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公开(公告)号：CN115696011B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211330132.1
申请日：2022-10-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04N23/55 , H04N25/44 , H04N5/72 , G02B27/09 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料的电可控彩色滤光阵列及人工视觉系统，其中，该滤光阵列包括多个彩色滤光单元，各彩色滤光单元均包括金属层、底部透明导电层、硫系相变材料层和顶部透明导电层，彩色滤光单元的红绿蓝滤光功能根据底部和顶部透明导电层的厚度进行调整；且在阵列排布的彩色滤光单元中，每行彩色滤光单元中的顶部透明导电层均与一位线BL相连，每列彩色滤光单元中的底部透明导电层均与一字线WL相连，各彩色滤光单元中硫系相变材料层的状态转变通过调整施加其所在位线BL和字线WL上的电脉冲实现。本发明在具有稳定结构颜色的同时具有非易失、抗氧化、低串扰的效果，且集滤光和存储功能于一体，能有效提高图像传感器的处理速度。
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公开(公告)号：CN116736438A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310599240.7
申请日：2023-05-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种分光比可调且状态非易失的光分路器，该光分路器包括第一多模干涉耦合器和第二多模干涉耦合器，第一多模干涉耦合器的两输出端口对应与第二多模干涉耦合器的两输入端口之间均通过一波导部件相连；其中，波导部件由两弯曲波导及连接设置在两弯曲波导之间的调相直波导组成，其中一波导部件中的调相直波导上整体覆盖一层相变材料，另一波导部件中的调相直波导上覆盖多段可独立调节晶化状态的相变材料，光分路器的分光比通过调整另一波导部件中的调相直波导上晶化相变材料的长度，改变传输光的相位实现。本发明提供的光分路器具有分光比可调、损耗小以及非易失的特点。
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公开(公告)号：CN116129981A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310139066.8
申请日：2023-02-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种3D NOR FLASH芯片的故障判断方法及系统，属于信息存储领域，方法包括：S1：对待测闪存芯片进行读写擦磨损，并每隔预设次P/E采集扇区写入时长和扇区擦除时长，连续采集预设条样本；S2：若预设条样本的扇区写入时长均小于扇区写入时长阈值，则判定待测闪存芯片不存在故障，否则转至S3；S3：计算待测闪存芯片的扇区写入时长离散度是否小于扇区写入时长离散度阈值，若小于则判定待测闪存芯片正处于正常工作状态，否则，判定待测闪存芯片处于严重扰动状态，停止工作进行故障检测；本发明提供的故障判断方法不需要频繁采集大量样本，简化了判断流程，更具有实用性。
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公开(公告)号：CN116043194A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310081156.6
申请日：2023-01-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C16/455 , H10B63/10 , C23C16/30 , C23C16/02
Abstract: 本发明公开了一种原子层沉积硫系相变薄膜的方法，其包括：步骤S1：将硫系前驱体分子A以脉冲注入的方式对衬底进行表面修饰，使所述衬底的表面饱和吸附一层成键的硫系修饰层；步骤S2：通入载气对表面修饰后的衬底进行吹扫，消除衬底表面未被吸附的多余的硫系前驱体分子A；步骤S3：采用原子层沉积法在吹扫后的衬底表面交替脉冲注入硫系前驱体分子A和硫系前驱体分子B，生长硫系相变薄膜。本发明通过在原子层沉积之前，利用单一的硫系前驱体分子进行脉冲注入以修饰衬底表面，可以高效制备得到高保型、无针孔硫系相变薄膜。
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公开(公告)号：CN114629468B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210532086.7
申请日：2022-05-17
Abstract: 本发明公开了一种脉宽可调的脉冲电压发生装置，包括：开关控制电路，用于产生控制信号；时钟产生电路，用于产生50MHZ时钟信号；可调脉宽产生集成电路，包括PLL锁相环、第一触发器、第二触发器、行触发器阵列、选择器和异或门，PLL锁相环用于将50MHZ时钟信号处理后输出400MHZ高速时钟信号和50MHZ时钟信号；第一触发器用于对控制信号进行上升沿同步处理输出同步信号；第二触发器用于对同步信号进行20ns延时处理；行触发器阵列中各触发器用于在400MHZ高速时钟信号的控制下输出步进精度为2.5ns的多个可调脉宽脉冲信号，然后通过选择器选择出所需脉宽的脉冲电压信号至相变存储器。本发明能产生20～100ns上升沿下降沿精度高的脉冲电压信号，且脉宽可调，灵活性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103714852B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310698161.8
