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公开(公告)号：CN108444927B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201810200969.1
申请日：2018-03-12
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
摘要： 本发明公开了一种光谱分析芯片及其制备方法，该光谱分析芯片从下至上依次包括硅衬底层、量子点光敏薄膜、以及光学天线，其中，光学天线是由金属纳米结构周期性排列得到的阵列；该光谱分析芯片还包括至少一对与量子点光敏薄膜接触的金属电极构成光电探测器。探测芯片制备分三步：制备光学天线；制备量子点光敏薄膜；制作电极完成芯片制备。本发明利用金属纳米结构与量子点光敏薄膜之间的协同配合，利用光学天线的滤波和光场增强功能以及量子点的量子限域效应，对量子点光敏薄膜的光电响应进行波长调制和增敏，实现高灵敏、窄通带、可调谐的光电探测器单元，集成制备得到高灵敏光谱分析芯片。
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公开(公告)号：CN108444927A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810200969.1
申请日：2018-03-12
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
摘要： 本发明公开了一种光谱分析芯片及其制备方法，该光谱分析芯片从下至上依次包括硅衬底层、量子点光敏薄膜、以及光学天线，其中，光学天线是由金属纳米结构周期性排列得到的阵列；该光谱分析芯片还包括至少一对与量子点光敏薄膜接触的金属电极构成光电探测器。探测芯片制备分三步：制备光学天线；制备量子点光敏薄膜；制作电极完成芯片制备。本发明利用金属纳米结构与量子点光敏薄膜之间的协同配合，利用光学天线的滤波和光场增强功能以及量子点的量子限域效应，对量子点光敏薄膜的光电响应进行波长调制和增敏，实现高灵敏、窄通带、可调谐的光电探测器单元，集成制备得到高灵敏光谱分析芯片。
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公开(公告)号：CN107275421A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710420652.4
申请日：2017-06-07
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种量子点光电探测器及其制备方法，包括如下步骤：在ITO玻璃衬底上旋涂PMMA光刻胶；光刻胶曝光及微结构图形定义；蒸镀一定厚度的金属薄膜；光刻胶剥离及金属微结构的生成；将制备好的量子点旋涂或喷涂在上述衬底上形成薄膜；继续蒸镀一定厚度的金属形成背底电极，完成器件制备。本发明利用金属微结构的窄带滤波和光场增强功能，对量子点光电响应进行波长调制和增敏，利用量子点薄膜光电效应，使得ITO与背底电极之间的电流发生显著变化。本发明通过选取合适的金属和量子点材料体系，调节金属微结构阵列的结构设计与量子点尺寸，实现高灵敏、可调谐的窄带光电探测器。
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公开(公告)号：CN107275421B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201710420652.4
申请日：2017-06-07
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种量子点光电探测器及其制备方法，包括如下步骤：在ITO玻璃衬底上旋涂PMMA光刻胶；光刻胶曝光及微结构图形定义；蒸镀一定厚度的金属薄膜；光刻胶剥离及金属微结构的生成；将制备好的量子点旋涂或喷涂在上述衬底上形成薄膜；继续蒸镀一定厚度的金属形成背底电极，完成器件制备。本发明利用金属微结构的窄带滤波和光场增强功能，对量子点光电响应进行波长调制和增敏，利用量子点薄膜光电效应，使得ITO与背底电极之间的电流发生显著变化。本发明通过选取合适的金属和量子点材料体系，调节金属微结构阵列的结构设计与量子点尺寸，实现高灵敏、可调谐的窄带光电探测器。
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