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公开(公告)号：CN117486255A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311346344.3
申请日：2023-10-17
摘要： 本发明涉及一种硫化铅量子点制备方法，具体包括向氯化铅和油胺的混合液中快速注入ZnS量子点溶液使其成核，维持一定时间后，快速注入二硫代氨基甲酸锌的胺溶液，通过调控温度、硫源浓度等来调控合成PbS量子点的尺寸。本发明提供的一种单一前驱体二硫代氨基甲酸锌来替代ZnS量子点作为生长的硫源，不仅不需要滴加注射，节省了时间，也省去了合成ZnS量子点的复杂步骤。
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公开(公告)号：CN114813877B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202210608813.3
申请日：2022-05-31
IPC分类号： G01N27/327 , G01N27/48
摘要： 本发明属于生化传感技术领域，更具体地，涉及一种用于检测葡萄糖的传感器、其制备方法和应用。通过将硫化物胶体量子点、金纳米球颗粒与葡萄糖氧化酶三元材料在有机液相环境中混合一步法形成复合材料，进而涂覆在平面三电极的工作电极上成膜，制备葡萄糖检测传感器。本发明采用硫化物胶体量子点和金纳米球颗粒将葡萄糖氧化酶稳定固定于传感器工作电极上，有效促进葡萄糖酶催化反应的电子转移，明显提高了传感器输出电流响应的信噪比，可实现对葡萄糖的高灵敏度、快捷定量检测。
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公开(公告)号：CN118146802A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410129819.1
申请日：2024-01-31
摘要： 本发明涉及一种硒掺杂碲化汞胶体量子点合成方法及其应用，所述合成方法包括以下步骤：将卤化汞加入到油胺中，得到卤化汞的油胺络合溶液；向该溶液中快速注入三正辛基碲膦和油胺硒脲的混合前驱体溶液，使混合前驱体与卤化汞反应生成硒掺杂碲化汞胶体量子点。本发明合成方法通过简单的一步法合成了硒掺杂碲化汞胶体量子点，大大简化了碲化汞胶体量子点合成门槛，使其更可控、更快捷、更廉价。
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公开(公告)号：CN117488288A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311338798.6
申请日：2023-10-17
IPC分类号： C23C18/12
摘要： 本发明提供了一种Ⅳ‑Ⅵ族半导体薄膜及其制备方法，将A溶于有机极性溶剂形成第一溶液，B溶于有机极性溶剂形成第二溶液，将第一溶液和第二溶液混合后得到前驱体溶液，或者将A和B混合后溶于有机极性溶剂中得到前驱体溶液，A为Ⅳ族化合物，B为Ⅵ族化合物；将基片放入所述前驱体溶液中，通过化学浴沉积反应过程在第一温度下进行薄膜生长，得到所需厚度的所述半导体薄膜。本发明直接将基片放在Ⅳ族化合物、Ⅵ族化合物的溶液中，在适宜温度下即可生长半导体薄膜；相比于溶液化学原位反应合成的薄膜，工艺简单、便利、可大面积制备半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN118931525A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410817249.5
申请日：2024-06-24
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC分类号： C09K11/02 , H01L31/18 , H01L31/0352 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09K11/66 , C09K11/56 , C09K11/88 , C09K11/89
摘要： 本发明提出了一种量子点超晶格薄膜的制备方法，该方法的步骤包括：S1、配制量子点溶液和乙二醇溶液；S2、在干燥磨具中注入乙二醇溶液；S3、在乙二醇液面上均铺撒一层滑石粉，作为缓冲层；S4、将量子点溶液滴加在乙二醇液面上，迅速盖上玻璃盖板，待液面上的薄膜干燥；S5、薄膜干燥后，在模具角落注入乙二胺溶液进行配体交换；S6、配体交换结束后，取出最终获得的薄膜进行干燥。该制备方法在气液界面滴加量子点溶液之前，先在液面上铺撒一层滑石粉作为缓冲层，缓冲层能够有效隔离量子点薄膜与模具之间的相互影响，使薄膜制备过程与模具解耦，能够很好地缓解量子点溶液蒸发组装过程中产生的内应力，提高了最终超晶格薄膜的可重复性和均匀性，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN115233284B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202210965230.6
