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公开(公告)号：CN113659039B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202110961231.9
申请日：2021-08-20
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明属于微纳制造与光电子器件领域，并具体公开了一种阵列互联的CsPbCl3紫外光电探测器及其制备方法，包括步骤：S1在衬底上制备十字交叉型电极阵列；S2采用光刻套刻工艺进行CsCl前驱体掩膜版图形转移，采用薄膜沉积工艺在衬底上沉积得到CsCl前驱体图案，该CsCl前驱体图案位于十字交叉型电极阵列中并与其连接；S3采用薄膜沉积工艺在CsCl前驱体图案上沉积前驱体PbCl2层，退火使CsPbCl3钙钛矿扩散结晶，得到图案化CsPbCl3钙钛矿薄膜。本发明克服了传统溶液法与光刻工艺不兼容的问题，可降低像元尺寸、提高像元密度，并降低电极面积占比，提升成像器件阵列密度，实现探测器小型化、集成化。
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公开(公告)号：CN113594370B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202110808484.2
申请日：2021-07-16
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/48 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/20 , C23C14/26 , C23C14/30 , C23C14/35
Abstract: 本发明属于微纳制造与光电子器件领域，公开了一种全方位成像的CsPbCl3球面紫外探测器及其制备方法，该球面紫外探测器包括球形衬底、柔性基底、经向金属电极阵列、纬向金属电极阵列及图案化的CsPbCl3钙钛矿薄膜，通过所述图案化的CsPbCl3钙钛矿薄膜阵列在球形衬底球面上的分布，并利用所述经向金属电极阵列与所述纬向金属电极阵列，即可实现紫外探测的球面成像。本发明通过对器件结构及制备工艺等进行改进，得到的球面紫外探测器可同时满足全方位探测，大视场成像等优点，极大地促进了球面成像器件与光电子器件的发展与应用。
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公开(公告)号：CN113594370A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110808484.2
申请日：2021-07-16
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/48 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/20 , C23C14/26 , C23C14/30 , C23C14/35
Abstract: 本发明属于微纳制造与光电子器件领域，公开了一种全方位成像的CsPbCl3球面紫外探测器及其制备方法，该球面紫外探测器包括球形衬底、柔性基底、经向金属电极阵列、纬向金属电极阵列及图案化的CsPbCl3钙钛矿薄膜，通过所述图案化的CsPbCl3钙钛矿薄膜阵列在球形衬底球面上的分布，并利用所述经向金属电极阵列与所述纬向金属电极阵列，即可实现紫外探测的球面成像。本发明通过对器件结构及制备工艺等进行改进，得到的球面紫外探测器可同时满足全方位探测，大视场成像等优点，极大地促进了球面成像器件与光电子器件的发展与应用。
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公开(公告)号：CN112820824A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110005175.1
申请日：2021-01-05
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了提供了一种钙钛矿忆阻器及其制备方法，包括自下而上排列的底电极、无铅钙钛矿层、聚合物保护层和顶电极层；其中，所述无铅钙钛矿层为无铅金属卤化物钙钛矿，所述无铅金属卤化物钙钛矿为致密的多边形纳米颗粒结构。所述方法包括：在底电极上采用热动态旋涂法旋涂无铅金属卤化物钙钛矿前驱体溶液，退火处理在底电极上形成无铅钙钛矿层；在无铅钙钛矿层上旋涂聚合物溶液，退火，在无铅钙钛矿层上形成聚合物保护层；在聚合物保护层上通过热蒸发制备顶电极，在聚合物保护层上形成顶电极层，得到钙钛矿忆阻器。本发明避免了毒性铅的使用，并且无铅钙钛矿为致密的多边形纳米颗粒，覆盖率高，防止短路。
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公开(公告)号：CN113659039A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110961231.9
申请日：2021-08-20
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0296
Abstract: 本发明属于微纳制造与光电子器件领域，并具体公开了一种阵列互联的CsPbCl3紫外光电探测器及其制备方法，包括步骤：S1在衬底上制备十字交叉型电极阵列；S2采用光刻套刻工艺进行CsCl前驱体掩膜版图形转移，采用薄膜沉积工艺在衬底上沉积得到CsCl前驱体图案，该CsCl前驱体图案位于十字交叉型电极阵列中并与其连接；S3采用薄膜沉积工艺在CsCl前驱体图案上沉积前驱体PbCl2层，退火使CsPbCl3钙钛矿扩散结晶，得到图案化CsPbCl3钙钛矿薄膜。本发明克服了传统溶液法与光刻工艺不兼容的问题，可降低像元尺寸、提高像元密度，并降低电极面积占比，提升成像器件阵列密度，实现探测器小型化、集成化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112563420A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011457667.6
