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公开(公告)号：CN112614943A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011426877.9
申请日：2020-12-09
申请人： 华南师范大学
摘要： 本发明涉及一种微米级的核壳异质结自驱动紫外探测器及其制备方法，其以高质量的单根氮化镓微米线为核芯，以p型有机PTAA材料为壳层，设置第一电极与单根n型氮化镓微米线接触，第二电极与p型PTAA薄层接触，实现了单根GaN微米线与PTAA层结合的有机无机杂糅异质结。该结构中，PTAA具有高的导电率和室温稳定性，其包裹GaN微米线的表面增加了异质结的接触面积和空间电荷区的面积，保证光吸收主要发生在空间电荷区，有效抑制了光生载流子的复合，提高了紫外探测器响应度和稳定性。
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公开(公告)号：CN112614943B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202011426877.9
申请日：2020-12-09
申请人： 华南师范大学
摘要： 本发明涉及一种微米级的核壳异质结自驱动紫外探测器及其制备方法，其以高质量的单根氮化镓微米线为核芯，以p型有机PTAA材料为壳层，设置第一电极与单根n型氮化镓微米线接触，第二电极与p型PTAA薄层接触，实现了单根GaN微米线与PTAA层结合的有机无机杂糅异质结。该结构中，PTAA具有高的导电率和室温稳定性，其包裹GaN微米线的表面增加了异质结的接触面积和空间电荷区的面积，保证光吸收主要发生在空间电荷区，有效抑制了光生载流子的复合，提高了紫外探测器响应度和稳定性。
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公开(公告)号：CN112614904A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011425254.X
申请日：2020-12-09
申请人： 华南师范大学
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/109 , H01L27/144 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种垂直结构的微米线阵列真空紫外光探测器及其制备方法，其包括表面设置有多个平行排列凹槽的p型硅基底，凹槽的截面呈倒梯形，n型AlN微米线阵列沿其凹槽的侧壁外延生长形成，石墨烯导电层设置于该硅基底上与AlN微米线阵列接触，金属电极层设置于硅基底上相对于设置石墨烯导电层的表面。本发明通过图案化硅基底以及选择性外延生长获得了晶体质量优异的n型AlN微米线阵列微结构，其与p型硅构成的异质结构相较于传统的单一薄膜探测器能够进一步提升真空紫外光探测器的响应速率、降低暗电流、提高响应度、工作稳定性好和具有良好的自供电性能等优势。
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公开(公告)号：CN112614904B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202011425254.X
申请日：2020-12-09
申请人： 华南师范大学
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/109 , H01L27/144 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种垂直结构的微米线阵列真空紫外光探测器及其制备方法，其包括表面设置有多个平行排列凹槽的p型硅基底，凹槽的截面呈倒梯形，n型AlN微米线阵列沿其凹槽的侧壁外延生长形成，石墨烯导电层设置于该硅基底上与AlN微米线阵列接触，金属电极层设置于硅基底上相对于设置石墨烯导电层的表面。本发明通过图案化硅基底以及选择性外延生长获得了晶体质量优异的n型AlN微米线阵列微结构，其与p型硅构成的异质结构相较于传统的单一薄膜探测器能够进一步提升真空紫外光探测器的响应速率、降低暗电流、提高响应度、工作稳定性好和具有良好的自供电性能等优势。
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公开(公告)号：CN112614910B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202011494811.3
申请日：2020-12-17
申请人： 华南师范大学
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种基于PIN型氮化镓微米线的紫外光电探测器及其制备方法，其采用n型氮化镓微米线核和依次覆盖n型氮化镓微米线核表面的i型氮化镓及p型氮化镓构成了PIN型同质结微米线，并通过n型氮化镓微米线核与下电极接触，p型氮化镓与上电极接触构建了垂直结构的微型化紫外光电探测器。该探测器结构中，沿其微米线直径方向的PIN同质结增加了结的接触面积，增加了空间电荷区的面积，保证光吸收主要发生在空间电荷区，能够有效抑制光生载流子的复合，提高紫外探测器响应度，和更低的暗电流。且同质外延生长的氮化镓，大大提高了材料的晶体质量，降低了缺陷密度，保障了紫外光电探测器的性能。
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公开(公告)号：CN112614910A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011494811.3
申请日：2020-12-17
申请人： 华南师范大学
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种基于PIN型氮化镓微米线的紫外光电探测器及其制备方法，其采用n型氮化镓微米线核和依次覆盖n型氮化镓微米线核表面的i型氮化镓及p型氮化镓构成了PIN型同质结微米线，并通过n型氮化镓微米线核与下电极接触，p型氮化镓与上电极接触构建了垂直结构的微型化紫外光电探测器。该探测器结构中，沿其微米线直径方向的PIN同质结增加了结的接触面积，增加了空间电荷区的面积，保证光吸收主要发生在空间电荷区，能够有效抑制光生载流子的复合，提高紫外探测器响应度，和更低的暗电流。且同质外延生长的氮化镓，大大提高了材料的晶体质量，降低了缺陷密度，保障了紫外光电探测器的性能。
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