公开(公告)号：CN118672028A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410910600.5

申请日：2024-07-09

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 程晓敏 ,  王有乐 ,  邱实 ,  缪向水

IPC: G02F3/00 ,  G02F7/00

Abstract: 本申请具体公开了一种光逻辑器件及其逻辑实现方法。本申请通过向设置在环形波导上的第二输入端输入电信号，使相变功能单元升温，产生晶化或非晶化的相变，从而通过控制相变功能单元的晶化状态实现不同的逻辑输入。利用相变功能单元处于不同状态时光信号的透过率的巨大差异，对相变功能单元在不同状态时第一输入端输入的光信号的透过率进行监测，得到相应的逻辑值，实现对不同逻辑输入下的逻辑运算结果的输出。通过向第二输入端输入电信号这一步操作即可实现多种布尔逻辑运算。且能够通过一次操作同时实现两种不同的布尔逻辑运算。本发明的光逻辑器件具有结构紧凑、操作简单和开关比大的特点，提高了光逻辑运算的计算速度和计算能力。

公开(公告)号：CN116246981A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310128119.6

申请日：2023-02-14

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 程晓敏 ,  邱实 ,  何强 ,  缪向水

IPC: H01L21/67 ,  G11C29/56

Abstract: 本发明提供了一种提高老化3D NOR FLASH芯片擦写速度的方法及系统，属于信息存储器领域，方法包括：当待测3D NOR FLASH芯片目标扇区处于正常工作状态时，根据预设程序对目标扇区循环依次进行写入、读取和擦除操作，每隔若干次循环次数，记录目标扇区当前写入和擦除的时长；基于目标扇区当前写入和擦除的时长，若判断待测3D NOR FLASH芯片的工作状态已达到老化阈值，则控制加热时长和温度，对待测3D NOR FLASH芯片进行加热操作，提升待测3D NOR FLASH芯片读写擦速度。本发明解决了芯片老化后，擦写速度退化下降导致工作效率变低的问题。

公开(公告)号：CN118843386A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410910601.X

申请日：2024-07-09

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 程晓敏 ,  王有乐 ,  邱实 ,  缪向水

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20

Abstract: 本发明属于集成光子器件技术领域，更具体地，涉及一种基于Sc掺杂Ge‑Sb‑Te体系的相变光开关材料、器件及其制备方法。该相变光开关材料为Scx(Ge‑Sb‑Te)1‑x，2％

公开(公告)号：CN116129981A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202310139066.8

申请日：2023-02-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 程晓敏 ,  邱实 ,  何强 ,  缪向水

IPC: G11C29/08 ,  G11C29/12 ,  G11C29/56

Abstract: 本发明提供了一种3D NOR FLASH芯片的故障判断方法及系统，属于信息存储领域，方法包括：S1：对待测闪存芯片进行读写擦磨损，并每隔预设次P/E采集扇区写入时长和扇区擦除时长，连续采集预设条样本；S2：若预设条样本的扇区写入时长均小于扇区写入时长阈值，则判定待测闪存芯片不存在故障，否则转至S3；S3：计算待测闪存芯片的扇区写入时长离散度是否小于扇区写入时长离散度阈值，若小于则判定待测闪存芯片正处于正常工作状态，否则，判定待测闪存芯片处于严重扰动状态，停止工作进行故障检测；本发明提供的故障判断方法不需要频繁采集大量样本，简化了判断流程，更具有实用性。