申请日：2022-08-12
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
摘要： 本申请涉及晶体生长技术领域，尤其涉及一种钙钛矿单晶的制备方法，所述方法包括将钙钛矿材料前驱体与有机溶剂以及纯水混合，获取钙钛矿溶液；在所述钙钛矿溶液中加入钙钛矿籽晶；挥发所述钙钛矿溶液，获取所述钙钛矿单晶。通过本申请提供的方法，制备过程中，溶质利用率高，得到的单晶质量高、尺寸大，从而满足工业对钙钛矿单晶质量和尺寸的需求。
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公开(公告)号：CN117979793A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311856782.4
申请日：2023-12-29
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
摘要： 本发明提供了一种钙钛矿X射线面阵探测器的制备方法、X射线面阵探测器。所述方法包括：得到含有功能层的基底；将所述含有功能层的基底固定至热蒸发设备的蒸发腔内的样品台，FABr置于所述蒸发腔内的第一蒸发舟，PbBr2置于所述蒸发腔内的第二蒸发舟；将所述含有功能层的基底进行加热；将所述第一蒸发舟中的所述FABr粉末熔化及冷却为块状，以防止FABr蒸发过程中发生暴沸；将具有相等摩尔蒸发速率的FABr与PbBr2沉积在所述含有功能层的基底上，后进行退火，得到FAPbBr3层；在所述FAPbBr3层的至少部分表面设置金属电极，得到钙钛矿X射线面阵探测器。
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公开(公告)号：CN117923807A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410089627.2
申请日：2024-01-23
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
摘要： 本申请涉及一种快中子成像材料及其制备方法，所述方法包括：得到(C19H18P)2MnBr4前驱体溶液；将所述(C19H18P)2MnBr4前驱体溶液与聚丙烯腈进行混合，得到聚合物前驱体溶液；将所述聚合物前驱体溶液涂覆于基体上，后进行干燥，得到快中子成像材料。本申请内容为快中子成像提供了新的材料，同时提高了现有快中子成像材料的空间分辨率。
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公开(公告)号：CN117881256A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410040976.5
申请日：2024-01-10
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
摘要： 本申请涉及复合材料技术领域，尤其涉及一种降低X射线探测器暗电流密度和检测限的方法；所述方法包括：混合有机溶剂和钙钛矿前体材料溶液，对混合物进行静置，得到饱和混合物；于饱和混合物中加入种子层，得到种子混合物；对种子混合物进行静置，后采用苯甲醚溶剂对静置后的所述种子混合物进行溶剂退火，得到钙钛矿材料基底；以及，使钙钛矿材料基底的至少部分表面覆盖金属电极材料，得到X射线探测器件；通过引入溶剂退火的方式，可以在钙钛矿膜上形成相对稳定的热场，减少了缺陷并提升了晶体质量；而这种高质量、高均匀性的厚膜可以使得钙钛矿材料基底产生了更低的暗电流和信噪比。
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公开(公告)号：CN115403065B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202211044612.1
申请日：2022-08-30
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
摘要： 本申请实施例提供一种铯铜卤晶体的制备方法，包括如下步骤：提供化学式为CsX和CuX的化合物，混合均匀得到反应物，其中X为Cl、Br、I中的至少一种；将所述反应物置于预定真空度下并加热至预定温度，同时使所述反应物进行预定时间的内部运动，得到熔体；在预定冷却速率下冷却所述熔体，得到所述铯铜卤晶体。本申请实施例提供的铯铜卤晶体的制备方法，整个制备过程十分简单，且得到的产物具有很高的纯度。
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