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发明公开
一种Ⅳ-Ⅵ族半导体薄膜及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN117488288A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311338798.6

申请日：2023-10-17

申请人： 华中科技大学 , 湖北光谷实验室

发明人： 张建兵 , 罗浩 , 许少恒 , 李森 , 唐江 , 高亮 , 王怿恺

IPC分类号： C23C18/12

摘要： 本发明提供了一种Ⅳ‑Ⅵ族半导体薄膜及其制备方法，将A溶于有机极性溶剂形成第一溶液，B溶于有机极性溶剂形成第二溶液，将第一溶液和第二溶液混合后得到前驱体溶液，或者将A和B混合后溶于有机极性溶剂中得到前驱体溶液，A为Ⅳ族化合物，B为Ⅵ族化合物；将基片放入所述前驱体溶液中，通过化学浴沉积反应过程在第一温度下进行薄膜生长，得到所需厚度的所述半导体薄膜。本发明直接将基片放在Ⅳ族化合物、Ⅵ族化合物的溶液中，在适宜温度下即可生长半导体薄膜；相比于溶液化学原位反应合成的薄膜，工艺简单、便利、可大面积制备半导体薄膜。