申请日：2013-12-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种通过施加低电平脉冲实现微纳尺寸GST相变材料非晶化率连续变化的控制方法，包括控制非晶化率连续单调增大和连续单调减小的操作，通过利用两个或两个以上的连续脉冲的幅值、宽度和间隔等三个参量综合自适应变化精确控制焦耳热产生，继而实现GST相变材料晶化率的连续变化，具体包括步骤：对相变存储单元施加具有一定参量的两个或两个以上的连续脉冲；在连续脉冲的作用下，相变材料获得一定的热量，使部分相变材料发生晶化或者非晶化；对上述连续脉冲的幅值、宽度和间隔进行调节，实现连续单调变化的非晶化率。本发明能够提高对相变材料非晶化率控制的稳定性。
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公开(公告)号：CN118566133A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410871955.8
申请日：2024-07-01
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请提供了一种自动化光学样品泵浦探测的装置及方法，属于光学测试应用领域，其中方法包括：S1基于激光直写参数对待测样品进行直写，待刻写第n个区域完毕后，光谱探测系统在第n个区域进行光谱测量；S2采用另一组激光直写参数对待测样品的第n+1个区域进行刻写，待刻写第n+1个区域完毕后，光谱探测系统在第n+1个区域进行光谱测量，令n＝n+1，转至S1，直至待测样品全部区域激光直写完毕以及光谱测量完毕；本申请同时支持激光直写的显色调控和微纳光谱测试，最终得到多组直写参数与光谱的一一对应关系，激光直写过程与光谱测试整个过程中无需人工操作，实验结果高效自动生成。
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公开(公告)号：CN118244515A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410351828.5
申请日：2024-03-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于硅基光电子技术领域，更具体地，涉及一种相变材料光开关的加热电极结构及其制备方法。本申请提供的相变材料光开关的加热电极结构，包括基底、叠设于基底上的下包层、设置在下包层部分表面的波导、设置在波导部分段的表面的相变材料薄膜和包覆在相变材料薄膜表面并延伸至下包层表面的加热电极材料薄膜，其中，包覆在相变材料薄膜表面的加热电极材料薄膜作为加热区域，延伸至下包层表面的加热电极材料薄膜作为扎针区域，以通过对扎针区域施加脉冲电压，使得加热区域产生高热量，从而实现相变材料状态的变化。本申请提供的相变材料光开关的加热电极结构具有加热效率高、热量损失小，且光损耗小的特点。
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公开(公告)号：CN116758969A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310709960.4
申请日：2023-06-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种存储器疲劳特性测量方法、系统及电子设备，包括：根据疲劳特性测量需求向存储器循环提供相应的输入信号；根据预设的测量模式，确定各个采样点对应的循环次数，并在对应循环次数下测量存储器的输出信号；判断各采样点存储器的输出信号是否在预设范围内，若在预设范围内，则将原输入信号继续循环输入；若不在，则调整输入信号的参数，在下一次循环时判断输出信号是否在预设范围内，若在预设范围内，则按照调整参数的输入信号继续进行循环，若不在，则继续调整输入信号参数，在重复预设次数的输入信号参数调整下，若输出信号仍不在预设范围内，则中止疲劳特性测量。本发明能够实现多样化测量，且避免对存储器不必要的磨损。
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公开(公告)号：CN114217105A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202210160354.7
申请日：2022-02-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R1/28
Abstract: 本发明属于脉冲信号发生器技术领域，公开了一种波形可编程的超高速脉冲电流发生装置，装置包括：脉冲波形控制模块、脉冲幅值控制模块、压控电流源模块和功能控制模块。脉冲波形控制模块和脉冲幅值控制模块分别控制压控电流源模块输出的脉冲电流的波形和幅值，从而实现脉冲电流的可调；功能控制模块用于调节控制各模块及数据分析。本发明装置输出脉冲幅值最低可达1μA，最高可达mA级别，调节精度数十μA，脉宽调节范围为1ns到直流。本发明可广泛应用于电流诱导型相变存储器、阻变存储器等器件电特性测试中。
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