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G01K7/36
摘要： 本发明公开了一种磁纳米温度测量方法及系统，属于磁光测试技术领域，包括：S1、测量磁纳米涂层的磁光克尔角；其中，磁纳米涂层置于待测区域上；磁纳米涂层的居里温度大于待测区域的温度；S2、基于磁纳米涂层的磁光克尔角与磁化强度的线性关系，得到磁纳米涂层的磁化强度；S3、基于居里外斯定律，根据磁纳米涂层的磁化强度，计算得到磁纳米涂层的温度，即待测区域的温度。本发明为非接触式、非侵入式测量，且其中测量磁纳米涂层的磁光克尔角所用的光不限于红外光，也可以是可见光，可以根据不同的测量场景进行选取，能够在不同特殊环境下对待测区域进行非侵入式的温度测量。
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公开(公告)号：CN106073725B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201610484800.4
申请日：2016-06-24
IPC分类号： A61B5/01
摘要： 本发明公开一种基于交流磁化强度奇次谐波的磁纳米温度测量方法，其步骤如下：将磁纳米样品放置于待测对象区；在磁纳米样品所在区域内利用通电的两对亥姆霍兹线圈产生混频激励磁场；采用一对差分式探测线圈探测磁纳米样品在混频磁场激励下的磁化强度信号；提取磁纳米样品磁化强度信号的各次奇次谐波信号的幅值；建立奇次谐波幅值与温度之间的关系，构建温度反演数学模型，通过反演算法对构建的温度反演数学模型进行求解，获取温度信息。本发明利用在混频磁场激励下，可以测量到更多的有用信号；利用混频磁场激励下丰富的谐波信息与温度的关系构建方程，回避了难以测量的谐波，提高了测量精度；有助于研究混频激励下的磁纳米温度成像方法奠定基础。
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公开(公告)号：CN106137519B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201610504266.9
申请日：2016-06-24
摘要： 本发明公开了一种基于有效弛豫时间的磁纳米温度测量方法，其步骤如下：将磁性纳米颗粒放置在位于非透明物体内部的待测对象区；利用射频磁场对待测对象区的磁性纳米颗粒进行组织加热，同时采用空心式结构的线圈获取磁性纳米颗粒在射频磁场激励下的磁化响应信息；提取磁性纳米颗粒磁化响应信号中任意一个谐波信号的幅值为；以有效弛豫时间为中间变量，以谐波信息构建各次谐波信号的幅值与绝对温度之间的关系，进行求解绝对温度。本发明利用有效弛豫时间建立磁性纳米颗粒的磁化响应谐波幅值信息与温度之间的数学模型，可以快速准确的获取到物体温度信息，尤其是在磁纳米热疗中不用额外添加激励磁场的前提下，在射频场加热的同时实现温度测量。
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公开(公告)号：CN105953939A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610399156.0
申请日：2016-06-07
IPC分类号： G01K7/36
CPC分类号： G01K7/36
摘要： 本发明提供一种混频磁场激励下的磁纳米温度测量方法，包括如下步骤：(1)将磁性纳米颗粒放置于待测对象区；(2)在磁性纳米颗粒所在区域内产生混频激励磁场；(3)探测磁性纳米颗粒在混频磁场激励下的磁化响应谐波信号；(4)提取磁性纳米颗粒磁化响应信号中的各次偶次谐波信号的幅值；(5)根据各次偶次谐波幅值与温度信息之间的关系计算绝对温度阵。本发明利用磁性纳米颗粒在混频磁场激励下，磁化响应信息中含有丰富的偶次谐波信息与温度的关系构建方程，克服了由于激励磁场带来的干扰，同时回避了难以测量的基次谐波信号，即确保该方法在实际应用的可行性的同时提高了温度测量的精度。
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公开(公告)号：CN104515944A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410795646.3
申请日：2014-12-18
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于PID反馈的预失真方法，所述方法包括分别对采集的功率放大器输出信号中正半部分幅值、负半部分幅值和直流分量进行提取进而分别进行PID反馈修正，使功率放大器输出信号随时间的变化而能保持稳定。此外，在功率放大器输出稳定前提下，将基于磁纳米粒子的非接触式测温的方法应用在大功率LED灯结温温度测量。本发明基于PID反馈的预失真修正方法是对功率放大器的放大倍数进行实时调节，使功率放大器输出信号的正半部分幅值、负半部分幅值、直流分量随着时间的变化而均能保持稳定，为实现长时间的LED结温温度测量提供测量基础。
