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公开(公告)号：CN110684964B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201911003733.X
申请日：2019-10-22
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/40 , B05D1/00 , B05D7/04 , B05D7/24
摘要： 本发明属于纳米晶薄膜制备领域，并具体公开了一种基于等离子体原子层沉积的包覆纳米晶薄膜的方法及产品。该方法包括下列步骤：(a)制备纳米晶薄膜，将获得的纳米晶薄膜置于原子层沉积装置的反应腔体中，加热；(b)向反应腔体内通入气态硅烷与纳米晶薄膜反应，反应过程中不断通入载气以保持反应腔内的气压恒定；(c)向反应腔内通入氧气等离子体，反应过程中不断通入载气以保持反应腔内的气压恒定，以此生成氧化硅，该氧化硅包覆在纳米晶薄膜的表面；(d)重复步骤(b)～(c),直至氧化硅的厚度达到预设厚度值。通过本发明，解决纳米晶易受水氧侵蚀，致使其丧失发光性能的问题，具备便于操控、适应性强、成本低和适于大批量生产等优点。
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公开(公告)号：CN110684964A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911003733.X
申请日：2019-10-22
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/40 , B05D1/00 , B05D7/04 , B05D7/24
摘要： 本发明属于纳米晶薄膜制备领域，并具体公开了一种基于等离子体原子层沉积的包覆纳米晶薄膜的方法及产品。该方法包括下列步骤：(a)制备纳米晶薄膜，将获得的纳米晶薄膜置于原子层沉积装置的反应腔体中，加热；(b)向反应腔体内通入气态硅烷与纳米晶薄膜反应，反应过程中不断通入载气以保持反应腔内的气压恒定；(c)向反应腔内通入氧气等离子体，反应过程中不断通入载气以保持反应腔内的气压恒定，以此生成氧化硅，该氧化硅包覆在纳米晶薄膜的表面；(d)重复步骤(b)～(c),直至氧化硅的厚度达到预设厚度值。通过本发明，解决纳米晶易受水氧侵蚀，致使其丧失发光性能的问题，具备便于操控、适应性强、成本低和适于大批量生产等优点。
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公开(公告)号：CN109920920B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910147910.5
申请日：2019-02-28
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于光学材料制备领域，并公开了一种基于原子层沉积的量子点光电探测器及其制备方法。该制备方法包括将量子点溶液旋涂在洁净基底上制备第一量子点薄膜，然后将有机物配体溶液滴覆在第一量子点薄膜上并静置一段时间，待配体交换完成后用溶剂进行清洗，从而完成配体交换层薄膜的制备；将量子点溶液旋涂在配体交换层薄膜上制备单层量子点薄膜，在惰性气氛下进行原子层沉积使该单层量子点薄膜充分钝化，重复上述步骤数次从而获得钝化层薄膜，最后在钝化层薄膜上蒸镀电极制成量子点光电探测器。本发明采用原子层沉积技术钝化量子点薄膜表面，能够提高器件的光暗电流比，优化探测器的器件性能，并且形成PN结双层结构，能够有效提高响应速度。
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公开(公告)号：CN110718645B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910906165.8
申请日：2019-09-24
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于发光二极管制备领域，并具体公开了一种钙钛矿量子点发光二极管的制备方法及产品。所述方法包括：将洁净的ITO玻璃表面进行活化处理；将活化处理后的ITO玻璃表面依次沉积一层ZnO薄膜和Al2O3薄膜；在Al2O3薄膜表面旋涂量子点溶液，以获取量子点薄膜；在量子点薄膜表面沉积一层Al2O3薄膜；在Al2O3薄膜表面依次制备一层TPD空穴传输层、MoO3空穴注入层和电极铝。本发明产品采用上述制备方法制备得到。本发明制备方法工艺简单便捷，所制备得到的产品具有较高的载流子注入、传输能力和稳定性，可以保护QLED器件不受破坏，无机物的引入使器件的稳定性得到明显的提高，从而改善器件的发光性能。
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公开(公告)号：CN110676396B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201910854943.3