申请日：2020-12-11
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明属于日盲光电探测技术领域，具体涉及一种日盲紫外钙钛矿光电探测器及其制备方法。本发明日盲紫外钙钛矿光电探测器，沿光的进入方向，依次设置有滤光层、下转换发光窗口层、导电玻璃层、钙钛矿光敏层和金属电极层，所述下转换发光窗口层能够将日盲紫外光转化为荧光，所述钙钛矿光敏层能够将荧光转换为电信号。本发明将钙钛矿可见光探测器和下转化窗口层进行集成，日盲紫外光首先被下转换层薄膜吸收后转换为肉眼可见的荧光，再由钙钛矿可见光探测器捕获并转化为电信号导出，有效克服了传统钙钛矿材料的光谱响应限制，具有广阔的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN114937708B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202210578460.7
申请日：2022-05-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/115 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于X射线探测器相关技术领域，其公开了一种全钙钛矿X射线间接探测器及其制备方法，该方法包括以下步骤：(1)在基体的一个表面上制备多个间隔设置的微通道，以得到微通道阵列结构，再将钙钛矿纳米晶量子点液体填充到微通道中，以得到钙钛矿微通道阵列；(2)在所述基体远离所述微通道阵列的表面上制备钙钛矿可见光敏层，并在所述钙钛矿微通道阵列上原位制备钙钛矿闪烁体，从而得到全钙钛矿X射线间接探测器。本发明顶层钙钛矿闪烁体吸收X射线完成荧光转换，同时引入微通道阵列结构设计以加强荧光轴向传输、抑制荧光横向串扰传输；底层钙钛矿可见光敏层薄膜吸收荧光完成光电转化。
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公开(公告)号：CN111986187A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010873329.4
申请日：2020-08-26
Applicant: 华中科技大学 , 北京卫星环境工程研究所
Abstract: 本发明属于缺陷检测相关技术领域，其公开了一种基于改进Tiny-YOLOv3网络的航天电子焊点缺陷检测方法，所述检测方法包括以下步骤：(1)利用Mobilenet网络增强Tiny_YOLOv3中用于特征提取的网络层，具体为使用轻量级网络Mobilenet替换Tiny_YOLOv3主干网络中的7层卷积与最大池化网络层，以得到改进的Tiny_YOLOv3网络；(2)将已知缺陷类型的焊点红外图像作为样本的训练数据集输入改进的Tiny_YOLOv3网络，以对改进的Tiny_YOLOv3网络进行训练和学习，继而得到改进的Tiny_YOLOv3网络模型；(3)将待测焊点样品的红外图像输入到改进的Tiny_YOLOv3网络模型，以完成焊点缺陷的检测。本发明有效提高了航天电子焊点缺陷检测准确率。
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公开(公告)号：CN113967487B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202111180616.8
申请日：2021-10-11
Applicant: 华中科技大学 , 武汉纳诺德医疗科技有限公司
Abstract: 本发明属于核酸检测相关技术领域，其公开了一种喷嘴、液滴光热操控系统及其应用，喷嘴包括：第一出口以及多个第二出口，所述多个第二出口设于所述第一出口的出口处并相互连通，所述第一出口的出口处设置有筛孔板，所述筛孔板上设有多个筛孔，所述筛孔板的四周与所述第一出口的内壁密封可拆卸连接，所述筛孔板的一端与第二出口连通，所述筛孔板的另一端与激光照射区连通；所述激光照射区用于接收激光照射以对第一出口内的流体进行加热。本申请采用激光加热升温迅速且可控程度高，在核酸检测中可以通过激光加热区实现DNA加热裂解并且提高了油包单个纳米颗粒的概率，免去了在不同设备间转移试剂的过程，避免了试样的交叉污染和泄露问题。
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公开(公告)号：CN111933650B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202010715669.4
申请日：2020-07-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种硫化钼薄膜成像阵列器件及其制备方法，属于微纳制造与光电子器件领域，其中制备方法包括：将石墨烯薄膜转移至衬底表面，采用等离子体将石墨烯薄膜刻蚀成矩形阵列，得到石墨烯电极阵列；在石墨烯薄膜表面依次沉积横向金属电极、介电薄膜阵列和纵向金属电极，得到初始样品；将连续型硫化钼薄膜转移至初始样品表面后进行封装，得到硫化钼薄膜成像阵列器件。本发明制备方法能够显著降低器件制备过程中对原子级厚度硫化钼薄膜的损伤，大幅提升成像器件的阵列密度、器件成品率以及工作稳定性。
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