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公开(公告)号：CN100587394C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710053292.5
申请日：2007-09-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微纳深沟槽结构测量方法及装置，能够同时测量微纳深沟槽结构沟槽深度、宽度和薄膜厚度。其方法是将红外光束投射到含有深沟槽结构的硅片表面，分析从深沟槽结构各分界面反射形成的干涉光得到测量反射光谱；采用等效介质理论构建该深沟槽结构等效多层薄膜堆栈光学模型的理论反射光谱，利用模拟退火算法和基于梯度的优化算法，通过理论反射光谱对该测量反射光谱进行拟合，进而提取沟槽的深度及宽度等集合特征参数，实现了高深宽比深沟槽宽度和深度等尺寸的精确测量。本发明装置，可实现动态随机存储器(DRAM)上电容器典型深沟槽结构的测量，具有非接触性，非破坏性和低成本的特点。
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公开(公告)号：CN101131317A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710053292.5
申请日：2007-09-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微纳深沟槽结构测量方法及装置，能够同时测量微纳深沟槽结构沟槽深度、宽度和薄膜厚度。其方法是将红外光束投射到含有深沟槽结构的硅片表面，分析从深沟槽结构各分界面反射形成的干涉光得到测量反射光谱；采用等效介质理论构建该深沟槽结构等效多层薄膜堆栈光学模型的理论反射光谱，利用模拟退火算法和基于梯度的优化算法，通过理论反射光谱对该测量反射光谱进行拟合，进而提取沟槽的深度及宽度等集合特征参数，实现了高深宽比深沟槽宽度和深度等尺寸的精确测量。本发明装置，可实现动态随机存储器(DRAM)上电容器典型深沟槽结构的测量，具有非接触性，非破坏性和低成本的特点。
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公开(公告)号：CN201138196Y
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200720087376.6
申请日：2007-09-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种微纳深沟槽结构测量装置，包括红外光源、干涉仪、探测光路、样品台、接收光路、探测器、放大器、滤波器、模数转换器和计算机；红外光源、干涉仪和探测光路依次位于同一光路上，探测光路的出射光与样品台的上表面法线之间的夹角为45°，接收光路与样品台上表面法线之间的夹角为45°，探测器位于接收光路的出光口，探测器、放大器和滤波器依次相连，滤波器通过模数转换器与计算机连接。本实用新型装置，可实现动态随机存储器(DRAM)上电容器典型深沟槽结构的测量，具有非接触性，非破坏性和低成本的特点。
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