公开(公告)号：CN116504752A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310459144.2

申请日：2023-04-18

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 赵柯臣 ,  魏潇赟 ,  邓抄军 ,  杨勇 ,  代兵

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50

摘要： 本申请实施例提供一种芯片堆叠结构及其形成方法、芯片封装结构、电子设备，用于简化芯片堆叠结构制备工艺，涉及芯片技术领域。该芯片堆叠结构包括：至少两个堆叠设置的芯片，每个芯片包括布线层，布线层中设置有导电结构；其中，至少两个堆叠设置的芯片包括：堆叠设置的第一芯片和第二芯片，第一芯片和第二芯片之间通过键合层电连接；键合层包括第一区域、环绕第一区域的第二区域，以及除第一区域和第二区域以外的第三区域，键合层的第一区域在第一芯片中的布线层上的投影与第一芯片的布线层中的导电结构至少部分重合；键合层的第一区域和第三区域中设置有金属键合层。

公开(公告)号：CN115568481A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202110687669.2

申请日：2021-06-21

申请人： 华为技术有限公司 ,  哈尔滨工业大学

发明人： 魏潇赟 ,  代兵 ,  赵继文 ,  赵柯臣 ,  杨勇 ,  邓抄军

IPC分类号： A21B5/08 ,  B32B3/30 ,  B32B7/027 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  B32B15/04 ,  B32B15/18 ,  B32B33/00 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

摘要： 本公开涉及热传导模块及制备方法和应用、电子产品，属于散热技术领域。该热传导模块的制备方法包括：对金刚石晶片和衬底依次进行清洗处理和活化处理，得到预处理金刚石晶片和预处理衬底；在预处理金刚石晶片上依次沉积第一金属粘合层和第一金属键合层，以及，在预处理衬底上依次沉积第二金属粘合层和第二金属键合层；通过原子扩散工艺，使第一金属键合层和第二金属键合层进行键合，得到热传导模块。该方法操作工艺简单可靠，利于放宽对金刚石晶片的表面粗糙度的要求，成本更低，成品率高，便于规模化推广应用。所制备得到的热传导模块，利用金刚石高导热特性实现局部“热点”的快速降温，利用金刚石各向同性导热特性实现均温。

公开(公告)号：CN114695287A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011627346.6

申请日：2020-12-31

申请人： 华为技术有限公司 ,  哈尔滨工业大学

发明人： 魏潇赟 ,  代兵 ,  赵柯臣 ,  邓抄军 ,  杨勇

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/40

摘要： 本申请实施例公开了一种连接散热片和芯片的方法和芯片结构，属于芯片散热技术领域。所述方法包括：在散热片的第一表面形成第一金属层；在芯片的第二表面形成第二金属层；在所述第一金属层和所述第二金属层中的至少一层上涂覆纳米金属颗粒粘接材料，形成纳米金属颗粒粘接材料层；将所述散热片和所述芯片相对重叠，使得所述纳米金属颗粒粘接材料层夹设于所述第一金属层和所述第二金属层之间；对重叠在一起的所述散热片和所述芯片加温加压，使得所述纳米金属颗粒粘接材料烧结，以将所述散热片和所述芯片连接在一起，增加连接的可靠性，提高产品良率。