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公开(公告)号：CN102157643A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110087571.X
申请日：2011-04-08
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明提出一种基于纳米压印制备GaN基光子晶体LED的方法，包括（1）在蓝宝石衬底上依次外延生长N-GaN层、多量子阱有源区和P-GaN层，形成GaN基LED外延结构片；（2）对纳米压印硬模板进行防粘处理；（3）制备具有与所述硬模板互补图案的软模板；（4）在外延结构片上分别蒸镀掩膜层和纳米压印紫外胶层；（5）紫外压印经蒸镀处理后的器件，脱模，形成具有光子晶体的图案片；（6）刻蚀所述图案片，进行后续处理即可制得光子晶体LED。本发明利用纳米压印紫外胶层和蒸镀掩膜层相结合作为掩膜，能够克服GaN外延片表面不平整而导致压印困难的问题，从而使光子晶体的有效孔深更大。
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公开(公告)号：CN102436140B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201110316409.0
申请日：2011-10-18
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G03F7/00
摘要： 本发明公开了一种纳米压印模板的制备方法，包括如下步骤：(1)在多孔阳极氧化铝模板(PAT)表面旋涂缓冲层；(2)在所述缓冲层上贴布粘连层；(3)在粘连层上粘附硬质衬底；(4)压印；(5)去除Al基底；(6)进行两步干法刻蚀。本发明以多孔氧化铝模板作为初始模板，所制得的四层结构纳米压印模板具有自适应功能，能够克服常规纳米压印中表面颗粒和局部不平整带来的影响，真正实现大面积高精度图形转移的目的，同时，结构和制备工艺上的特殊性，使得压印后能够方便完整的将PAT表面多孔层剥离到衬底表面，进而实现孔状和柱状图形复制的功能，所用原材料廉价易得，制作工艺简单便捷，满足大规模工业生产的需求。
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公开(公告)号：CN102157643B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201110087571.X
申请日：2011-04-08
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明提出一种基于纳米压印制备GaN基光子晶体LED的方法，包括（1）在蓝宝石衬底上依次外延生长N-GaN层、多量子阱有源区和P-GaN层，形成GaN基LED外延结构片；（2）对纳米压印硬模板进行防粘处理；（3）制备具有与所述硬模板互补图案的软模板；（4）在外延结构片上分别蒸镀掩膜层和纳米压印紫外胶层；（5）紫外压印经蒸镀处理后的器件，脱模，形成具有光子晶体的图案片；（6）刻蚀所述图案片，进行后续处理即可制得光子晶体LED。本发明利用纳米压印紫外胶层和蒸镀掩膜层相结合作为掩膜，能够克服GaN外延片表面不平整而导致压印困难的问题，从而使光子晶体的有效孔深更大。
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公开(公告)号：CN102436140A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110316409.0
申请日：2011-10-18
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G03F7/00
摘要： 本发明公开了一种纳米压印模板的制备方法，包括如下步骤：(1)在多孔阳极氧化铝模板(PAT)表面旋涂缓冲层；(2)在所述缓冲层上贴布粘连层；(3)在粘连层上粘附硬质衬底；(4)压印；(5)去除Al基底；(6)进行两步干法刻蚀。本发明以多孔氧化铝模板作为初始模板，所制得的四层结构纳米压印模板具有自适应功能，能够克服常规纳米压印中表面颗粒和局部不平整带来的影响，真正实现大面积高精度图形转移的目的，同时，结构和制备工艺上的特殊性，使得压印后能够方便完整的将PAT表面多孔层剥离到衬底表面，进而实现孔状和柱状图形复制的功能，所用原材料廉价易得，制作工艺简单便捷，满足大规模工业生产的需求。
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