公开(公告)号：CN107393810B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201710570025.9

申请日：2017-07-13

申请人： 华中科技大学

发明人： 刘欢 ,  黄永安 ,  黄奕夫 ,  张伟卓 ,  刘竞尧

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本发明公开了一种氧化物半导体薄膜的制备方法，其制备方法包括如下步骤：(1)将半导体胶体量子点溶液放置在静电纺丝平台中，在喷嘴与基板间加电场，使溶液分散雾化，雾化液在绝缘衬底上均匀成膜；(2)用短链配体溶液处理量子点薄膜，以置换掉量子点薄膜表面的长链油酸；(3)去除残余的短链配体及其副产物；(4)在设定温度范围和设定的时间范围内对雾化液所成的膜执行退火处理，获得氧化物半导体薄膜。上述方法中，可以在刚性或柔性衬底上成膜。该制备方法便于调节溶液中各组分质量配比，从而改变薄膜成分，为实验室制备和研究氧化物半导体薄膜提供了新的制备方法和思路，并为大规模生产提供了可能的途径。

公开(公告)号：CN107393810A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710570025.9

申请日：2017-07-13

申请人： 华中科技大学

发明人： 刘欢 ,  黄永安 ,  黄奕夫 ,  张伟卓 ,  刘竞尧

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02697

摘要： 本发明公开了一种氧化物半导体薄膜的制备方法，其制备方法包括如下步骤：(1)将半导体胶体量子点溶液放置在静电纺丝平台中，在喷嘴与基板间加电场，使溶液分散雾化，雾化液在绝缘衬底上均匀成膜；(2)用短链配体溶液处理量子点薄膜，以置换掉量子点薄膜表面的长链油酸；(3)去除残余的短链配体及其副产物；(4)在设定温度范围和设定的时间范围内对雾化液所成的膜执行退火处理，获得氧化物半导体薄膜。上述方法中，可以在刚性或柔性衬底上成膜。该制备方法便于调节溶液中各组分质量配比，从而改变薄膜成分，为实验室制备和研究氧化物半导体薄膜提供了新的制备方法和思路，并为大规模生产提供了可能的途径。