申请日：2019-09-10
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于发光二极管制备相关技术领域，并公开了一种基于原子层沉积的钙钛矿量子点发光二极管加工方法，包括：采用热注入法合成钙钛矿量子点；采用旋涂方式制备钙钛矿量子点发光二极管，且针对量子点薄膜表面执行低温原子层沉积处理以实现改性和填充；对钙钛矿量子点发光二极管进行封装。本发明还公开了相应的钙钛矿量子点发光二极管产品。通过本发明，可有效提高量子点薄膜的发光效率和载流子迁移率，实现量子点的有效隔离和钙钛矿量子点离子迁移的有效锚定，相应显著提高了薄膜沉积效果并提升薄膜质量、降低成本，同时具备提高器件封装效果和水氧阻隔能力等优点。
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公开(公告)号：CN110144215A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910355689.2
申请日：2019-04-29
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于纳米晶制备相关技术领域，并公开了一种基于原子层沉积的纳米晶表面定向钝化方法，包括：采用热注入法合成纳米晶胶体；采用水解法将纳米晶颗粒均匀嵌入二氧化硅微球上；采用原子层沉积技术，在均匀嵌入有纳米晶颗粒的二氧化硅微球表面上继续沉积金属氧化物薄膜，由此完成整体的表面定向钝化处理过程。本发明还公开了相应的产品。通过本发明，能够有效解决量子点易受水氧侵蚀的问题，具有制备工艺简单，制备成本低等优点。
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公开(公告)号：CN110718645A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910906165.8
申请日：2019-09-24
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于发光二极管制备领域，并具体公开了一种钙钛矿量子点发光二极管的制备方法及产品。所述方法包括：将洁净的ITO玻璃表面进行活化处理；将活化处理后的ITO玻璃表面依次沉积一层ZnO薄膜和Al2O3薄膜；在Al2O3薄膜表面旋涂量子点溶液，以获取量子点薄膜；在量子点薄膜表面沉积一层Al2O3薄膜；在Al2O3薄膜表面依次制备一层TPD空穴传输层、MoO3空穴注入层和电极铝。本发明产品采用上述制备方法制备得到。本发明制备方法工艺简单便捷，所制备得到的产品具有较高的载流子注入、传输能力和稳定性，可以保护QLED器件不受破坏，无机物的引入使器件的稳定性得到明显的提高，从而改善器件的发光性能。
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公开(公告)号：CN110676396A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910854943.3
申请日：2019-09-10
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于发光二极管制备相关技术领域，并公开了一种基于原子层沉积的钙钛矿量子点发光二极管加工方法，包括：采用热注入法合成钙钛矿量子点；采用旋涂方式制备钙钛矿量子点发光二极管，且针对量子点薄膜表面执行低温原子层沉积处理以实现改性和填充；对钙钛矿量子点发光二极管进行封装。本发明还公开了相应的钙钛矿量子点发光二极管产品。通过本发明，可有效提高量子点薄膜的发光效率和载流子迁移率，实现量子点的有效隔离和钙钛矿量子点离子迁移的有效锚定，相应显著提高了薄膜沉积效果并提升薄膜质量、降低成本，同时具备提高器件封装效果和水氧阻隔能力等优点。
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公开(公告)号：CN109920920A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910147910.5
申请日：2019-02-28
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于光学材料制备领域，并公开了一种基于原子层沉积的量子点光电探测器及其制备方法。该制备方法包括将量子点溶液旋涂在洁净基底上制备第一量子点薄膜，然后将有机物配体溶液滴覆在第一量子点薄膜上并静置一段时间，待配体交换完成后用溶剂进行清洗，从而完成配体交换层薄膜的制备；将量子点溶液旋涂在配体交换层薄膜上制备单层量子点薄膜，在惰性气氛下进行原子层沉积使该单层量子点薄膜充分钝化，重复上述步骤数次从而获得钝化层薄膜，最后在钝化层薄膜上蒸镀电极制成量子点光电探测器。本发明采用原子层沉积技术钝化量子点薄膜表面，能够提高器件的光暗电流比，优化探测器的器件性能，并且形成PN结双层结构，能够有效提高响应速度。
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