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公开(公告)号：CN109473550A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811196299.7
申请日：2018-10-15
Applicant: 深圳华中科技大学研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳能电池制备相关技术领域，其公开了一种大面积钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述太阳能电池包括基底、形成在所述基底的表面上的电子传输层、形成在所述电子传输层远离所述基底的表面上的钙钛矿光敏层、形成在所述钙钛矿光敏层远离所述电子传输层的表面上的空穴传输层及形成在所述空穴传输层远离所述钙钛矿光敏层的表面上的碳对电极；所述空穴传输层为酞菁铜空穴传输层；所述电子传输层为CdS电子传输层；所述基底为FTO基底或ITO基底。本发明可实现大面积制备，简单易行，能耗低。
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公开(公告)号：CN113594370B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202110808484.2
申请日：2021-07-16
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/48 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/20 , C23C14/26 , C23C14/30 , C23C14/35
Abstract: 本发明属于微纳制造与光电子器件领域，公开了一种全方位成像的CsPbCl3球面紫外探测器及其制备方法，该球面紫外探测器包括球形衬底、柔性基底、经向金属电极阵列、纬向金属电极阵列及图案化的CsPbCl3钙钛矿薄膜，通过所述图案化的CsPbCl3钙钛矿薄膜阵列在球形衬底球面上的分布，并利用所述经向金属电极阵列与所述纬向金属电极阵列，即可实现紫外探测的球面成像。本发明通过对器件结构及制备工艺等进行改进，得到的球面紫外探测器可同时满足全方位探测，大视场成像等优点，极大地促进了球面成像器件与光电子器件的发展与应用。
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公开(公告)号：CN113594370A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110808484.2
申请日：2021-07-16
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/48 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/20 , C23C14/26 , C23C14/30 , C23C14/35
Abstract: 本发明属于微纳制造与光电子器件领域，公开了一种全方位成像的CsPbCl3球面紫外探测器及其制备方法，该球面紫外探测器包括球形衬底、柔性基底、经向金属电极阵列、纬向金属电极阵列及图案化的CsPbCl3钙钛矿薄膜，通过所述图案化的CsPbCl3钙钛矿薄膜阵列在球形衬底球面上的分布，并利用所述经向金属电极阵列与所述纬向金属电极阵列，即可实现紫外探测的球面成像。本发明通过对器件结构及制备工艺等进行改进，得到的球面紫外探测器可同时满足全方位探测，大视场成像等优点，极大地促进了球面成像器件与光电子器件的发展与应用。
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公开(公告)号：CN113659039B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202110961231.9
申请日：2021-08-20
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明属于微纳制造与光电子器件领域，并具体公开了一种阵列互联的CsPbCl3紫外光电探测器及其制备方法，包括步骤：S1在衬底上制备十字交叉型电极阵列；S2采用光刻套刻工艺进行CsCl前驱体掩膜版图形转移，采用薄膜沉积工艺在衬底上沉积得到CsCl前驱体图案，该CsCl前驱体图案位于十字交叉型电极阵列中并与其连接；S3采用薄膜沉积工艺在CsCl前驱体图案上沉积前驱体PbCl2层，退火使CsPbCl3钙钛矿扩散结晶，得到图案化CsPbCl3钙钛矿薄膜。本发明克服了传统溶液法与光刻工艺不兼容的问题，可降低像元尺寸、提高像元密度，并降低电极面积占比，提升成像器件阵列密度，实现探测器小型化、集成化。
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公开(公告)号：CN109638159A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811314114.8
申请日：2018-11-06
Applicant: 深圳华中科技大学研究院 , 华中科技大学
CPC classification number: H01L51/4213 , H01L51/0077 , H01L2251/301 , H01L2251/303 , H01L2251/305 , H01L2251/306
Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳能电池制备领域，并具体公开了可循环利用的钙钛矿太阳能电池及其制备与循环利用方法，其采用如下步骤制备：在预处理后的基底上从下至上依次制备N型半导体氧化物致密层、N型半导体氧化物多孔层、卤化铅薄膜层和多孔碳对电极层；将器件浸泡在钙钛矿反应溶液中制备钙钛矿光敏层；利用异丙醇溶液对器件进行清洗，烘干获得所需的可循环利用的钙钛矿太阳能电池。将需循环利用电池放入甲醇或乙醇溶液中，以溶解钙钛矿光敏层中的非铅有机卤化物；将处理后的电池浸泡在钙钛矿再生溶液中重新合成钙钛矿光敏层；利用异丙醇溶液清洗，烘干实现电池的循环利用。本发明的电池可反复循环利用，制备简单，可行性强，材料浪费少，无污染。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113659039A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110961231.9
申请日：2021-08-20
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0296
Abstract: 本发明属于微纳制造与光电子器件领域，并具体公开了一种阵列互联的CsPbCl3紫外光电探测器及其制备方法，包括步骤：S1在衬底上制备十字交叉型电极阵列；S2采用光刻套刻工艺进行CsCl前驱体掩膜版图形转移，采用薄膜沉积工艺在衬底上沉积得到CsCl前驱体图案，该CsCl前驱体图案位于十字交叉型电极阵列中并与其连接；S3采用薄膜沉积工艺在CsCl前驱体图案上沉积前驱体PbCl2层，退火使CsPbCl3钙钛矿扩散结晶，得到图案化CsPbCl3钙钛矿薄膜。本发明克服了传统溶液法与光刻工艺不兼容的问题，可降低像元尺寸、提高像元密度，并降低电极面积占比，提升成像器件阵列密度，实现探测器小型化、集成化。
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公开(公告)号：CN112563420A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011457667.6
申请日：2020-12-11
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明属于日盲光电探测技术领域，具体涉及一种日盲紫外钙钛矿光电探测器及其制备方法。本发明日盲紫外钙钛矿光电探测器，沿光的进入方向，依次设置有滤光层、下转换发光窗口层、导电玻璃层、钙钛矿光敏层和金属电极层，所述下转换发光窗口层能够将日盲紫外光转化为荧光，所述钙钛矿光敏层能够将荧光转换为电信号。本发明将钙钛矿可见光探测器和下转化窗口层进行集成，日盲紫外光首先被下转换层薄膜吸收后转换为肉眼可见的荧光，再由钙钛矿可见光探测器捕获并转化为电信号导出，有效克服了传统钙钛矿材料的光谱响应限制，具有广阔的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN119394442A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411392504.2
申请日：2024-10-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光电子器件领域，具体涉及一种线偏振方向识别方法及光电探测器，方法包括将待测线偏振光射向由第一1T’MoTe2纳米片、MoS2纳米片和第二1T’MoTe2纳米片依次层叠构成的纳米片结构，三层纳米片之间部分重叠；两个1T’MoTe2纳米片上均设置有一个电极；MoS2纳米片上设置有两个电极；两个1T’MoTe2纳米片的钼链方向之间的夹角不为0°和90°。使用垂直堆叠的1T’MoTe2/MoS2/1T’MoTe2异质结，借助1T’MoTe2本身的偏振敏感性，施加两个方向相反的偏压，借助电极施加电压和采集电流，推断出入射偏振光的偏振方向。本发明能实现片上集成的偏振角识别。
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公开(公告)号：CN118294496A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410537118.1
申请日：2024-04-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N25/72
Abstract: 本发明公开了一种微波组件焊点缺陷的红外无损检测方法，属于微电子器件封装的焊点缺陷无损检测领域，该方法包括：分别向待测微波组件的接地端及至少一个信号端一一对应施加低电压及偏置电压，以使待测微波组件内部产生电信号引起温度升高；将待测微波组件的目标温度信息与标准微波组件的目标温度信息一一对应相减得到温差数据以进行缺陷诊断。本发明提供的方法，针对主动红外温升缓慢，局部加热难以控制，无法有效暴露内部缺陷等问题，将电测试与温度检测相结合，获取焊点及引线位置的温度信息来检测判别焊点是否有虚焊、裂纹、缺球等缺陷，以及引线中是否存在杂质。与现有方法相比，检测成本低、检测结果可靠，检测效率高。
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公开(公告)号：CN117491427A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311426372.6
申请日：2023-10-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于主动红外无损检测相关技术领域，其公开了一种基于透射激光锁相的多层晶圆气泡缺陷层析方法，包括以下步骤：(1)记录晶圆上表面产生的透射热波的变化，以得到温度矩阵序列；(2)对温度矩阵序列进行处理以提取每条序列对应的激光激励频率的相位值，并重构出一张锁相相位图，再基于锁相相位图进行晶圆键合界面气泡缺陷检测；然后计算缺陷位置相位值与激励信号初始相位差值，并对位于不同深度晶圆层界面的气泡缺陷进行标定，将对应的温度矩阵序列转换为深度方向的断层锁相相位图序列，以建立相应的相位差‑深度标定曲线，进而基于相位差‑深度标定曲线对待测晶圆进行气泡缺陷检测及气泡缺陷深度的确定。本发明提高了检测速度及精度。
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