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公开(公告)号：CN116031015B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202310156507.5
申请日：2023-02-23
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01B1/24 , H01L31/0224 , H01B13/00
摘要： 本发明涉及一种导电浆料及其制备方法与在高温多孔背电极中的应用，属于光电/电子器件的电极制备领域。本发明导电浆料包括导电介质颗粒、高温粘结剂、低温粘结剂、造孔剂、溶剂；其中，高温粘结剂在高温下会熔化，但不会分解挥发，从而起到粘结电极中导电介质颗粒的作用。本发明通过在所述导电浆料中添加高温粘结剂，可以在多孔电极高温退火的过程中经历升温熔化渗透到电极底层，再降温凝固的过程，从而粘结电极中导电介质颗粒，起到增强高温多孔电极的机械性能以及与基底接触的作用。这种导电浆料用于制备可印刷介观钙钛矿太阳能电池中的多孔电极，可以使器件性能得到优化。
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公开(公告)号：CN116002989A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211677279.8
申请日：2022-12-26
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： C03C17/34
摘要： 本发明属于卤化物钙钛矿半导体领域，公开了一种卤化物钙钛矿面内定向结晶方法，该方法包括以下步骤：(1)准备钙钛矿前驱体；(2)将钙钛矿前驱体涂敷在基底上，得到前驱体湿膜；(3)通过调控前驱体湿膜中溶剂的挥发位置及挥发方向，控制前驱体湿膜在单一的选定局域优先过饱和，实现可控位置的定位形核，同时抑制其他位置出现形核，建立放射状的面内浓度梯度，实现面内的定向连续生长，从而得到定位形核、连续生长的卤化物钙钛矿薄膜。本发明通过调控前驱体湿膜中溶剂的挥发位置、挥发方向，先发生定位形核，再发生面内定向连续生长，能够实现对高质量卤化物钙钛矿薄膜的可控制备。
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公开(公告)号：CN114220918A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111504532.5
申请日：2021-12-10
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种改善卤化物钙钛矿薄膜质量的方法、薄膜及其应用，属于钙钛矿薄膜制备领域，方法包括：S1，制备卤化物钙钛矿薄膜；S2，将一种或多种吸湿盐溶于溶剂中，配置吸湿盐溶液；S3，将所述吸湿盐溶液涂覆在所述卤化物钙钛矿薄膜的表面，涂覆方式为旋涂、浸泡、刮涂、狭缝涂布、喷涂中的任一种，之后进行退火处理；S4，将退火处理后涂覆有吸湿盐的卤化物钙钛矿薄膜在设定温度、设定湿度的环境中放置设定时间，以增大钙钛矿晶粒的尺寸。通过对卤化物钙钛矿薄膜进行后处理，能够有效改善钙钛矿晶粒尺寸，提高晶粒结晶度，减少晶界，减少非辐射复合，从而提高电荷传输能力。
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公开(公告)号：CN112909174A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110079755.5
申请日：2021-01-21
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于卤化物钙钛矿半导体领域，具体涉及一种P型掺杂卤化物钙钛矿半导体及其制备方法，该半导体由ABX3型卤化物钙钛矿或其衍生物与P型掺杂剂构成；其中P型掺杂剂由正一价阳离子DA、正一价阳离子DDB、负一价阴离子DX、卤素或拟卤素原子DDX组成；DA生长于钙钛矿或其衍生物的A位，DDB作为掺杂元素生长于钙钛矿或其衍生物的B位，并导致钙钛矿或其衍生物生成X位空位，DX占据钙钛矿或其衍生物的X位，DDX作为掺杂元素占据掺杂元素DDB导致的X位空位，并导致ABX3型卤化物钙钛矿或其衍生物生成空穴，形成P型掺杂卤化物钙钛矿半导体。本发明突破了P型晶格掺杂卤化物钙钛矿半导体的短板，助力卤化物钙钛矿半导体电子/光电子器件的进一步发展。
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公开(公告)号：CN111628084A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010470649.5
申请日：2020-05-28
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于太阳能电池制备技术领域，具体涉及一种钙钛矿叠层太阳能电池及其制备方法，位于顶层的太阳能电池为钙钛矿太阳能电池，其包括采用丝网印刷制备的从下往上层叠设置的介孔电子传输层、介孔绝缘层以及用于增大吸收光谱的介孔电极，每层介孔结构内填充有钙钛矿材料。本发明提出在叠层太阳能电池中引入介孔结构，相比现有平板结构，介孔结构对制备环境要求低，工艺简单，重复性好且易于大面积制备。另外介孔结构的电极透明度高、导电性强，光利用率高，可采用二端串联的方式将基于介孔结构的钙钛矿太阳能电池与硅基太阳能电池或其他如CdTe、CIGS、钙钛矿太阳能电池等薄膜电池串联制备叠层太阳能电池，制得的钙钛矿叠层太阳能电池有望突破SQ极限。
