公开(公告)号：CN102512251A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110396532.8

申请日：2011-12-02

申请人： 华中科技大学

发明人： 肖建中 ,  程丽 ,  夏风 ,  汪洪 ,  彭周 ,  荣力

IPC分类号： A61C7/00

摘要： 本发明公开了一种隐形矫治器的制造方法及其产品，该制造方法包括以下步骤：获取牙齿畸形患者的牙齿阴模模型；使用热塑性材料和石膏在所述牙齿阴模模型上填充成型，获得患者牙颌物理模型；加热所述牙颌物理模型中待矫正牙齿部位处的热塑性材料使其软化，然后将其移动至目标矫正位置；以及冷却待矫正牙齿部位处的热塑性材料使其硬化，并采用正畸片以此时的牙颌物理模型为母模制得一系列隐形矫治器。通过本发明，可以获得由正畸医生直接操作的、材料和成本低廉的隐形矫治器。

公开(公告)号：CN112909092A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202110068578.0

申请日：2021-01-19

申请人： 华中科技大学

发明人： 周文利 ,  朱宇 ,  程丽 ,  龚清峰 ,  庄严

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种碳纳米管‑石墨烯共价异质结隧穿场效应晶体管，属于隧穿场效应晶体管技术领域，包括：栅区，源区，漏区，沟道区；所述沟道区包括沿源区至漏区方向依次排布的沟道一段、沟道二段和沟道三段；所述沟道一段和沟道三段均为弯曲的zigzag型石墨烯纳米带，所述沟道二段为碳纳米管；所述源区与漏区均为armchair型石墨烯纳米带；所述源区、漏区以及沟道区组成石墨烯‑碳纳米管共价异质结。如此，在隧穿晶体管处于开态时，armchair型石墨烯(源区)中电子能够通过无带隙的zigzag型石墨烯直接输运到碳纳米管(沟道)；此时，碳纳米管沟道与armchair型石墨烯之间不存在隧穿势垒，电子从源区输运到沟道的几率大大增加，隧穿晶体管器件的开态饱和电流增加一个量级。

公开(公告)号：CN102512251B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201110396532.8

申请日：2011-12-02

申请人： 华中科技大学

发明人： 肖建中 ,  程丽 ,  夏风 ,  汪洪 ,  彭周 ,  荣力

IPC分类号： A61C7/00

摘要： 本发明公开了一种隐形矫治器的制造方法及其产品，该制造方法包括以下步骤：获取牙齿畸形患者的牙齿阴模模型；使用热塑性材料和石膏在所述牙齿阴模模型上填充成型，获得患者牙颌物理模型；加热所述牙颌物理模型中待矫正牙齿部位处的热塑性材料使其软化，然后将其移动至目标矫正位置；以及冷却待矫正牙齿部位处的热塑性材料使其硬化，并采用正畸片以此时的牙颌物理模型为母模制得一系列隐形矫治器。通过本发明，可以获得由正畸医生直接操作的、材料和成本低廉的隐形矫治器。

公开(公告)号：CN112909092B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202110068578.0

申请日：2021-01-19

申请人： 华中科技大学

发明人： 周文利 ,  朱宇 ,  程丽 ,  龚清峰 ,  庄严

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种碳纳米管‑石墨烯共价异质结隧穿场效应晶体管，属于隧穿场效应晶体管技术领域，包括：栅区，源区，漏区，沟道区；所述沟道区包括沿源区至漏区方向依次排布的沟道一段、沟道二段和沟道三段；所述沟道一段和沟道三段均为弯曲的zigzag型石墨烯纳米带，所述沟道二段为碳纳米管；所述源区与漏区均为armchair型石墨烯纳米带；所述源区、漏区以及沟道区组成石墨烯‑碳纳米管共价异质结。如此，在隧穿晶体管处于开态时，armchair型石墨烯(源区)中电子能够通过无带隙的zigzag型石墨烯直接输运到碳纳米管(沟道)；此时，碳纳米管沟道与armchair型石墨烯之间不存在隧穿势垒，电子从源区输运到沟道的几率大大增加，隧穿晶体管器件的开态饱和电流增加一个量级。