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公开(公告)号：CN115349844B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202210829005.X
申请日：2022-07-14
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： A61B5/0515 , G01R33/12
摘要： 本发明公开了一种基于磁光透射率的磁纳米粒子成像方法及装置，属于纳米材料测试技术领域。通过激光照射待检测目标区域，计算磁纳米粒子的第一透射光强，在外加磁场的作用下，利用磁纳米粒子的磁响应特性使得透过磁纳米粒子的光的透过率发生变化，通过计算变化后的第二透射光强，得到磁纳米粒子的磁光透射率，基于该磁光透射率与磁纳米粒子浓度及温度的关系，可以得到待检测目标区域内的磁纳米粒子的浓度及温度，进而实现对目标区域内磁纳米粒子成像。本发明结合了光学成像的高时空分辨优势，又能够实现在微量造影剂时对组织特异性的功能成像，成像方式简单且成像效果好。
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公开(公告)号：CN109946578A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910127850.0
申请日：2019-02-20
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种基于磁纳米粒子的IGBT结温测量方法，包括：将磁纳米粒子布置在IGBT芯片外壳背部的中心区域，构建IGBT结、IGBT芯片外壳与工作环境的二阶传热模型；构建均匀的交流激励磁场，将带有磁纳米粒子的IGBT芯片放置于所述磁场后，提取磁纳米粒子响应信号的一次谐波幅值；根据一次谐波幅值，计算IGBT芯片外壳背部温度；根据IGBT芯片外壳背部温度、工作环境温度和二阶传热模型，计算IGBT结温。本发明使磁纳米粒子接近IGBT结处，提高IGBT结温测量的精度；利用磁纳米粒子磁化强度的温度敏感特性，测量磁纳米粒子交流磁化强度的一次谐波幅值，得到外壳背部温度，无需破坏IGBT芯片的现有封装，实现非侵入式温度测量；通过二阶热容热阻传热模型，实现IGBT结温的实时测量。
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公开(公告)号：CN104856655A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510220637.6
申请日：2015-05-04
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： A61B5/01
CPC分类号： A61B5/01 , A61B5/7203 , A61B5/7257
摘要： 本发明公开了一种基于双频磁场磁纳米磁化强度的温度测量方法，属于磁纳米测试技术领域。本发明将磁纳米样品放置在待测对象处，对放置磁纳米样品的区域施加双频激励磁场，采集双频磁场激励下磁纳米样品的磁化强度信号，然后从中提取出各次谐波幅值，最后根据谐波与温度的关系构建方程组求解温度。本发明可以快速准确的测量物体温度，特别适用于非接触式温度测量。
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公开(公告)号：CN102156006B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110055939.4
申请日：2011-03-08
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G01K7/38
CPC分类号： G01K7/36 , A61B5/01 , A61B5/05 , A61B5/0515 , G01K2211/00 , G01R33/1276
摘要： 本发明公开一种基于顺磁特性的磁纳米粒子远程温度测量方法，对磁纳米样品所在区域施加多次不同的激励磁场，依据郎之万顺磁定理构建不同激励磁场与对应磁化率的方程式组，通过方程式组求解获取温度及样品浓度信息。本发明能够更精密、更快速的探测物体温度，特别适用于生物分子层面热运动的探测，试验表明测量误差可小于0.56K。
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