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公开(公告)号：CN107146849A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710427216.X
申请日：2017-06-08
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池的循环使用处理方法，包括以下步骤：对于吸光层已分解的钙钛矿型太阳能电池，采用有机卤化物、以及有机胺这两种化合物中的至少一种处理该钙钛矿型太阳能电池，使得该钙钛矿型太阳能电池的光电性能提升，从而便于对该钙钛矿型太阳能电池的循环使用。本发明通过采用有机卤化物、以及有机胺中的至少一种对吸光层已分解的、光电性能下降的钙钛矿型太阳能电池提供吸光层分解后挥发出的有效成分，与现有技术相比能够有效提升吸光层已分解的钙钛矿型太阳能电池的光电性能，延长钙钛矿太阳能电池的使用寿命，使得钙钛矿型太阳能电池能够循环使用。
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公开(公告)号：CN106252447A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610843343.3
申请日：2016-09-23
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L31/0525 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0525 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种新型太阳能电池，其包括依次层叠介观钙钛矿太阳能电池、热电电池和散热器，其中，所述介观钙钛矿太阳能电池与热电电池采用粘接、或者通过蒸镀、沉积或生长工艺在介观钙钛矿太阳能电池的对电极上分别沉积不同P型和N型的热电材料而集成，且所述介观钙钛矿太阳能电池与热电电池串联或者并联。本发明还公开了上述太阳能电池与热电电池叠层器件的制备方法。本发明的太阳能电池及其制备方法，其采用全新的结构设计，将介观钙钛矿太阳能电池与无机材料热电池进行叠加集成，采用相应的制备方法进行集成，从而制备的太阳能电池不仅可以避免热能对器件寿命的影响，提升太阳能电池的使用寿命和稳定性，更为重要的是大大提高了对太阳能的利用率。
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公开(公告)号：CN105405973A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510728751.X
申请日：2015-10-30
申请人： 华中科技大学
CPC分类号： Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/4226
摘要： 本发明公开了一种基于钙钛矿类吸光材料的介观太阳能电池，其包括玻璃基底和透明导电层、空穴阻挡层、电子传输层和背电极，空穴阻挡层为致密层，电子传输层为多孔薄膜，电子传输层和背电极之间还设置有具有多孔的电子阻挡层，电子传输层和电子阻挡层中填充有钙钛矿类吸光材料。或者，该介观太阳能电池包括玻璃基底和透明导电层、空穴传输层和背电极，空穴传输层为多孔薄膜，空穴传输层和透明导电层之间还设置有致密的电子阻挡层，空穴传输层内填充有钙钛矿类吸光材料。本发明还公开了其制备方法。本发明的电池结构优化，介孔内部的钙钛矿材料填充更多，形貌更好，电荷传输性能得到改善，使得电池光电转换效率大大提高，电池的长期光照稳定性得到显著改善。
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公开(公告)号：CN101783212B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201010122624.2
申请日：2010-03-12
申请人： 华中科技大学
CPC分类号： Y02E10/542
摘要： 本发明公开了一种导电胶体以及以此制备大比表面导电多孔膜的技术，即采用铂、碳黑和石墨与氧化物纳米粉末、纤维素按一定比例共混后，加入松油醇制备导电胶体，并采用刮涂法或丝网印刷技术制备具有大比表面的导电多孔薄膜。该方法不仅生产工艺简单、成本低廉，而且适应范围广，作为电极材料在染料敏化纳米太阳能电池中具有良好的应用前景，特别是提供了一种提高全固态染料敏化太阳能电池转换效率的有效途径。同时该具有大表面的导电多孔膜可在其它相关器件，如包括燃料电池、锂离子电池、超级电容器等器件中作为电极材料，该技术是一种具有很大发展潜力和市场前景的技术。
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公开(公告)号：CN114220918B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202111504532.5
申请日：2021-12-10
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种改善卤化物钙钛矿薄膜质量的方法、薄膜及其应用，属于钙钛矿薄膜制备领域，方法包括：S1，制备卤化物钙钛矿薄膜；S2，将一种或多种吸湿盐溶于溶剂中，配置吸湿盐溶液；S3，将所述吸湿盐溶液涂覆在所述卤化物钙钛矿薄膜的表面，涂覆方式为旋涂、浸泡、刮涂、狭缝涂布、喷涂中的任一种，之后进行退火处理；S4，将退火处理后涂覆有吸湿盐的卤化物钙钛矿薄膜在设定温度、设定湿度的环境中放置设定时间，以增大钙钛矿晶粒的尺寸。通过对卤化物钙钛矿薄膜进行后处理，能够有效改善钙钛矿晶粒尺寸，提高晶粒结晶度，减少晶界，减少非辐射复合，从而提高电荷传输能力。
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