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公开(公告)号：CN113241405B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202110397929.2
申请日：2021-04-14
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于微电子领域，具体涉及一种诱导硫系相变材料结晶的方法及其应用，具体将介质材料与硫系相变材料的界面接触，介质材料结构为八面体构型；介质材料在两者接触界面处为硫系相变材料的结晶提供晶核生长中心，以诱导相变材料加速结晶。进一步将该方法应用于现有相变存储器单元中，使得与硫系相变材料层所接触的所有介质材料层中至少有一侧介质材料层的介质材料结构为八面体构型。本发明使用结构为八面体构型的介质材料与相变材料层界面接触，该接触界面对于存储器单元器件是固有存在的，而无需额外引入，对整个半导体工艺的影响降到最低，且这种相变存储器单元设计没有对相变材料进行优化改性，避免由于相变材料优化从而带来其他一系列问题。
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公开(公告)号：CN113921709B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111161468.5
申请日：2021-09-30
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明涉及微电子技术领域，具体公开了一种相变存储器单元，通过高电热绝缘的非晶介质材料与八面体构型的晶态介质材料叠层生长形成介质层，其中八面体构型的晶态介质材料与相变材料结构相同，在与相变材料接触的界面为相变材料提供晶核生长中心，诱导相变材料加速结晶，而与高电热绝缘的非晶介质材料叠层生长，则可避免晶态介质材料电阻过低而带来发漏电问题，从而在不失结晶速度的前提下起到更好的绝缘作用，进而更好地防止漏电。
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公开(公告)号：CN113241405A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110397929.2
申请日：2021-04-14
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于微电子领域，具体涉及一种诱导硫系相变材料结晶的方法及其应用，具体将介质材料与硫系相变材料的界面接触，介质材料结构为八面体构型；介质材料在两者接触界面处为硫系相变材料的结晶提供晶核生长中心，以诱导相变材料加速结晶。进一步将该方法应用于现有相变存储器单元中，使得与硫系相变材料层所接触的所有介质材料层中至少有一侧介质材料层的介质材料结构为八面体构型。本发明使用结构为八面体构型的介质材料与相变材料层界面接触，该接触界面对于存储器单元器件是固有存在的，而无需额外引入，对整个半导体工艺的影响降到最低，且这种相变存储器单元设计没有对相变材料进行优化改性，避免由于相变材料优化从而带来其他一系列问题。
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公开(公告)号：CN113921709A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111161468.5
申请日：2021-09-30
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明涉及微电子技术领域，具体公开了一种相变存储器单元，通过高电热绝缘的非晶介质材料与八面体构型的晶态介质材料叠层生长形成介质层，其中八面体构型的晶态介质材料与相变材料结构相同，在与相变材料接触的界面为相变材料提供晶核生长中心，诱导相变材料加速结晶，而与高电热绝缘的非晶介质材料叠层生长，则可避免晶态介质材料电阻过低而带来发漏电问题，从而在不失结晶速度的前提下起到更好的绝缘作用，进而更好地防止漏电。
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