公开(公告)号：CN118613140A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410803193.8

申请日：2024-06-20

申请人： 华中科技大学

发明人： 李渊 ,  霍达 ,  翟天佑

IPC分类号： H10N70/00 ,  H10N70/20

摘要： 本发明属于微电子集成电路相关技术领域，其公开了一种基于超离子导体阻态切换机制的忆阻器及其制备方法与应用，所述忆阻器包括自上而下设置的顶电极、活性金属层、功能层及底电极，所述功能层的材料包括过渡金属卤化物、卤化物超离子导体及氧化物超离子导体中的任一个。所述顶电极及所述底电极用于连接电源，以为所述功能层提供电场；所述功能层用于在所述电场的作用下形成超离子导体通道，所述超离子通道用于为所述活性金属层的活性金属提供通道进行扩散而形成导电细丝，以实现阻态切换，进而解决了传统忆阻器功耗高和操作速度慢的问题。

公开(公告)号：CN118704061A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410803225.4

申请日：2024-06-20

申请人： 华中科技大学

发明人： 李渊 ,  霍达 ,  刘盛洪 ,  翟天佑

IPC分类号： C25D7/12 ,  C25D5/48 ,  C23C16/44 ,  C23C16/30

摘要： 本发明属于二维材料相关技术领域，其公开了一种二维贵金属硫属化合物晶圆级薄膜及其制备方法与应用，步骤为：首先，将单晶硅衬底放入贵金属前驱体与氢氟酸溶液混合形成的混合溶液中进行处理；之后，利用欠电位沉积法在所述单晶硅衬底上沉积贵金属原子，以得到原子级厚度的贵金属薄膜，进而将所述贵金属薄膜原位转化成贵金属硫属化合物薄膜。本发明采用欠电位沉积和原位转化工艺，利用贵金属与衬底间的高电势差，驱动贵金属原子在衬底表面自限制沉积，以欠电位沉积的贵金属薄膜为衬底，利用原位转化的气相沉积技术，获得高质量的晶圆级二维贵金属硫属化合物薄膜。